预期对称膜而显著减小光栅到膜相关性且改善测量精确性。
[0092]在又一实施例中，可使用经整合测量模型以提供有源反馈到过程工具(例如，光刻工具、蚀刻工具、沉积工具等)。举例来说，使用经整合测量模型确定的深度值及聚焦参数可传达到光刻工具以调整光刻系统以实现所要输出。以类似方式，蚀刻参数(例如，蚀刻时间、扩散率等)或沉积参数(例如，时间、浓度等)可包含于经整合测量模型中，以分别提供有源反馈到蚀刻工具或沉积工具。
[0093]图18说明用于根据本文中呈现的示范性方法测量样品的特性的系统300。如图18中所展示，系统300可用于执行样品301的一或多个结构的光谱椭圆偏光计测量。在此方面中，系统300可包含配备有照明器302及光谱仪304的光谱椭圆偏光计。系统300的照明器302经配置以产生经选择波长范围(例如，150-850nm)的照明且将所述照明引导到安置于样品301的表面上的结构。接着，光谱仪304经配置以接收从样品301的表面反射的照明。进一步注意，使用偏光状态产生器307偏光从照明器302出现的光以产生偏光照明光束306。由安置于样品301上的结构反射的辐射通过偏光状态分析器309且到光谱仪304。关于偏光状态分析由收集光束308中的光谱仪接收的辐射，从而允许通过由分析器传送的辐射的光谱仪的光谱分析。将这些光谱311传送到计算系统330进行结构分析。
[0094]如图18中所描绘，系统300包含单一测量技术(即，SE)。然而，一般来说，系统300可包含任何数目的不同测量技术。通过非限制性实例，系统300可经配置为光谱椭圆偏光计(包含缪勒矩阵椭圆偏光计)、光谱反射计、光谱散射计、重叠散射计、角度分辨光束轮廓反射计、偏光分辨光束轮廓反射计、光束轮廓反射计、光束轮廓偏光计、任何单一或多个波长偏光计或其任何组合。此外，一般来说，通过不同测量技术收集且根据本文中描述的方法分析的测量数据可从多个工具而非整合多个技术的一个工具收集。
[0095]在进一步实施例中，系统300可包含经采用以根据本文中描述的方法基于整合测量模型执行测量的一或多个计算系统330。一或多个计算系统330可通信耦合到光谱仪304。在一个方面中，一或多个计算系统330经配置以接收与样品301的结构的测量相关联的测量数据311。
[0096]在进一步实施例中，一或多个计算系统330经配置以采用实时临界尺寸(RTCD)实时存取模型参数或其可根据本文中描述的方法存取预计算模型的数据库以确定整合测量模型。
[0097]应认识到，贯穿本发明描述的多种步骤可通过单一计算机系统330或替代地多个计算机系统330实施。此外，系统300的不同子系统(例如光谱椭圆偏光计304)可包含适合于实施本文中描述的步骤的至少一部分的计算机系统。因此，不应将前文提及的描述解释为对本发明的限制而仅为说明。此外，一或多个计算系统330可经配置以执行本文中描述的任何方法实施例的任何其它(若干)步骤。
[0098]另外，计算机系统330可按所述技术中已知的任何方式通信耦合到光谱仪304。举例来说，一或多个计算系统330可耦合到与光谱仪304相关联的计算系统。在另一实例中，可通过親合到计算机系统330的单一计算机系统直接控制光谱仪304。
[0099]度量系统300的计算机系统330可经配置以通过可包含有线及/或无线部分的传输媒体从系统的子系统(例如，光谱仪304及类似者)接收及/或获取数据或信息。以此方式，传输媒体可作为计算机系统330及系统300的其它子系统之间的数据链路。
[0100]经整合度量系统300的计算机系统330可经配置以通过可包含有线及/或无线部分的传输媒体从其它系统接收及/或获取数据或信息(例如，测量结果、模型化输入、模型化结果等)。以此方式，传输媒体可作为计算机系统330及其它系统(例如，存储器板上度量系统300、外部存储器、参考测量源320或其它外部系统)之间的数据链路。举例来说，计算系统330可经配置以经由数据链路从存储媒体(即，存储器332或外部存储器)接收测量数据。举例来说，使用光谱仪304获得的光谱结果可存储于永久或半永久存储器装置(例如，存储器332或外部存储器)中。在此方面，光谱结果可从板上存储器或从外部存储器系统输入。此外，计算机系统330可经由传输媒体发送数据到其它系统。举例来说，通过计算机系统330确定的整合测量模型或样品参数340可传达且存储于外部存储器中。在此方面，测量结果可输出到另一系统。
[0101]计算系统330可包含(但不限于)个人计算机系统、主计算机系统、工作站、图像计算机、并行处理器或所述技术中已知的任何其它装置。一般来说，可广泛定义术语“计算系统”以涵盖具有执行来自存储器媒体的指令的一或多个处理器的任何装置。
[0102]可通过例如有线、电缆或无线传输链路的传输媒体传输实施方法(例如本文中描述的所述方法)的程序指令334。举例来说，如图19中所说明，通过总线333将存储于存储器332中的程序指令334传输到处理器331。程序指令334存储于计算机可读媒体(例如，存储器332)中。示范性计算机可读媒体包含只读存储器、随机存取存储器、磁盘或光盘或磁带。
[0103]图19说明适合于通过本发明的度量系统300实施的方法400。在一个方面中，认识到可经由通过计算系统330的一或多个处理器执行的预编程算法而实施方法400的数据处理块。虽然在度量系统300的内容中呈现以下描述，但在本文中认识到度量系统300的特定结构方面不表示限制且应解释为仅为说明性。
[0104]在框401中，通过计算系统(例如，计算系统330)接收一定量的测量数据。使测量数据与通过度量工具(例如，系统300)对目标结构的测量相关联。
[0105]在框402中，基于所述量的测量数据到所述目标结构的整合测量模型的拟合确定表征所述目标结构的一组参数值。所述整合测量模型是基于基于过程的目标模型及基于度量的目标模型。
[0106]在框203中，将所述组参数值存储于存储器中。可将所述第二组参数值存储于板上测量系统300 (例如)存储器332中或可将所述第二组参数值(例如，经由输出信号340)传达到外部存储器装置。
[0107]图20说明适合于通过本发明的度量系统300实施的方法500。在一个方面中，认识到可经由通过计算系统330的一或多个处理器执行的预编程算法而实施方法500的数据处理块。虽然在度量系统500的内容中呈现以下描述，但在本文中认识到度量系统500的特定结构方面不表示限制且应解释为仅为说明性。
[0108]在框501中，通过计算系统(例如，计算系统330)接收一定量的测量数据。使测量数据与通过度量工具(例如，系统300)对目标结构的测量相关联。
[0109]在框502中，基于所述量的测量数据及所述目标结构的经整合测量模型确定表征用以产生所述目标结构的过程的一或多个过程参数值。
[0110]在框503中，将所述一或多个过程参数值存储于存储器中。可将参数值存储于板上测量系统300 (例如)存储器332中或可将参数值(例如，经由输出信号340)传达到外部存储器装置。
[0111]一般来说，本文中描述的系统及方法可作为为了脱机或工具上测量准备经整合测量模型的过程的部分实施。另外，测量模型及任何预参数化测量模型两者可描述一或多个目标结构及测量位置。
[0112]如本文中所描述，术语“临界尺寸”包含结构的任何临界尺寸(例如，底部临界尺寸、中部临界尺寸、顶部临界尺寸、侧壁角度、光栅高度等)、任何两个或两个以上结构之间的临界尺寸(例如，两个结构之间的距离)及两个或两个以上结构之间的移位(例如，重叠光栅结构之间的重叠移位等)。结构可包含三维结构、图案化结构、重叠结构等。
[0113]如本文中所描述，术语“临界尺寸应用”或“临界尺寸测量应用”包含任何临界尺寸测量。
[0114]如本文中所描述，术语“度量系统”包含经采用至少部分以在包含例如临界尺寸度量、重叠度量、聚焦/剂量度量及组成度量的测量应用的任何方面中表征样品的任何系统。然而，此类技术术语不限制如本文中描述的术语“度量系统”的范围。另外，度量系统100可经配置以用于图案化晶片及/或未图案化晶片的测量。度量系统可经配置为LED检验工具、边缘检验工具、背侧检验工具、宏观检验工具或多模式检验工具(涉及同时来自一或多个平台的数据)及基于临界尺寸数据从系统参数的校准获益的任何其它度量或检验工具。
[0115]针对可用于处理样品的半导体处理系统(例如，检验系统或光刻系统)在本文中描述多种实施例。在本文中使用术语“样品”以指晶片、分划板(reticle)或可通过所述技术中已知的方法处理(例如，印刷或检验缺陷)的任何其它样品。
[0116]如本文中所使用，术语“晶片” 一般指由半导体或非半导体形成的衬底。实例包含(但不限于)单晶硅、砷化镓及磷化铟。通常可在半导体制造设施中发现及/或制造此类衬底。在一些情况中，晶片可仅包含衬底(即，裸晶片)。替代地，晶片可包含形成于衬底上的一或多层不同材料。形成于晶片上的一或多层可经“图案化”或“未经图案化”。举例来说，晶片可包含具有可重复图案特征的多个裸片。
[0117]“分划板”可为在分划板制造过程的任何阶段处的分划板或可或不可经释放