述目标图形包括多个子目标图形；
[0109]步骤S202、采用前述的光学邻近校正方法，将所述目标图形分解为第一子图形和第二子图形，其中，第一子图形为具有标记片段的子目标图形的组合；
[0110]步骤S203、将所述第一子图形写入第一掩膜版，将所述第二子图形写入第二掩膜版；
[0111]步骤S204、分别以所述第一掩膜版和第二掩膜版为掩膜，进行曝光显影处理，在所述晶圆上形成最终图形。
[0112]由前述分析可知，对于不具有标记片段的子目标图形来说，认定所述子目标图形在标准光学邻近校正模型的作用范围内，说明标准光学邻近校正模型包含了所述子目标图形的曝光能力，在采用所述标准光学邻近校正模型进行光学邻近校正之后，具有所述子目标图形的掩膜版经过光学曝光系统进行曝光，所述子目标图形的光强参数与光刻胶曝光参考阈值之间的差距值在允许接受的范围内，在经过显影处理后，最终形成的图形质量高。
[0113]因此，所述不具有标记片段的子目标图形写入同一掩模版中，对最终形成的图形的质量影响小。然而，若同一掩膜版中的图形数量过多，可能会造成采用所述掩膜版进行曝光的难度增加，这是，也可以将第二子图形中的部分子目标图形写入第一掩膜版内或其他掩膜版内，以减小第二掩膜版中的图形数量，降低采用所述第二掩膜版进行曝光的难度，进一步提高在待形成目标图形的晶圆上形成的图形质量。
[0114]为了消除光学邻近效应，本实施例还提供标准光学邻近校正模型，在将所述第一子图形写入第一掩膜版之前，还包括步骤:依据所述标准光学邻近校正模型，对第一子图形进行光学邻近校正；在将所述第二子图形写入第二掩膜版之前，还包括步骤:依据所述标准光学邻近校正模型，对第二子图形进行光学邻近校正。
[0115]本发明提供的双重图形曝光方法的技术方案中，采用上述的提供的光学临近校正方法，将目标图形分解为第一子图形和第二子图形，使得第一子图形中的子目标图形的曝光能力得到提高，其中，第一子图形为具有标记片段的子目标图形的组合；将分解后的第一子图形和第二子图形写入不同的掩膜版中，由于在将目标图形进行分解后第一子图形中子目标图形的曝光能力得到了提高，使得第一子图形中的子目标图形在标准光学邻近校正模型的作用范围内；在分别采用第一掩膜版和第二掩膜版为掩膜，经过曝光、显影处理后，在晶圆上形成的图形精确度高，提高了双重图形曝光的精确性。
[0116]虽然本发明披露如上，但本发明并非限定于此。任何本领域技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，均可作各种更动与修改，因此本发明的保护范围应当以权利要求所限定的范围为准。
【主权项】
1.一种光学邻近校正方法，其特征在于，包括: 提供目标图形，所述目标图形包括多个子目标图形，且子目标图形分为若干片段； 对所述子目标图形进行模拟曝光，获取子目标图形各片段的光强参数； 基于获取的子目标图形各片段的光强参数的分布情况，获取子目标图形各片段中的标记片段； 移除目标图形中具有标记片段的子目标图形，将目标图形分解为第一子图形和第二子图形，其中，第一子图形为具有标记片段的子目标图形的组合。2.根据权利要求1所述光学邻近校正方法，其特征在于，提供标准光学邻近校正模型，所述标准光学邻近校正模型包括掩模图形，所述掩模图形包括与所述子目标图形相对应的子掩膜图形，且与子目标图形相对应的子掩膜图形相应的分为若干片段。3.根据权利要求2所述光学邻近校正方法，其特征在于，基于获取的子目标图形各片段的光强参数的分布情况，获取子目标图形各片段中的标记片段的方法为: 对所述子目标图形进行模拟曝光，获取子目标图形各片段的第一光强参数； 对所述标准光学邻近校正模型进行模拟曝光，获取子掩膜图形各片段的第二光强参数； 基于所述第一光强参数和第二光强参数之间的区别值，获取子目标图形各片段中的标记片段。4.根据权利要求3所述光学邻近校正方法，其特征在于，所述第一光强参数包括:第一最大光强、第一最小光强以及第一斜率；所述第二光强参数包括:第二最大光强、第二最小光强以及第二斜率。5.根据权利要求3或4所述光学邻近校正方法，其特征在于，获取子目标图形各片段中的标记片段的方法为: 获取子目标图形片段的第一光强参数和与之对应的子掩膜图形片段的第二光强参数之间的区别值； 当所述区别值大于预定值时，标记所述第一光强参数对应的子目标图形的片段，所述子目标图形的片段为标记片段。6.根据权利要求5所述光学邻近校正方法，其特征在于，获取所述区别值的方法为:根据子目标图形片段的第一光强参数和与之对应的子掩膜图形片段的第二光强参数，获得两者差值的绝对值，然后获得所述差值的绝对值与所述第二光强参数之间的比值。7.根据权利要求6所述光学邻近校正方法，其特征在于，所述预定值为6%至10%。8.根据权利要求4所述光学邻近校正方法，其特征在于，获取子目标图形各片段中的标记片段的方法为:选取第一光强参数中的至少两个参数建立坐标系；将与上述参数相对应的第二光强参数的参数置于上述坐标系中；根据子目标图形各片段的第一光强参数和与之对应的第二光强参数在坐标系中的位置分布，获取子目标图形各片段中的标记片段。9.根据权利要求8所述光学邻近校正方法,其特征在于，基于第一光强参数在所述坐标系内建立多个单兀格，若第一光强参数和与之对应的第二光强参数处于坐标系的不同单元格内，则所述第一光强参数对应的片段为标记片段。10.根据权利要求9所述光学邻近校正方法,其特征在于，选取第一光强参数中的三个参数建立坐标系，基于第一最大光强、第一最小光强以及第一斜率，在所述坐标系内建立10X 10X 10 至 30X 30X 30 个单元格。11.根据权利要求10所述光学邻近校正方法，其特征在于，在所述坐标系内建立20X20X20个单元格时，建立单元格的方法为: 获取第一最大光强的最大值和最小值之间的差值为第一差值，获取第一最小光强的最大值和最小值之间的差值为第二差值，获取第一斜率的最大值和最小值之间的差值为第三差值; 将所述第一差值、第二差值和第三差值20等分，获取20等分的第一差值、第二差值以及第二差值； 依据所述第一最大光强的最大值和最小值、第一最小光强的最大值和最小值、第一斜率的最大值和最小值、20等分的第一差值、20等分的第二差值和20等分的第三差值，在所述坐标系内建立20 X 20 X 20的立方体，所述立方体具有20 X 20 X 20个单元格。12.根据权利要求1所述光学邻近校正方法，其特征在于，所述标准光学邻近校正模型为光学模型。13.根据权利要求1所述光学邻近校正方法，其特征在于，提供光学曝光系统。14.根据权利要求13所述光学邻近校正方法，其特征在于，获取所述光学曝光系统参数，根据获取的光学曝光系统参数对所述子目标图形进行模拟曝光；根据获取的光学曝光系统参数对所述标准光学邻近校正模型进行模拟曝光。15.根据权利要求1所述光学临近校正方法，其特征在于，所述子目标图形为线状图形或孔状图形。16.一种双重图形曝光方法，其特征在于: 提供目标图形以及待形成目标图形的晶圆，所述子目标图形包括多个子目标图形； 采用如权利要求1至15任一项所述的光学邻近校正方法，将所述目标图形分解为第一子图形和第二子图形，其中，第一子图形为具有标记片段的子目标图形的组合； 将所述第一子图形写入第一掩膜版，将所述第二子图形写入第二掩膜版； 分别以所述第一掩膜版和第二掩膜版为掩膜，进行曝光显影处理，在所述晶圆上形成最终图形。17.根据权利要求16所述双重图形曝光方法，其特征在于，提供标准光学邻近校正模型。18.根据权利要求17所述双重图形曝光方法，其特征在于，在将所述第一子图形写入第一掩膜版之前，还包括步骤:依据所述标准光学邻近校正模型，对第一子图形进行光学邻近校正。19.根据权利要求17所述双重图形曝光方法，其特征在于，在将所述第二子图形写入第二掩膜板之前，还包括步骤:依据所述标准光学邻近校正模型，对第二子图形进行光学邻近校正。
【专利摘要】一种光学邻近校正方法及双重图形曝光方法，其中光学邻近校正方法包括：提供目标图形，所述目标图形包括多个子目标图形，且子目标图形分为若干片段；对子目标图形进行模拟曝光，获取子目标图形各片段的光强参数；基于获取的子目标图形各片段的光强参数，获取子目标图形各片段中的标记片段；移除目标图形中具有标记片段的子目标图形，将目标图形分解为第一子图形和第二子图形，其中，第一子图形为具有标记片段的子目标图形的组合。本发明依据曝光能力，获取子目标图形各片段中的标记片段，减小目标图形与最终形成图形之间的区别，提高最终形成图形的精确性。
【IPC分类】G03F7/20, G03F1/36
【公开号】CN104950568
【申请号】CN201410114596
【发明人】程仁强, 王辉
【申请人】中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
【公开日】2015年9月30日
【申请日】2014年3月25日