的损伤。可是，在基板14的光出射侧的成膜并非必须并且在低温成膜或由应力调整进行的成膜的情况下，只要有光入射侧的结构就可以了。还有，各层多晶硅层(特别是构成第2层叠体40的多晶硅层42)是通过由退火来使非晶硅多晶化从而被形成的。另外，第2反射镜的氮化硅层43优选进行低应力化(减弱拉伸应力)。
[0070]在法布里-珀罗干涉滤光片10A中，第1反射镜31与第2反射镜41之间的空隙S是经过由氟酸气体通过贯通孔40b对由氧化硅构成牺牲层16实施蚀刻来进行形成的，但是通过用多晶硅层32，42和氮化硅层33，43来构成第1反射镜31以及第2反射镜41，从而由牺牲层16的蚀刻而同时蚀刻第1反射镜31以及第2反射镜41，这样就不会发生劣化。因此，第1反射镜31以及第2反射镜41的劣化防止对策就不需要了，并且变得容易量产。
[0071][第2实施方式]
[0072]如图6所示，法布里-珀罗干涉滤光片10B主要是在不形成沟槽27这一点上与以上所述的法布里-珀罗干涉滤光片10A有所不同。通过不形成沟槽27从而成为第1电极17与在多晶硅层32c中的第1电极17的内侧的区域电连接。由此，因为在多晶硅层32c中的第1电极17的内侧的区域与第3电极19之间也产生电位差并发生静电力，所以为了第1反射镜31与第2反射镜41的距离，能够降低施加于第1电极17与第3电极19之间的电压。
[0073]可是，氮化硅与氟酸气体发生反应并且产生残渣是为人们所知的(B.Du BOIS, HFETCHING OF S1-OXIDES AND S1-NITRIDES FOR SURFACE MICROMACHINING, SensorTechnology 2001，Proceedings of the Sensor Technology Conference 2001，held inEnschede, The Netherlands, 14_15May，2001，ppl31_136) 0 根据法布里 ~ 拍罗干涉滤光片10B，因为在由氟酸气体来蚀刻牺牲层16的时候，在第1反射镜31上没有氮化硅层露出的部分，所以能够抑制产生干涉到第2反射镜41的驱动并阻碍该驱动的残渣。
[0074][第3实施方式]
[0075]如图7所示，法布里-珀罗干涉滤光片10C主要是在将开口 30b设置于第1层叠体30的多晶硅层32c以及氮化硅层33b这一点上与以上所述的法布里-珀罗干涉滤光片10A有所不同。开口 30b以包含光透过区域11的形式被设置，例如能够由蚀刻来形成。第2电极18在被设置于第1反射镜31的开口 30b (凹部)内露出于空隙。第2反射镜41在不施加电压的状态下与第1反射镜31的相对方向D上的距离成为恒定，在对应于开口 30b的区域中多晶硅层32c以及氮化硅层33b的总厚度成为凹陷到第1反射镜31侧的形状。
[0076]在法布里-珀罗干涉滤光片10C中，第1反射镜31因为由于没有多晶硅层32c以及氮化娃层33b这2层而成为多晶娃层32a和氮化娃层33a以及多晶娃层32b这3层，所以第2反射镜41也被构成为对应此的3层。如果像这样第2反射镜41的层数减少，则通过弹簧常数变小从而第2反射镜41的驱动变得容易了，并且能够降低驱动所需要的电压。
[0077]另外，在法布里-珀罗干涉滤光片10C中，在蚀刻牺牲层16的时候从氮化硅层33b的露出于开口 30b的部分有可能发生残渣。但是，因为该露出部分不超过氮化硅层33b的膜厚，所以与第1实施方式的法布里-珀罗干涉滤光片10A相比较相对能够抑制残渣的发生。
[0078]以上已就本发明的优选的实施方式作了说明，但是本发明并不限定于以上所述的实施方式。例如，第2电极18也可以在第1反射镜31和第2反射镜41进行相对的相对方向D上相对于第1电极17位于第3电极19的一侧。另外，第2反射镜41被配置于基板14的一方侧，第1反射镜31也可以经由空隙S被配置于第2反射镜41的一方侧。另外，在开口 30b(凹部)被设置于第1反射镜31的情况下，在开口 30b内例如形成绝缘层，第2电极18也可以以由该绝缘层而与空隙S隔离的形式被配置。再有，以材料和形状以及尺寸为一个例子，例如法布里-珀罗干涉滤光片所具备的基板的材料如果是相对于测定光具有透过性的材料的话即可。
[0079]另外，构成第1层叠体30的多晶硅层32以及氮化硅层33的层数、构成第2次层叠体40的多晶硅层42以及氮化硅层43的层数并不限定于以上所述的实施方式所表示的层数，对应于法布里-珀罗干涉滤光片所透过的光的波长的分辨率以及适用范围作适当变更是可能的。
[0080]另外，如图2和图6以及图7所示在以上所述的实施方式中光透过区域11为窄于开口 50a的范围，但是本发明并不限定于像这样的形态。例如，在将宽于开口 50a的光作为入射光来进行导入的情况下，开口 50a也可以以划定光透过区域11的形式被处理。
[0081]产业上的利用可能性
[0082]根据本发明能够提供一种能够合适地使具有所希望的波长的光透过的法布里-珀罗干涉滤光片。
[0083]符号说明
[0084]10A, 10B, 10C.法布里-珀罗干涉滤光片
[0085]11.光透过区域
[0086]16.牺牲层
[0087]17.第 1 电极
[0088]18.第 2 电极
[0089]19.第 3 电极
[0090]23.配线
[0091]24.第1配线部
[0092]25.第2配线部
[0093]30.第1层叠体
[0094]31.第1反射镜
[0095]32, 32a, 32b, 32c, 42, 42a, 42b, 42c.多晶硅层
[0096]33, 33a, 33b, 43, 43a, 43b.氮化硅层
[0097]40.第2层叠体
[0098]41.第2反射镜
[0099]50.应力调整层
[0100]S.空隙
【主权项】
1.一种法布里-珀罗干涉滤光片，其特征在于: 具备: 第1反射镜； 经由空隙与所述第1反射镜相对的第2反射镜； 以包围光透过区域的形式被形成于所述第1反射镜的第1电极； 以包含所述光透过区域的形式被形成于所述第1反射镜的第2电极；以及以与所述第1电极以及所述第2电极相对的形式被形成于所述第2反射镜并以同电位与所述第2电极连接的第3电极， 所述第2电极在所述第1反射镜与所述第2反射镜相对的相对方向上相对于所述第1电极位于所述第3电极的一侧或者其相反侧。2.如权利要求1所述的法布里-珀罗干涉滤光片，其特征在于: 所述第2电极在所述相对方向上相对于所述第1电极位于所述第3电极的相反侧。3.如权利要求2所述的法布里-珀罗干涉滤光片，其特征在于: 所述第2电极由构成所述第1反射镜的电介质层而与所述空隙隔离。4.如权利要求2所述的法布里-珀罗干涉滤光片，其特征在于: 所述第2电极在被设置于所述第1反射镜的凹部内露出于所述空隙。5.如权利要求1?4中任意一项所述的法布里-珀罗干涉滤光片，其特征在于: 进一步具备电连接所述第2电极和所述第3电极的配线， 所述配线具有从所述第2电极沿着垂直于所述相对方向的方向延伸至所述第2电极的外侧的第1配线部、从所述第1配线部沿着所述相对方向延伸至第3电极侧的第2配线部。6.如权利要求1?5中任意一项所述的法布里-珀罗干涉滤光片，其特征在于: 进一步具备支撑所述第1反射镜以及所述第2反射镜的基板， 所述第1反射镜被配置于所述基板的一方侧， 所述第2反射镜经由所述空隙被配置于所述第1反射镜的所述一方侧。7.如权利要求1?6中任意一项所述的法布里-珀罗干涉滤光片，其特征在于: 所述第1反射镜以及所述第2反射镜各自具有多晶硅层、氮化硅层， 所述第1电极和所述第2电极以及所述第3电极是杂质被掺杂于所述多晶硅层的区域。8.如权利要求7所述的法布里-珀罗干涉滤光片，其特征在于: 所述多晶硅层是非晶硅由退火处理而被多晶化的多晶硅层。
【专利摘要】本发明所涉及的法布里-珀罗干涉滤光片(10A)的特征在于：具备：第1反射镜(31)、经由空隙(S)与第1反射镜(31)相对的第2反射镜(41)、以包围光透过区域(11)的形式被形成于第1反射镜(31)的第1电极(17)、以包含光透过区域(11)的形式被形成于第1反射镜(31)的第2电极(18)、以与第1电极(17)以及第2电极(18)相对的形式被形成于第2反射镜(41)并以同电位与第2电极(18)相连接的第3电极(19)；第2电极(18)在第1反射镜(31)与第2反射镜(41)相对的相对方向(D)上相对于第1电极(17)位于第3电极(19)的一侧或者其相反侧。
【IPC分类】G01J3/26, G02B26/00
【公开号】CN105339829
【申请号】CN201480036511
【发明人】柴山胜己, 笠原隆, 广瀬真树, 川合敏光
【申请人】浜松光子学株式会社
【公开日】2016年2月17日
【申请日】2014年6月24日
【公告号】EP3018521A1, WO2015002021A1