再次参照图8和图10,设置在彼此相邻设置的像素中的参考电极270通过第二连 接部273彼此连接，第二连接部273交迭部分数据线171。数据线171的交迭第二连接部 273的部分的长度基本上小于数据线171的设置在一个像素区域中的整个长度。
[0152] 参考电极270通过形成在钝化层180和栅极绝缘层140上的接触孔183连接到参 考电压线131。
[0153] 在一示范性实施例中，配向层（未示出）设置在参考电极270和钝化层180上，配 向层可以是水平配向层并在预定方向上摩擦。配向层的摩擦方向可与参考电极270的分支 电极的第一部分271a延伸的方向形成约10°的角。
[0154] 现在将更详细地描述上显示面板200。
[0155] 光阻挡构件220设置在绝缘基板210上，绝缘基板210可例如由透明玻璃或塑料 制成。亦被称作黑矩阵的光阻挡构件220防止光泄露。
[0156] 滤色器230设置在绝缘基板210上。滤色器230可设置为交迭被光阻挡构件220 包围的区域并沿顺着像素电极191的列的基本垂直的方向延伸。每个滤色器230可以显示 三种基色中的一种基色（例如红、绿和蓝之一）。
[0157] 涂层250设置在滤色器230和光阻挡构件220上。涂层250可由绝缘材料例如有 机绝缘材料制成，防止滤色器230的暴露并提供平坦平面。在一个或多个示范性实施例中， 可以省略涂层250。
[0158] 液晶层3包括具有正介电各向异性的向列液晶材料。液晶层3的液晶分子31具 有以下结构，其中纵轴的方向布置为平行于由下显示面板100和上显示面板200的平行表 面定义的平面，并从下显示面板100的配向层的摩擦方向到上显示面板200螺旋扭转90°。
[0159] 像素电极191接收来自漏极电极175的数据电压，参考电极270接收来自参考电 压线131的预定参考电压。
[0160] 接收数据电压的像素电极191和接收公共电压的参考电极270产生电场，从而设 置在像素电极191与参考电极270之间的液晶层3的液晶分子31旋转到与电场方向平行 的方向上。如上所述，透过液晶层的光的偏振根据其中产生电场时液晶分子的旋转方向而 改变。
[0161] 如上所述，液晶显示器件的液晶层3的液晶分子31对应于参考电极270的分支电 极271的边缘与像素电极191之间产生的电场而旋转。在一示范性实施例中，由于配向层 被摩擦使得液晶分子31被预倾斜在预定角度并且摩擦角度与参考电极270的分支电极271 形成约7°，所以液晶分子31由此可从预倾斜方向快速旋转到电场方向。
[0162] 在一示范性实施例中，液晶显示器件的像素电极191设置在栅极绝缘层140和钝 化层180之间并交迭部分漏极电极175从而连接到漏极电极175。因而，开口率可以大于常 规液晶显示器件的开口率，在常规液晶显示器件中像素电极和漏极电极通过接触孔连接。
[0163] 在一示范性实施例中，连接到参考电极270的分支电极271的第一连接部分272 设置为平行于数据线171，从而增大了液晶显示器件的开口率，同时实质上减少了像素电极 191与数据线171之间的寄生电容。
[0164] 现在将参照图10更详细地描述根据一个或多个示范性实施例的数据线171、参考 电极270和像素电极191之间的关系。
[0165] 如图10所示，液晶显示器件包括：设置在栅极绝缘层140上的像素电极191和数 据线171，其间有第一间隔；钝化层180,设置在数据线171和像素电极191上；以及参考电 极270,包括分支电极271和水平/第一连接部272,设置在钝化层180上，距数据线171第 二间隔。
[0166] 在一示范性实施例中，像素电极191与数据线171之间的第一间隔大于参考电极 270与数据线171之间的第二间隔。
[0167] 在一示范性实施例中，液晶显示器件包括参考电极270,参考电极270设置在钝化 层180上并包括分支电极271和连接到分支电极271的连接部272,使得部分连接部272交 迭像素电极191和数据线171之间的第一间隔。
[0168] 在一示范性实施例中，像素电极191与数据线171之间的第一间隔与连接部272 的交迭部分设置为邻近不显示图像的数据线171。
[0169] 因而，实质上减小了数据线171与参考电极270之间的寄生电容或者数据线171 与像素电极191之间的寄生电容，同时显著增大了液晶显示器件的开口率。
[0170] 现在将参照图12和图13更详细地描述液晶显示器件的另一示范性实施例。图 12是根据本发明的液晶显示器件的另一示范性实施例的平面图，图13是沿图12的线 XIII-XIII截取的局部横截面图。
[0171] 图12和图13中示出的液晶显示器件的示范性实施例与图8至图10中示出的液 晶显示器件的示范性实施例基本相同，除了屏蔽电极88之外。图12和图13中示出的相同 或相似的元件已经用与以上用来描述图8至图10所示的液晶显示器件的示范性实施例的 附图标记相同的附图标记来标识，在下文将省略或简化对其的任何重复的详细描述。
[0172] 在一示范性实施例中，液晶显示器件还包括设置在数据线171下面的屏蔽电极 88,如图12和图13所示。屏蔽电极88可以设置在与包括栅极导体的层相同的层中，并可 被电浮置。在一示范性实施例中，屏蔽电极88的宽度可大于数据线171或半导体条带151 的宽度。
[0173] 屏蔽电极88有效防止了光进入设置于数据线171之下的半导体条带151，由此有 效防止了光引起的半导体条带151的不期望激活（activation)。
[0174] 现在将参照图14更详细地描述另一示范性实施例，图14是根据本发明的液晶显 示器件的另一示范性实施例的平面图。
[0175] 图14的液晶显示器件的结构与图8至图10中的液晶显示器件的结构基本相同， 除了参考电压线131之外。图14中示出的相同或相似的元件已经用与以上用来描述图8 至图10所示的液晶显示器件的示范性实施例的附图标记相同的附图标记来标识，在下文 将省略或简化对其的任何重复的详细描述。
[0176] 如图14所示，参考电压线131设置在液晶显示器件的像素区域的中间。在一示范 性实施例中，参考电压线131的扩展部分135设置在像素区域的中央，参考电极的扩展部分 设置在像素区域的中央。
[0177] 在一示范性实施例中，由于像素的像素电极191可具有形成在其中部的切口 192， 所以像素电极191不交迭参考电压线131的扩展部分135、接触孔183和参考电极270的扩 展部分275。因而，设置在参考电压线131与参考电极270之间的像素电极191不交迭参考 电压线131与参考电极270的接触区域，从而有效防止了参考电极270与像素电极191之 间的短路。
[0178] 现在将参照图15更详细地描述另一示范性实施例，图15是根据本发明的液晶显 示器件的另一示范性实施例的平面图。
[0179] 图15的液晶显示器件与图8至图10中的液晶显示器件基本相同，除了参考电压 线131之外。图15中示出的相同或相似的元件已经用与以上用来描述图8至图10所示的 液晶显示器件的示范性实施例的附图标记相同的附图标记来标识，在下文将省略或简化对 其的任何重复的详细描述。
[0180] 如图15所示，包括栅极电极124的栅极线121和参考电压线131设置在绝缘基板 110上，栅极绝缘层140设置在栅极线121和参考电压线131上，半导体岛154、欧姆接触 163和165设置在栅极绝缘层140上，包括源极电极173的数据线171和漏极电极175设 置在栅极绝缘层140以及欧姆接触163和165上。像素电极191设置在栅极绝缘层140和 部分漏极电极175上，具有接触孔183的钝化层180设置在像素电极191、数据线171、漏极 电极175和暴露的半导体岛154上。包括分支电极271的参考电极270设置在钝化层180 上，交迭像素电极191。
[0181] 再次参照图15,在一示范性实施例中，数据线171可包括具有尖顶形例如"V"形的 第一弯曲部并可以设置在像素区域的中间区域以获得液晶显示器件的最大透射率。像素区 域的中间区域还可以包括第二弯曲部，第二弯曲部从第一弯曲部延伸且与第一弯曲部形成 预定角。数据线171的第一弯曲部可以与配向层的摩擦方向形成在约5°至约10°范围内 的角度，例如约7°。第二弯曲部可以设置为邻近像素区域的中间区域并与第一弯曲部形成 在约7°至约15°的范围内的角。
[0182] 此外，参考电极270的分支电极271包括基本平行于数据线171的第一弯曲部 的第一部分271a(在部分A示出）和基本平行于数据线171的第二弯曲部的第二部分 271b(在部分A'示出）。第一部分271a可以与配向层的摩擦方向形成约7°的角，第二部 分271b可以与第一部分271a形成在约7°至约15°的范围内的角。
[0183] 现在将参照图16和图17更详细地描述另一示范性实施例，图16是根据本发明的 液晶显示器件的另一示范性实施例的平面图，图17是沿图16的线XVII-XVII截取的局部 横截面图。
[0184] 图16和图17中不出的液晶显不器件与图1、图2A和2B中的液晶显不器件基本相 同，除了钝化层180之外。图16和图17中示出的相同或相似的元件已经用与以上用来描 述图1、图2A和2B所示的液晶显示器件的示范性实施例的附图标记相同的附图标记来标 识，在下文将省略或简化对其的任何重复的详细描述。
[0185] 如图16和图17所示，包括栅极电极124的栅极线121和参考电压线131设置在 绝缘基板110上，栅极绝缘层140设置在栅极线121和参考电压线131上，半导体岛154、欧 姆接触163和165设置在栅极绝缘层140上，包括源极电极173的数据线171和漏极电极 175设置在栅极绝缘层140和欧姆接触163和165上。像素电极191设置在栅极绝缘层140 和部分漏极电极175上。像素电极191的厚度可以在约400A至约500人的范围内。具有 接触孔183的钝化层180设置在像素电极191、数据线171、漏极电极175和暴露的半导体 岛154上。包括分支电极271的参考电极270设置在钝化层180上，交迭像素电极191。
[0186] 如图17所示，液晶显示器件包括具有双层结构的钝化层180,该双层结构包括第 一钝化层180p和第二钝化层180q。
[0187] 第一钝化层180p和第二钝化层180q可具有不同的折射率。具体地，第一钝化层 180p的折射率可以在约1. 4至约1. 6的范围内，第二钝化层180q的折射率可以在约1. 6至 约2. 2的范围内。第一钝化层180p和第二钝化层180q可以由无机绝缘体制成，例如SiNx 或SiOx。在一示范性实施例中，第一钝化层180p和第二钝化层180q可以由相同的无机材 料制成，或者可以由不同的无机材料制成。在一示范性实施例中，钝化层180的厚度可以在 约5500A至约6500A的范围内，而钝化层180的第一钝化层180p和第二钝化层180q的 厚度可以在约2800人至约3200A的范围内。
[0188] 通过调整在化学气相沉积（CVD)工艺的一示范性实施例中使用的氮气（N2)的压 强和流速来控制第一钝化层180p和第二钝化层180q的折射率，化学气