光示意图，其中，A是步进式光刻机的曝光示意图，B是扫描式光刻机的曝光不意图；
[0027]图4是曝光尺寸22X33_的扫描式光刻机的晶圆图；
[0028]图5是曝光尺寸25 X 33mm的扫描式光刻机的晶圆图；
[0029]图6是曝光尺寸22 X 16.5mm的步进式光刻机的晶圆图；
[0030]图7是掩膜版的排版示意图，其中，A是步进式光刻机的排版示意图，B是扫描式光刻机的排版示意图；
[0031]图8是本发明的改良型“2 in I”曝光示意图；其中，a是扫描式光刻机的曝光示意图，b是步进式光刻机的曝光意图，c是在晶圆上的步进式光刻机的曝光意图；
[0032]图9是本发明的改良型“2 in I”掩膜版的排版示意图，其中，A是步进式光刻机标记的排版示意图，B是扫描式光刻机标记的排版示意图；
[0033]图10是本发明的改良型“2 in I”曝光的对准标记与套刻标记放置示意图，其中，A是步进式光刻机标记的放置示意图，B是扫描式光刻机标记的放置示意图；
[0034]图11是本发明的改良型“2 in I”曝光方向的设定示意图，其中，A是扫描式光刻机曝光方向不意图，B是步进式光刻机曝光方向不意图；
[0035]图12是曝光尺寸16.5X25mm的步进式光刻机的晶圆图。
【具体实施方式】
[0036]实施例1
[0037]本发明的提高光刻机作业效率的方法，包括步骤:
[0038]I)掩膜版制作的排版
[0039]步进式光刻机关联工程的掩膜版与扫描式光刻机关联工程的掩膜版成90度旋转;
[0040]如，扫描式光刻机关联工程的排版按照正常方式进行；步进式光刻机关联工程的排版则将图形进行90度的旋转,Y方向尺寸与扫描式光刻机曝光X方向一致，X方向尺寸为扫描式光刻机曝光Y方向的一半；
[0041]具体可为(改良的“2 in I”曝光方式):
[0042]扫描式光刻机上的曝光尺寸为25X33mm，对应的步进式光刻机上的曝光尺寸则为
16.5X 25mm,由于步进式光刻机上曝光的Y方向为扫描式光刻机上对应的X方向，所以在Wafer曝光时，需要将Wafer在光刻机上进行90度旋转(如图8所示)，从而将前后工程的图形进行堆叠，而在掩膜版的制作方面，同样需要将图形相应的90度旋转，才能够使得图形被正确地曝光(如图9所示)。
[0043]2)掩膜版上对准标记与套刻测量标记的放置
[0044]关联的对准标记与套刻测量标记均以步进式光刻机的曝光尺寸为单位进行放置。
[0045]步骤2)中的具体步骤可为:
[0046]在被对准工程的掩膜版上，需要以步进式光刻机的曝光尺寸为单位，放置被对准标记以及套刻标记的外框标记；而非对准工程的掩膜版，必须放置套刻标记的当层图形，以进行套刻精度的测量(如图10所示)。
[0047]3)光刻机曝光文件的做成
[0048]扫描式光刻机关联工程曝光时，Notch (凹槽，即晶圆片边缘用于定位的小凹槽)朝下；步进式光刻机关联工程曝光时，则将Notch方向朝左边，从而让图形正确地进行套刻(如图11所示)。
[0049]本发明中，利用步进式光刻机上另外一种曝光范围设定，即曝光尺寸
17.92X25.2mm，将在步进式光刻机上作业的工程进行90度旋转后曝光，结合扫描式光刻机的尺寸要求，可以在掩膜版设计过程中，将扫描式光刻机上的掩膜版制作为25X33mm的排布方式，而步进式光刻机上的图形则进行90度旋转后拆分为16.5 X 25mm的尺寸(如图12所示)，在步进式光刻机上两次曝光以完成对应的扫描式光刻机上的一次曝光，此时不但扫描式光刻机的作业效率最大化(25 X 33mm)，步进式光刻机上由于单次曝光尺寸也有相应增加，从而曝光次数也相应减少，采用此方式时曝光Shot数为92个，仅较22 X 22mm曝光尺寸下增加了 4个，比传统的“2in I “方式的效率(曝光Shot数目104)更高，从而达到同步提升扫描式光刻机与步进式光刻机作业效率的目标。
[0050]按照上述步骤，本发明可为两种不同方向曝光在同一系列产品上的应用方法，通过使用上述的排版方式，结合在不同类型光刻机上曝光方向的差异，实现图形的正确套刻，从而最大限度地实现光刻机作业效率的提升。
【主权项】
1.一种提高光刻机作业效率的方法，其特征在于，包括步骤: 1)掩膜版制作的排版 步进式光刻机关联工程的掩膜版与扫描式光刻机关联工程的掩膜版成90度旋转； 2)掩膜版上对准标记与套刻测量标记的放置 关联的对准标记与套刻测量标记均以步进式光刻机的曝光尺寸为单位进行放置。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于:所述步骤I)的具体步骤为: 扫描式光刻机关联工程的排版按照正常方式进行，其中，扫描式光刻机的曝光尺寸最大为 25 X 33mm ； 步进式光刻机关联工程的排版则将图形进行90度的旋转，Y方向尺寸与扫描式光刻机曝光X方向一致，X方向尺寸为扫描式光刻机曝光Y方向的一半。
3.如权利要求1所述的方法，其特征在于:所述步骤2)中的具体步骤为: 在被对准工程的掩膜版上，需要以步进式光刻机的曝光尺寸为单位，放置被对准标记以及套刻标记的外框标记；而非对准工程的掩膜版，必须放置套刻标记的当层图形，以进行套刻精度的测量。
4.如权利要求1所述的方法，其特征在于:所述提高光刻机作业效率的方法，还包括步骤:3)扫描式光刻机关联工程曝光时凹槽朝下；步进式光刻机关联工程曝光时，则将凹槽方向朝左边，从而让图形正确地进行套刻。
【专利摘要】本发明公开了一种提高光刻机作业效率的方法，包括步骤：1）步进式光刻机关联工程的掩膜版与扫描式光刻机关联工程的掩膜版成90度旋转；2）关联的对准标记与套刻测量标记均以步进式光刻机的曝光尺寸为单位进行放置。本发明通过调整在步进式光刻机上的曝光方向，在最大限度利用扫描式光刻机产能的基础上，减少步进式光刻机的损失，从而最大程度提升光刻机的整体作业效率。
【IPC分类】G03F7-20, G03F9-00
【公开号】CN104698762
【申请号】CN201310655037
【发明人】洪雪辉, 陈卢佳
【申请人】上海华虹宏力半导体制造有限公司
【公开日】2015年6月10日
【申请日】2013年12月6日