一种su8列阵式微反应池的制备方法
【技术领域】
[0001]本发明属于光纤加工技术领域，具体涉及一种SU8列阵式微反应池的制备方法。
【背景技术】
[0002]SU8材料是1995年由IBM公司开发出来的负性环氧胶，具有很高的紫外光敏特性，在制作塑性机械结构、微流体器件、微通道结构等MEMS方面获得了广泛的应用。SU8是由双酚A型环氧树脂溶解于γ- 丁内酯而形成的有机聚合胶体，阴平郡一个分子中汉以后8个环氧树脂得名。除了主体树脂外，SU8还含有光引发剂、添加剂和溶剂等成分。SU8焦磷过程主要分为两步:(I)SUS中的光引发剂吸收光子，发生化学反应生成酸性催化剂；(2)酸性催化剂在热能的辅助作用下催化分子间环氧基反应，形成致密交联网络。
[0003]SU8胶光刻技术是一种精密的微细加工技术，主要由涂胶、曝光、显影等步骤组成。涂胶后光刻胶膜的厚度、均匀性及与基片的粘附性直接关系到后继加工的质量。SU8加工工艺简单，重复性好，生物兼容性好，易在硅、玻璃、陶瓷等衬底上形成阵列结构，并且SU8包括丰富的环氧基，化学性质活泼反应型强，可在温和调价下与多种基团发生亲核开环反应，可在不影响生物活性的条件下与多种生物分子共价结合，能够有效的增加官能团效率。传统的芯片材料曝光均匀性差，SU8的曝光均匀性好，可制作高深宽比结构，并可以通过化学修饰形成超疏水表面，减小使用过程中的摩擦力，增强其磨损耐用性，具有良好的机械性能、较低的杨氏模量和较好的金属层粘附性。
[0004]相对于传统的硅材料，SU8的杨氏模量较低，实现了高灵敏生物监测。SU8微悬臂梁在一定PH溶液中性质稳定，适合多种样品检测，可以进行DNA、蛋白质、抗原等生物探针分子的检测。但是SU8制作过程的胶边以及应力等问题极大地影响了其工艺重复性以及成品率。现有技术中的反应池之间的光学隔离度小，相邻微反应池之间的光学串扰明显，在测序反应中，会由此导致信号误读问题，急需新方法解决。本申请中匀胶方法中加速度和速度的设定，能够改进SU8薄膜的均匀性。普通匀胶过程得到的SU8薄膜存在胶边，并且其终止过程的加速度对SU8薄膜产生较大扭力，造成了中心漩涡，严重的影响SU8薄膜厚度的均一性。所以，急需新方法以上解决。
【发明内容】
[0005]本发明的一个目的是一种SU8列阵式微反应池的制备方法，包括以下步骤:
(I)甩胶:
1)将光刻胶滴加到光纤面板中心；
2)将光纤面板以恒定加速度从静止加速到600rpm/min，持续25_30s;
3)以恒定加速度加速到1800rpm/min，持续13_15s ；
4)以恒定加速度加速到2000rpm/min，持续35_40s ；
5)以恒定加速度加速到2200rpm/min，持续30_40s ；
6)以恒定减速度降速到800rpm/min，持续15s ； 7)逐步降速，终止甩胶；
(2)前烘:将悬涂有SU8薄膜的光纤面板放置在热板上前烘；
(3)曝光:采用紫外光曝光；
(4)后烘:将曝光后的光纤面板放置在热板上后烘；
(5)降温:放入氦气柜中降至室温；
(6)显影:使用显影液显影；
(7)甩干。
[0006]所述步骤②加速到600rpm/min的加速度为500-600rpm/min2;步骤③加速到1800rpm/min的加速度为4000rpm/min2;步骤④和⑤的加速度为1000-3000rpm/min 步骤⑥的减速度为300 rpm/min2 ο
[0007]所述前烘分为两个阶段:第一阶段为60°C，7-8min，第二阶段为90°C，8-lOmin。
[0008]所述紫外光为365nm，曝光剂量为155mJ/cm2，曝光时间为6min。
[0009]所述后烘分为两个阶段:70°C，40-50s，90°C，7_8min。
[0010]所述降温放入氦气柜中。
[0011]所述显影液使用⑶-26，显影4min。
[0012]所述用干为速度3000rpm/s，30s。
[0013]本发明可应用于制备测序芯片，并通过在SU8阵列式微反应池侧壁上选择性蒸镀光学薄膜，采用的光纤面板具有传输效率高、耦合损失小的特点。有效提高了微反应池之间的光学隔离度，降低了相邻微反应池阵列之间的光学串扰，有效解决了测序反应中由此导致的信号误读问题。同时，提高了工艺重复率以及成品率。
【具体实施方式】
[0014]实施例1
本发明的一个目的是一种SU8列阵式微反应池的制备方法，包括以下步骤:
(1)甩胶:
1)将光刻胶滴加到光纤面板中心；
2)将光纤面板以加速度500rpm/min2从静止加速到600rpm/min，持续25s；
3)以加速度4000rpm/min2加速到 1800 rpm/min，持续 15s ；
4)以加速度3000 rpm/min2加速到 2000 rpm/min，持续 35s ；
5)以加速度1000 rpm/min2加速到 2200 rpm/min，持续 40s ；
6)以减速度300 rpm/min2降速到 800 rpm/min，持续 15s ；
7)逐步降速，终止甩胶；
(2)前烘:将悬涂有SU8薄膜的光纤面板放置在热板上前烘，第一阶段为60°C，7min，第二阶段为 90°C，1min ；
(3)曝光:采用365nm紫外光曝光，曝光剂量为155mJ/cm2，曝光时间为6min；
(4)后烘:将曝光后的光纤面板放置在热板上后烘，第一阶段为7(TC，40s，第二阶段为90 °C，8min ；
(5)降温:放入氦气柜中降至室温；
(6)显影:使用CD-26，显影4min； (7)用干，速度 3000rpm/s，30s。
[0015]实施例2
(1)甩胶:
1)将光刻胶滴加到光纤面板中心；
2)将光纤面板以加速度600rpm/min2从静止加速到600rpm/min，持续30s；
3)以加速度4000rpm/min2加速到 1800 rpm/min，持续 13s ；
4)以加速度2000 rpm/min2加速到 2000 rpm/min，持续 40s ；
5)以加速度3000 rpm/min2加速到 2200 rpm/min，持续 30s ；
6)以减速度300 rpm/min2降速到 800 rpm/min，持续 15s ；
7)逐步降速，终止甩胶；
(2)前烘:将悬涂有SU8薄膜的光纤面板放置在热板上前烘，第一阶段为60°C，8min，第二阶段为 90°C，8min ；
(3)曝光:采用365nm紫外光曝光，曝光剂量为155mJ/cm2，曝光时间为6min；
(4)后烘:将曝光后的光纤面板放置在热板上后烘，第一阶段为7(TC，40s，第二阶段为90 °C，8min ；
(5)降温:放入氦气柜中降至室温；
(6)显影:使用CD-26，显影4min；
(7)用干，速度3000rpm/s，30s。
[0016]实施例3
(1)甩胶:
1)将光刻胶滴加到光纤面板中心；
2)将光纤面板以加速度550rpm/min2从静止加速到600rpm/min，持续28s；
3)以加速度4000rpm/min2加速到 1800 rpm/min，持续 14s ；
4)以加速度2500 rpm/min2加速到 2000 rpm/min，持续 36s ；
5)以加速度1500 rpm/min2加速至Ij 2200 rpm/min，持续 38s ；
6)以减速度300 rpm/min2降速到 800 rpm/min，持续 15s ；
7)逐步降速，终止甩胶；
(2)前烘:将悬涂有SU8薄膜的光纤面板放置在热板上前烘，第一阶段为60°C，7.5min，第二阶段为90°C，9min ;
(3)曝光:采用365nm紫外光曝光，曝光剂量为155mJ/cm2，曝光时间为6min；
(4)后烘:将曝光后的光纤面板放置在热板上后烘，第一阶段为7(TC，40s，第二阶段为90 °C，8min ；
(5)降温:放入氦气柜中降至室温；
(6)显影:使用CD-26，显影4min；
(7)用干，速度3000rpm/s，30s。
[0017]实施例4 (I)甩胶:
1)将光刻胶滴加到光纤面板中心；
2)将光纤面板以加速度580rpm/min2从静止加速到600rpm/min，持续29s； 3)以加速度4000rpm/min2加速到 1800 rpm/min，持续 15s ；
4)以加速度2000 rpm/min2加速到 2000 rpm/min，持续 37s ；
5)以加速度3000 rpm/min2加速到 2200 rpm/min，持续 38s ；
6)以减速度300 rpm/min2降速到 800 rpm/min，持续 15s ；
7)逐步降速，终止甩胶；
(2)前烘:将悬涂有SU8薄膜的光纤面板放置在热板上前烘，第一阶段为60°C，8min，第二阶段为 90。。，8.5min ；
(3)曝光:采用365nm紫外光曝光，曝光剂量为155mJ/cm2，曝光时间为6min；
(4)后烘:将曝光后的光纤面板放置在热板上后烘，第一阶段为7(TC，40s，第二阶段为90 °C，8min ；
(5)降温:放入氦气柜中降至室温；
(6)显影:使用CD-26，显影4min；
(7)用干，速度3000rpm/s，30s。
[0018]上述详细说明是针对本发明其中之一可行实施例的具体说明，该实施例并非用以限制本发明的专利范围，凡未脱离本发明所为的等效实施或变更，均应包含于本发明技术方案的范围内。
【主权项】
1.一种SU8列阵式微反应池的制备方法，其特征在于，包括以下步骤: (1)甩胶: 1)将光刻胶滴加到光纤面板中心； 2)将光纤面板以恒定加速度从静止加速到600rpm/min，持续25_30s; 3)以恒定加速度加速到1800rpm/min，持续13_15s ； 4)以恒定加速度加速到2000rpm/min，持续35_40s ； 5)以恒定加速度加速到2200rpm/min，持续30_40s ； 6)以恒定减速度降速到800rpm/min，持续15s ； 7)逐步降速，终止甩胶； (2)前烘:将悬涂有SU8薄膜的光纤面板放置在热板上前烘； (3)曝光:采用紫外光曝光； (4)后烘:将曝光后的光纤面板放置在热板上后烘； (5)降温:放入氦气柜中降至室温； (6)显影:使用显影液显影； (7)甩干。2.如权利要求1所述的光刻胶的匀胶方法，其特征在于，所述步骤②加速到600rpm/min的加速度为500-600rpm/min2;步骤③加速到1800 rpm/min的加速度为4000rpm/min 2；步骤④和⑤的加速度为1000-3000rpm/min2;步骤⑥的减速度为300 rpm/min 203.如权利要求1所述的SU8列阵式微反应池的制备方法，其特征在于，所述前烘分别两个阶段:第一阶段为60°C，7-8min，第二阶段为90°C，S-1Omin04.如权利要求1所述的SU8列阵式微反应池的制备方法，其特征在于，所述紫外光为365nm，曝光剂量为155mJ/cm2，曝光时间为6min。5.如权利要求1所述的SU8列阵式微反应池的制备方法，其特征在于，所述后烘分别两个阶段:70°C, 40-50s,90°C，7_8min。6.如权利要求1所述的SU8列阵式微反应池的制备方法，其特征在于，所述降温放入氦气柜中。7.如权利要求1所述的SU8列阵式微反应池的制备方法，其特征在于，所述显影液使用CD-26，显影 4min。8.如权利要求1所述的SU8列阵式微反应池的制备方法，其特征在于，所述甩干为速度3000rpm/s,30s。
【专利摘要】本发明公开了一种SU8列阵式微反应池的制备方法。包括以下步骤：（1）甩胶：（2）前烘：将悬涂有SU8薄膜的光纤面板放置在热板上前烘；（3）曝光：采用紫外光曝光；（4）后烘：将曝光后的光纤面板放置在热板上后烘；（5）降温：放入氦气柜中降至室温；（6）显影：使用显影液显影；（7）甩干。本发明制备的微反应池有效提高了微反应池之间的光学隔离度。
【IPC分类】G03F7/00
【公开号】CN105204290
【申请号】CN201510521819
【发明人】陈哲, 张睿, 王者馥, 王绪敏, 殷金龙, 任鲁风
【申请人】北京中科紫鑫科技有限责任公司
【公开日】2015年12月30日
【申请日】2015年8月24日