压线131的栅极导体设置在绝缘基板110上，绝缘基板 110可以由例如透明玻璃或塑料制成。栅极线121包括栅极电极124和宽的端部（未示出）， 宽的端部可例如连接到其它层或外部驱动电路（未示出）。栅极线121可由例如铝基金属 (诸如铝（Al)或铝合金）、例如银基金属（诸如银（Ag)或银合金）、例如铜基金属（诸如铜 (Cu)或铜合金）、例如钼（Mo)基金属（诸如钼（Mo)或钼合金）、铬（Cr)、钽（Ta)、钛（Ti) 以及其它金属制成。在一示范性实施例中，栅极线121可具有包括至少两个导电层的多层 结构，该至少两个导电层可具有不同物理属性。
[0052] 参考电压线131传输恒定参考电压且，更具体地，包括连接到参考电极270的扩展 部分135,从而传输参考电压到参考电极270。参考电压线131可以设置得沿第一方向例如 水平方向（如图1所示）基本平行于栅极线121，且可由与栅极线121相同的材料制成，尽 管其它示范性实施例不限于此。
[0053] 栅极绝缘层140可由例如硅氮化物（SiNx)或硅氧化物（SiOx)制成，设置在栅极 线121和参考电压线131上。栅极绝缘层140可以具有包括至少两个绝缘层的多层结构， 该至少两个绝缘层可具有不同的物理属性。
[0054] 半导体岛154可由例如非晶硅（a-Si)或多晶硅（p-Si)制成，设置在栅极绝缘层 140上。半导体岛154的至少一部分交迭栅极电极124。
[0055] 欧姆接触163和165设置在半导体岛154上。欧姆接触163和165可以例如由诸 如η+氢化非晶硅的材料制成，所述η+氢化非晶硅被掺杂有高浓度的η型杂质诸如磷（P)， 或者欧姆接触163和165可由硅化物制成。欧姆接触163和165可成对设置在相应的半导 体岛154 h〇
[0056] 包括源极电极173的数据线171和包括漏极电极175的数据导体设置在欧姆接触 163和165以及栅极绝缘层140上。
[0057] 数据线171包括连接到例如其它层或外部驱动电路（未示出）的宽的端部（未示 出）。数据线171传输数据信号，并沿第二方向例如垂直方向（如图1所示）延伸，第二方 向基本垂直于第一方向，从而与栅极线121和参考电压线131交叉。在一示范性实施例中， 数据线171和栅极线121可定义像素区域，但其它的示范性实施例不限于此。
[0058] 在一示范性实施例中，数据线171可包括靠近像素区域的中间区域例如中心区域 的第一弯曲部，第一弯曲部包括尖顶（chevron-like)形，例如"V"形，从而基本改善根据一 个或更多示范性实施例的液晶显示器件的透射率。数据线171还可包括连接到第一弯曲部 且与第一弯曲部形成预定角的第二弯曲部。
[0059] 更具体地，例如，在一示范性实施例中，数据线171的第一弯曲部可与配向层的摩 擦方向形成约7度（° )的角。设置在像素区域的中间区域中的第二弯曲部可从第一弯曲 部延伸以与第一弯曲部形成在约7°至约15°范围内的角。
[0060] 源极电极173是数据线171的一部分并沿数据线171设置。漏极电极175沿基本 平行于源极电极173的方向延伸。在一示范性实施例中，漏极电极175可以设置得基本平 行于数据线171，例如沿第二方向。
[0061] 栅极电极124、源极电极173和漏极电极175与半导体岛154 -起形成薄膜晶体管 (TFT)，薄膜晶体管的沟道设置在源极电极173与漏极电极175之间的半导体岛154上。
[0062] 在一示范性实施例中，液晶显示器件还可包括源极电极173以及漏极电极175,其 中源极电极173设置在其上设置数据线171的同一线上，漏极电极175设置得基本平行于 数据线171。因而，可以增大薄膜晶体管的宽度而不扩大数据导体所需的空间，从而实质上 增大了液晶显示器件的开口率。
[0063] 在一示范性实施例中，数据线171和漏极电极175可例如由金属诸如钼（Mo)、铬 (Cr)、钽（Ta)、钛（Ti)、铜（Cu)或者它们的合金/多种合金制成，并可具有包括难熔金属层 (未示出）和低电阻导电层（未示出）的多层结构。在一示范性实施例中，多层结构可以具 有：例如包括铬、钼或其合金/多种合金的下层和铝或其合金的上层的双层；例如包括钛或 其合金的下层和铜或其合金的上层的双层；以及例如包括钼或其合金的下层、铝或其合金 的中间层和钼或其合金的上层的三层。在其它示范性实施例中，数据线171和/或漏极电 极175可以由包括上述材料的各种金属或导体制成。数据线171的宽度可以为约3. 5微米 (μ m) ±0. 75 μ m，但其它示范性实施例不限于此。
[0064] 像素电极191设置在部分漏极电极175和栅极绝缘层140上。
[0065] 像素电极191包括与数据线171的第一弯曲部和第二弯曲部基本平行的一对弯曲 边缘。
[0066] 像素电极191设置在漏极电极175上，交迭部分漏极电极175并连接到漏极电极 175。
[0067] 像素电极191可例如由透明材料诸如多晶、单晶、非晶的铟锡氧化物（ITO)或铟锌 氧化物（IZO)制成。
[0068] 钝化层180设置在数据线171和漏极电极175、暴露的半导体岛154、以及像素电 极191上。钝化层180可例如由无机绝缘体诸如硅氮化物和硅氧化物制成。在另一示范 性实施例中，钝化层180可由有机绝缘体制成且其表面可被平坦化。有机绝缘体可具有光 敏性，有机绝缘体的介电常数可为约4. 0或更小。在一示范性实施例中，钝化层180可具有 双层结构，包括下无机层和上有机层，这实质上改善了绝缘特性并有效保护了半导体岛154 的暴露部分。钝化层180的厚度可超过约5000埃（A )。在另一示范性实施例中，钝化层 180的厚度可在约纖〇〇Λ至约800:0盖的范围。
[0069] 钝化层180可包括暴露数据线171的端部的接触孔（未示出），钝化层180和栅极 绝缘层140包括暴露参考电压线131的扩展部分135的接触孔183和暴露栅极线121的端 部的接触孔（未示出）。
[0070] 参考电极270设置在钝化层180上。参考电极270交迭像素电极191并包括分支 电极271、连接到分支电极271的水平连接部272、以及连接到水平连接部272的垂直连接 部273。参考电极270可例如由透明导电材料诸如多晶、单晶、非晶的ITO或IZO制成。设 置在相邻像素中的参考电极270彼此连接。
[0071] 参考电极270的分支电极271包括第一部分271a (示于图1的指示部分A的虚线 圆中）和第二部分271b (示于图1的指示部分A'的虚线圆中），第一部分271a和第二部分 271b分别基本平行于数据线171的第一弯曲部和第二弯曲部。第一部分271a与配向层的 摩擦方向形成约5°至约10°范围的角。在一示范性实施例中，第一部分271a与配向层的 摩擦方向形成约7°的角。第二部分271b可从第一部分271a延伸，与第一部分271a形成 约7°至约15°范围的角。
[0072] 参考电极270的水平连接部272设置得基本平行于栅极线121且连接到分支电极 271。参考电极270的设置在像素区域的下部上的水平连接部272包括开口部，例如第一开 口 274,第一开口 274暴露形成TFT的栅极电极124、半导体岛154、形成源极电极173的数 据线171、漏极电极175、以及部分参考电压线131。参考电极270的水平连接部272具有沿 参考电压线131的扩展部分135延伸的参考电极扩展部275。设置在相邻像素中的参考电 极270彼此连接。
[0073] 参考电极270的分支电极271还包括第三部分271c (示于指示部分A"的虚线圆 中），第三部分271c连接到参考电极270的水平连接部272,其中第三部分271c可与第一 部分271a形成约7°至约15°范围的角。在一示范性实施例中，参考电极270的分支电极 271的第一部分271a与水平连接部272之间的角（其可为锐角）比第二部分271b与水平 连接部272之间的角（其可为锐角）或第三部分271c与水平连接部272之间的角（其可 为锐角）大在约7°至约15°范围内的角度。参考电极270的垂直连接部273延伸从而交 迭设置在两个相邻像素之间的数据线171，并包括设置在部分数据线171上的第一开口部 274。
[0074] 参考电极270的第一开口部274暴露数据线171的源极电极173部分，且可具有 在约30 μ m至约60 μ m范围内的宽度。
[0075] 参考电极270的扩展部分275通过形成在钝化层180和栅极绝缘层140中的接触 孔183连接到参考电压线131。
[0076] 在参考电压线131和参考电极270通过钝化层180的接触孔183彼此连接的像素 中，像素电极191的与栅极线121相邻的边缘可包括切口 192,切口 192形成在与参考电压 线131的扩展部分135、接触孔183和参考电极270的扩展部分275对应的部分中并围绕参 考电压线131与参考电极270的接触区域的至少一部分。因此，设置在参考电压线131与 参考电极270之间的像素电极191不交迭参考电压线131和参考电极270的接触部分，从 而有效防止了参考电极270与像素电极191之间的短路。
[0077] 在一示范性实施例中，配向层（未示出）可设置在参考电极270和钝化层180上， 配向层可以是水平配向层并沿预定方向摩擦。更具体地，例如，配向层的摩擦方向可与参考 电极270的分支电极的第一部分271a形成在约5°至10°的范围内的角。在另一示范性 实施例中，配向层的摩擦方向可与第一部分271a形成约7°的角。
[0078] 现在将更详细地描述上显示面板200。
[0079] 仍参照图1和图2A、2B，光阻挡构件220设置在绝缘基板210上，绝缘基板210可 例如由透明玻璃或塑料制成。光阻挡构件220也称为黑矩阵220,并防止光泄漏。
[0080] 滤色器230设置在绝缘基板210上。在一示范性实施例中，滤色器230可设置在 光阻挡构件220包围的区域中并可在沿像素电极191的列的垂直方向上延伸。每个滤色器 230可显示多种基色（例如红、绿和蓝）中的一种基色。
[0081] 涂层250设置在滤色器230和光阻挡构件220上。涂层250可由绝缘材料例如有 机绝缘材料制成，并有效防止滤色器230被暴露，且还提供平坦化的平面。在一个或更多示 范性实施例中，可省略涂层250。
[0082] 液晶层3包括具有正介电各向异性的向列液晶材料。液晶层3的液晶分子31被 排列使得液晶分子31的纵轴布置得基本平行于下显示面板100和上显示面板200的平行 面对表面定义的平面，液晶分子31的纵轴的方向从下显示面板100到上显示面板200关于 配向层的摩擦方向螺旋扭转约90 °。
[0083] 像素电极191接收来自漏极电极175的数据电压，参考电极270接收来自参考电 压线131的公共电压。参考电极270连接到接收参考电压的另一参考电极，但是参考电极 270通过参考电压线131接收来自设置于显示区域外的参考电压施加单元（未示出）的参 考电压，以防止在显示区域中的电压降。
[0084] 接收数据电压的像素电极191和接收公共电压的参考电极270产生电场，由此设 置在像素电极191与参考电极270之间的液晶层3的液晶分子31旋转到与电场方向基本平 行的方向上。如上