掩模版及其形成方法_3

文档序号:9686622阅读:来源:国知局
击非透光膜,遭到轰击的非透光膜部分被直接去除,未遭轰击的非透光膜部分作为布局图案。非透光膜遭轰击后,剩余非透光膜表面也会附着杂质,需要后续清洗和甩干步骤。
[0064]本发明还提供一种掩模版,该掩模版具有布局图案。
[0065]结合参照图11、图12,该掩模版为叠层结构,包括透光板101、位于透光板101上的非透光膜102,在非透光膜102中形成有布局图案。
[0066]该布局图案包括密集型图案110和孤立型图案120,其中密集型图案110包括平行排列的若干第一条形线111,孤立型图案120包括平行排列的若干第二条形线121,其中若干第一条形线111的分布密度大于若干第二条形线121的分布密度。在相邻两第二条形线121之间设置有两个亚分辨率辅助图案130,所有亚分辨率辅助图案130和第二条形线121的分布密度,约等于所有第一条形线111的分布密度。每个亚分辨率辅助图案130包括条形图案131、和位于条形图案131沿长度方向的侧壁的若干间隔分布的凸部132,该条形图案131与第二条形线121平行。
[0067]在具体实施例中,相邻两第二条形线121之间不限于两个亚分辨率辅助130,可根据需要设置亚分辨率辅助图案的数量。
[0068]在具体实施例中,沿条形图案131的长度方向,每个亚分辨率辅助图案130的平均宽度与现有的亚分辨率辅助图案宽度基本相同,以确保亚分辨率辅助图案130能起到与现有辅助图案相同的作用。
[0069]在具体实施例中,在相邻两第二条形线121之间具有两个亚分辨率辅助图案130。在相邻亚分辨率两辅助图案130中,其中一亚分辨率辅助图案130的凸部132与另一亚分辨率辅助图案130中相邻两凸部132之间的条形图案部分相对。
[0070]在具体实施例中,每条亚分辨率辅助图案130上的所有凸部132沿条形图案131的长度方向等距分布。
[0071]在具体实施例中,第二条形线121中轴线到相邻的两亚分辨率辅助图案130的条形图案131中轴线的距离等于相邻两条形图案131的中轴线之间的距离。
[0072]在具体实施例中,第二条形线121两侧的亚分辨率辅助图案130关于第二条形线121对称。
[0073]虽然本发明披露如上,但本发明并非限定于此。任何本领域技术人员,在不脱离本发明的精神和范围内,均可作各种更动与修改,因此本发明的保护范围应当以权利要求所限定的范围为准。
【主权项】
1.一种掩模版的形成方法,其特征在于,包括: 提供基板,所述基板包括透光板、位于所述透光板上的非透光膜; 在所述非透光膜中写入布局图案以形成掩模版,所述布局图案包括密集型图案和孤立型图案,所述密集型图案包括平行排列的若干第一条形线,所述孤立型图案包括平行排列的若干第二条形线; 在相邻两第二条形线之间具有至少一个亚分辨率辅助图案,所述亚分辨率辅助图案包括条形图案、位于所述条形图案沿长度方向的侧壁的若干间隔分布的凸部,所述条形图案与第二条形线平行; 使用清洗剂清洗所述写入过程产生的杂质; 对所述掩模版进行甩干以去除残留的清洗剂。2.如权利要求1所述的掩模版的形成方法,其特征在于,在所述非透光膜中写入布局图案的方法包括: 在所述非透光膜上形成掩模层; 对所述掩模层进行图形化,图形化后的掩模层定义布局图案的位置; 以所述图形化后的掩模层为掩模,刻蚀非透光膜形成布局图案; 去除图形化后的掩模层。3.如权利要求2所述的掩模版的形成方法,其特征在于,所述掩模层为光刻胶层。4.如权利要求3所述的掩模版的形成方法,其特征在于,对所述光刻胶层进行图形化的方法包括: 在所述光刻胶层中写入布局图案; 在所述光刻胶层中写入布局图案后,对所述光刻胶层进行显影或刻蚀以形成图形化的光刻胶层。5.如权利要求4所述的掩模版的形成方法,其特征在于,所述在光刻胶层中写入布局图案的方法包括:光学直写、投影式电子束直写或扫描电镜直写。6.如权利要求1所述的掩模版的形成方法,其特征在于,使用聚焦离子束轰击非透光膜,以在所述非透光膜中写入布局图案。7.如权利要求1所述的掩模版的形成方法,其特征在于,当相邻两第二条形线之间具有至少两个亚分辨率辅助图案时,在相邻两亚分辨率辅助图案中,沿所述第二条形线的宽度方向,其中一亚分辨率辅助图案的凸部与另一亚分辨率辅助图案相邻两凸部之间的条形图案部分相对。8.如权利要求7所述的掩模版的形成方法,其特征在于,每条所述第二条形线的中轴线到相邻两亚分辨率辅助图案的条形图案中轴线的距离,等于相邻两亚分辨率辅助图案的条形图案中轴线之间的距离。9.如权利要求8所述的掩模版的形成方法,其特征在于,每条所述第二条形线的中轴线到相邻两亚分辨率辅助图案的条形图案中轴线的距离范围为大于70nm。10.如权利要求1所述的掩模版的形成方法,其特征在于,每条所述第二条形线两侧的亚分辨率辅助图案关于所述第二条形线对称。11.如权利要求1所述的掩模版的形成方法,其特征在于,每条所述亚分辨率辅助图案上的所有凸部沿条形图案长度方向等距分布。12.一种掩模版,其特征在于,包括透光板和位于所述透光板上的非透光膜,在所述非透光膜中形成有布局图案; 所述布局图案包括密集型图案和孤立型图案; 所述密集型图案包括平行排列的若干第一条形线; 所述孤立型图案包括平行排列的若干第二条形线,在相邻两第二条形线之间具有至少一个亚分辨率辅助图案; 所述亚分辨率辅助图案包括条形图案、位于所述条形图案沿长度方向的侧壁的若干间隔分布的凸部,所述条形图案与第二条形线平行。13.如权利要求12所述的掩模版,其特征在于,当相邻两第二条形线之间具有至少两个亚分辨率辅助图案时,在相邻两亚分辨率辅助图案中,沿所述第二条形线的宽度方向,其中一亚分辨率辅助图案的凸部与另一亚分辨率辅助图案相邻两凸部之间的条形图案部分相对。14.如权利要求13所述的掩模版,其特征在于,每条所述第二条形线的中轴线到相邻两亚分辨率辅助图案的条形图案中轴线的距离,等于相邻两亚分辨率辅助图案的条形图案中轴线之间的距离。15.如权利要求14所述的掩模版,其特征在于,每条所述第二条形线的中轴线到相邻两亚分辨率辅助图案的条形图案中轴线的距离范围为大于70nm。16.如权利要求12所述的掩模版,其特征在于,每条所述第二条形线两侧的亚分辨率辅助图案关于所述第二条形线对称。17.如权利要求12所述的掩模版,其特征在于,每条所述亚分辨率辅助图案上的所有凸部沿条形图案长度方向等距分布。
【专利摘要】一种掩模版及其形成方法,其中掩模版的形成方法包括:提供基板,基板包括透光板和非透光膜;在非透光膜中写入布局图案,布局图案包括密集型图案和孤立型图案,密集型图案包括平行排列的若干第一条形线,孤立型图案包括平行排列的若干第二条形线;在相邻两第二条形线之间具有至少一个亚分辨率辅助图案,亚分辨率辅助图案包括条形图案、位于条形图案沿长度方向的侧壁的若干间隔分布的凸部,条形图案与第二条形线平行;使用清洗剂清洗写入过程中产生的杂质;对掩模版进行甩干以去除残留清洗剂。凸部增强了整个亚分辨率辅助图案在透光板上的附着力,在甩干清洗剂的过程中,这降低了亚分辨率辅助图案倾斜甚至从透光板上脱落的可能性。
【IPC分类】G03F1/38
【公开号】CN105446072
【申请号】CN201410425884
【发明人】蔡博修, 黄怡
【申请人】中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
【公开日】2016年3月30日
【申请日】2014年8月26日
【公告号】US20160062231
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