光罩底部接触面的颗粒侦测方法及辅助工具的制作方法
【技术领域】
[0001]本发明属于半导体制造领域，涉及一种光罩底部接触面的颗粒侦测方法及辅助工具。
【背景技术】
[0002]在光刻工艺中，曝光时最重要的一环，而光罩又是重中之重。光罩又称光掩模版、掩膜版，英文名称为MASK或PHOTOMASK)，由石英玻璃作为衬底，在其上面镀上一层金属铬和感光胶，成为一种感光材料，把已设计好的电路图形通过电子激光设备曝光在感光胶上，被曝光的区域会被显影出来，在金属铬上形成电路图形，成为类似曝光后的底片的光掩模版，然后应用于对集成电路进行投影定位，通过集成电路光刻机对所投影的电路进行光蚀亥IJ，其生产加工工序为:曝光，显影，去感光胶，最后应用于光蚀刻。
[0003]在纳米级的工艺要求条件下，任何光罩上带来的瑕疵都是无法接受的。在光罩的管理上，对于图案区的瑕疵侦测是非常到位的。相对而言，对于光罩图案区以外的接触面的问题却很少顾及。然而，光罩接触面出问题(结晶、颗粒粘附、凹陷等)，却会给生产的质量带来极大影响，并无法及时发现。例如，光罩接触面的颗粒将导致光罩倾斜，从而引起光罩一边曝光时光路不垂直，由于光路不垂直，进而引起聚焦面偏离。请参阅图1，显示为光罩101接触面无颗粒时，光罩101水平放置，光路垂直，使得光罩101上的图案102能够顺利聚焦于晶圆103上的示意图。再请参阅图2，显示为光罩101接触面上的颗粒104使得光罩101倾斜放置，引起一边曝光时的光路不垂直，聚焦面偏离，使得光罩右边的图案102不能顺利聚焦于晶圆103上的7K意图。
[0004]目前，对于光罩底部的检测时通过目检的方式。这种方法对于纳米级的差异来说是非常粗糙的，并且目检法难以发现微米级的污染物，难以判断污染物的位置对于曝光时的影响。
[0005]对于光罩图案区的微粒问题可以利用光线反射这种常用的方法来检测，请参阅图
3,显示为光罩101图案区的微粒104被入射光照射并反射的示意图，然而对于光罩接触面的微粒问题，由于微粒104被光罩承载台105所阻挡，光线无法直接照射到颗粒(如图3中虚线光路所示)，进而也就不存在反射，因此，光线反射法亦无法进行光罩接触面的微粒侦测。
[0006]因此，提供一种光罩底部接触面的颗粒侦测方法及辅助工具以解决上述问题，改善聚焦面偏尚、提闻曝光质量实属必要。
【发明内容】
[0007]鉴于以上所述现有技术的缺点，本发明的目的在于提供一种光罩底部接触面的颗粒侦测方法及辅助工具，用于解决现有技术中无法侦测光罩接触面的污染状况，并难以判断污染物的位置对于曝光时的影响的问题。
[0008]为实现上述目的及其他相关目的，本发明提供一种光罩底部接触面的颗粒侦测方法，至少包括以下步骤:
[0009]S1:提供一校正光罩，所述校正光罩上设置有一对标记，该一对标记的中心坐标分别为(_M，0)与(M，0)，所述标记为中心对称图形；
[0010]S2:将所述校正光罩放置于曝光机的光罩承载台上,将曝光光源的光束依次照射在左右两个标记上，测量得到所述校正光罩绕Y轴的等效倾斜角度K1 ；
[0011]S3:将所述校正光罩旋转180°放置于曝光机的光罩承载台上，将曝光光源的光束依次照射在左右两个标记上，测量得到所述校正光罩绕Y轴的等效倾斜角度K2 ；
[0012]S4:根据公式K1 = A+B与K2 = A_B，其中A为所述校正光罩绕Y轴的倾斜角度，B为曝光机绕Y轴的倾斜角度，从而获得所述曝光机绕Y轴的倾斜角度B = (K1+K2) /2 ；
[0013]S5:提供待测光罩，利用所述曝光机测量所述待测光罩绕Y轴的等效倾斜角度E，获得该待测光罩绕Y轴的倾斜角度F = E-B ;
[0014]S6:根据所述待测光罩绕Y轴的倾斜角度F的大小，判断所述待测光罩底部接触面的污染程度以采取相应措施。
[0015]可选地，于所述步骤S2及步骤S3中，利用移动挡板使所述曝光光源的光依次照射在一对标记上。
[0016]可选地，于所述步骤S2及步骤S3中，通过光探测器探测透过所述标记的光照强度，并将透过一对标记的光照强度进行对比得到所述校正光罩绕Y轴的等效倾斜角度。
[0017]可选地，透过所述标记的光通过一透镜聚焦之后被所述光探测器探测。
[0018]可选地，于所述步骤S5中，提供一组待测光罩，在同一片晶圆上依次测量每一片待测光罩绕Y轴的等效倾斜角度，并获得每一片待测光罩绕Y轴的倾斜角度。
[0019]可选地，所述标记为间隔透光图形。
[0020]可选地，所述标记的整体轮廓为正方形、圆形、正六边形或正八边形。
[0021]本发明还提供一种用于光罩底部接触面颗粒侦测的辅助工具，所述辅助工具为一校正光罩，所述校正光罩上设置有一对标记，该一对标记的中心坐标分别为(-Μ,Ο)与(Μ,0)，所述标记为中心对称图形。
[0022]可选地，所述标记为间隔透光图形。
[0023]可选地，所述标记的整体轮廓为正方形、圆形、正六边形或正八边形。
[0024]可选地，所述标记的坐标值Μ大于所述校正光罩宽度的四分之一。
[0025]如上所述，本发明的光罩底部接触面的颗粒侦测方法及辅助工具，具有以下有益效果:1)本发明利用校正光罩作为辅助工具进行侦测，所述校正光罩上设置有一对标记，该一对标记的中心坐标分别为(_Μ，0)与(Μ，0)，所述标记为中心对称图形，使得所述校正光罩旋转180度之后仍然可以用于曝光光源侦测，通过旋转前与旋转后两次侦测可获得曝光机台本身的绕Υ轴的倾斜角度；从而对于待测光罩绕Υ轴的倾斜角度，只需要将测得的待测光罩绕Υ轴的等效倾斜角度值减去曝光机台本身绕Υ轴的倾斜角度即可得到；2)考虑到FAB的生产压力，本发明可通过建立一个侦测制程，实现多个待测光罩在同一片晶圆上依次做曝光，来测得每一片待测光罩绕Υ轴的倾斜角度，可以节省时间，提高效率，理论上要做多少块光罩都是可实现的；3)本发明通过所述待测光罩绕Υ轴的倾斜角度值的大小，便可判断光罩接触面的污染程度，从而进行清理，通过清理后光罩绕Υ轴的倾斜角度明显改善；
4)本发明中，所述校正光罩旋转前与旋转后绕Υ轴的等效倾斜角度可利用ASML PAS850机台的RYTILT参数来侦测，高效准确。
【附图说明】
[0026]图1显示为现有技术中光罩接触面无颗粒时，光罩水平放置，光路垂直，使得光罩上的图案能够顺利聚焦于晶圆上的示意图。
[0027]图2显示为现有技术中光罩接触面上的颗粒使得光罩倾斜放置，引起一边曝光时的光路不垂直，聚焦面偏离，使得光罩右边的图案不能顺利聚焦于晶圆上的示意图。
[0028]图3显示为光罩图案区的微粒被入射光照射并反射，而光罩接触面的微粒被光罩承载台所阻挡，光线无法直接照射到从而无反射的示意图。
[0029]图4显示为本发明的光罩底部接触面的颗粒侦测方法的工艺流程图。
[0030]图5显示为本发明的光罩底部接触面的颗粒侦测方法中校正光罩的结构示意图。
[0031]图6显示为本发明的光罩底部接触面的颗粒侦测方法中校正光罩放置于光罩承载台上的示意图。
[0032]图7显示为本发明的光罩底部接触面的颗粒侦测方法中校正光罩旋转180°后放