的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对 本发明进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并 不用于限定本发明。此外，下面所描述的本发明各个实施方式中所涉及到的技术特征只要 彼此之间未构成冲突就可以相互组合。
[0028] 如图1所示，本发明实施例中的小型化器件用单模光纤，包括有芯层和包层，芯层 〇〇由掺锗（Ge)和氟（F)的石英玻璃组成；围绕在芯层的是包层。包层有三个分层，第一分 层31紧密围绕芯层，由掺氟（F)的石英玻璃组成，直径D31为12 μ m~15 μ m ;第二分层32 紧密围绕第一分层31，直径D32为15 μπι~17 μπι;第三分层为纯二氧化硅石英玻璃层，即 其相对折射率Α33为0%，直径D33为79μπι~81μπι。紧密围绕包层的是聚合物涂层，该 涂层为光纤玻璃部分提供保护，涂层的外直径为160 μ m~170 μ m。本发明实施例中，芯层、 包层的第一分层、第一分层以及第三分层的直径，以及各个分层的相对折射率如图2所示。
[0029] 按照上述单模光纤的技术方案，在其所规定的范围内对光纤的参数进行设计， 并通过我们熟知的PCVD工艺、MCVD工艺、OVD工艺或VAD工艺等芯棒制造工艺来根据光 纤的设计要求制造芯棒，通过套管工艺、POD工艺（等离子体外喷工艺，plasma outside exposition)、0VD工艺或VAD工艺等外包工艺来完成整个预制棒的制造。PCVD工艺和POD 工艺在进行高浓度的掺氟（F)时，具有一定的优势。
[0030] 所拉光纤的折射率剖面使用PK2400设备进行测试。光纤的折射率剖面的主要参 数如表1所示。
[0031] 表1 :光纤的结构参数
[0032]
[0033] 所拉制光纤的主要性能参数如表2所示。
[0034] 表2 :光纤的主要性能
[0035]
[0037] 从实施例可以看出：1.芯层掺Ge浓度对光纤的抗弯曲能力和衰减会产生影响，适 当提尚芯层惨Ge的浓度，可以提尚光纤的抗弯曲性能。然而，过尚浓度的Ge惨杂，会引起 芯层材散射损耗的增加，同时，对制造成本和工艺难度也有一定的影响；2.包层中的掺F二 氧化硅石英玻璃分层，其宽度将改变光纤的材料结构和应力分布，同时，会对光纤的波导性 能产生影响。折射率下陷的掺F分层对光纤的抗弯曲性能的提高有积极的作用。其宽度或 者深度的增加都将进一步的改善光纤的弯曲性能，然而，宽度和深度的增加也意味着成本 和工艺难度的增加。在满足一定弯曲要求的前提条件下，需要找到合适的宽度和深度的结 构参数。3.第二包层的掺锗二氧化硅石英玻璃分层，与第一包层的掺氟二氧化硅石英玻璃 分层共同构成一个陷阱区域，阻挡了光学能量的外泄，提高了抗微弯能力。
[0038] 测试结果表明，按照本发明的技术方案所制造的光纤，截止波长在 1300nm-1460nm，在 1550nm 工作波长，其 MFD 为 7. 0 μ m-7. 6 μ m，光纤衰减小于 0· 26dB/km， 宏弯损耗小于0. 03dB/ (Φ 10mm25圈），宏弯损耗小于0. 03dB/ (Φ 15mm400圈）。
[0039] 本发明单模光纤具有较好的抗弯曲性能，可在水听器中使用。
[0040] 本领域的技术人员容易理解，以上所述仅为本发明的较佳实施例而已，并不用以 限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含 在本发明的保护范围之内。
【主权项】
1. 一种小型化器件用单模光纤，包括有芯层和包层，其特征在于，芯层为掺锗（Ge)和 氟（F)的的二氧化娃（SiO 2)石英玻璃，芯层的直径Dcore为6. 5 ym至7. 5 ym，芯层的相对 折射率Al的范围为0.70 %至0.75 % ;包层有3个分层，由内到外依次为第一分层、第二 分层，第三分层，其中第一分层为掺氟二氧化娃石英玻璃，第二分层为掺锗二氧化娃石英玻 璃，第三分层为纯二氧化硅石英玻璃层。2. 如权利要求1所述的单模光纤，其特征在于，所述第一分层紧密环绕芯层，该分层的 相对折射率A 31与芯层的相对折射率Al之差为0.89%兰A I-A 31兰0.99%，A 31的 范围为-0.18%至-0.22%，该分层的直径031为12^111至15 11111。3. 如权利要求1或2所述的单模光纤，其特征在于，第二分层紧密环绕第一分层，该分 层的相对折射率A32的范围为0%至0. 1%，该分层的直径D32为15ym至17ym。4. 如权利要求1或2所述的单模光纤，其特征在于，所述第三分层的相对折射率A 33 为0%，该分层的直径D33为79 y m至81 y m。5. 如权利要求1或2所述的单模光纤，其特征在于，在包层外有一层紧密围绕包层的聚 合物涂层，聚合物涂层的直径为160 y m至170 y m。6. 如权利要求1或2所述的单模光纤，其特征在于，该单模光纤的截止波长为1300nm 至 1460nm〇7. 如权利要求1或2所述的单模光纤，其特征在于，所述单模光纤的的MFD在1550nm 波长时为7. 0 y m_7. 6 y m。8. 如权利要求1或2所述的单模光纤，其特征在于，所述单模光纤的衰减在1550nm波 长时小于0. 26dB/km。9. 如权利要求1或2所述的单模光纤，其特征在于，所述单模光纤的宏弯损耗在 1550nm 波长时小于 0. 02dB(? 10mm25 圈）。10. 如权利要求1或2所述的单模光纤，其特征在于，所述单模光纤的宏弯损耗在 1550nm 波长时小于 0. 03dB (C> 15mm400 圈）。
【专利摘要】本发明公开了一种小型化器件用单模光纤，包括有芯层和包层，芯层为掺锗(Ge)和氟(F)的二氧化硅(SiO2)石英玻璃，芯层的直径Dcore为6.5μm至7.5μm，芯层的相对折射率Δ1的范围为0.70％至0.75％；包层有3个分层，由内到外依次为第一分层、第二分层，第三分层，其中第一分层为掺氟二氧化硅石英玻璃，第二分层为掺锗二氧化硅石英玻璃，第三分层为纯二氧化硅石英玻璃层；包层的直径Dclad为79μm至81μm。本发明光纤的截止波长为1300nm-1460nm，工作波长范围为1550nm，其MFD为7.0μm-7.6μm，光纤衰减小于0.26dB/km(在1550nm)。本发明光纤具有80μm包层直径和165μm涂层直径，可较好满足器件小型化的需求。具有较好的抗弯曲性能，其宏弯损耗小于0.02dB/(Φ10mm25圈)；绕成小尺寸器件时具有良好的抗弯曲性能，其宏弯损耗小于0.03dB/(Φ15mm400圈)。
【IPC分类】G02B6/036
【公开号】CN105137534
【申请号】CN201510598968
【发明人】曹蓓蓓, 王忠太, 王玉
【申请人】长飞光纤光缆股份有限公司
【公开日】2015年12月9日
【申请日】2015年9月18日