制造掩模的方法与流程

示例性实施方式涉及方法。更具体地，示例性实施方式涉及制造掩模的方法。

背景技术：

诸如移动电话、笔记本个人计算机、平板电脑等移动电子装置被广泛使用。为了支持各种功能，移动电子装置通常包括将诸如图像、视频等可视信息提供给用户的显示装置。虽然用于驱动显示装置的部件变得更小，但是移动电子装置的用于显示装置的部分正在增大。另外，正在开发可从平坦状态以某角度弯曲的显示装置的结构。

该背景部分中所公开的上述信息仅为了增强对本发明构思的背景的理解，并因此，其可包含不形成在该国家中对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。

技术实现要素：

一个或多个示例性实施方式提供制造掩模的方法。

附加的方面将在以下描述中被部分地阐述，并且通过该描述将部分地显而易见，或者可通过对本发明构思的实践而习得。

根据一个或多个示例性实施方式，制造掩模的方法包括：使用激光在基础材料中形成第一孔，第一孔从第一表面至与第一表面不同的第二表面穿透基础材料；以及使用刻蚀剂扩张第一孔以形成第二孔。

根据一个或多个示例性实施方式，制造掩模的方法包括：至少部分地导致激光穿过基础材料形成第一孔，第一孔从基础材料的第一表面延伸至基础材料的第二表面；以及至少部分地导致刻蚀剂向第一孔提供，刻蚀剂配置为扩张第一孔的尺寸以形成第二孔。

根据一个或多个示例性实施方式，系统、方法、计算机程序或其组合可用于实施本文中所描述的示例性实施方式中的一个或多个。

以上概述性描述和以下详细描述是示例性和说明性的，并且旨在提供对所主张权利的主题的进一步解释。

附图说明

附图示出了本发明构思的示例性实施方式并且与描述一起用来解释本发明构思的原理，附图被包括以提供对本发明构思的进一步理解并且附图被并入本说明书中并且构成本说明书的一部分。

图1A、图1B、图1C和图1D是根据一个或多个示例性实施方式的在制造的各个阶段的掩模的剖视图。

图2是根据一个或多个示例性实施方式的配置为利用根据图1A至图1D的方法制造的掩模来制造显示装置的制造设备的示意图。

图3是根据一个或多个示例性实施方式的使用图2的制造设备制造的显示装置的一部分的剖视图。

图4A、图4B、图4C和图4D是根据一个或多个示例性实施方式的在制造的各个阶段的掩模的剖视图。

具体实施方式

在下文的描述中，为了解释的目的，多个具体细节被阐述以提供对多种示例性实施方式的彻底理解。然而，显而易见的是，多种示例性实施方式可在没有这些具体细节的情况下或使用一个或多个等同布置来实践。在其它情况下，公知的结构和装置以框图形式示出，以避免不必要地模糊多种示例性实施方式。

除非另有说明，否则所说明的示例性实施方式应被理解成提供多种示例性实施方式的不同细节的示例性特征。因此，除非另有说明，否则，在不背离所公开的示例性实施方式的前提下，各图示中的特征、部件、模块、层、膜、面板、区域和/或方面可以以其它方式结合、分离、互换和/或重新排列。另外，在附图中，为了清楚和描述的目的，层、膜、面板、区域等的尺寸和相对尺寸可被夸大。当示例性实施方式可以以不同的方式实施时，具体的过程顺序可以与所描述的顺序不同地执行。例如，两个连续描述的过程可基本上同时执行或者可以以与所描述的顺序相反的顺序执行。另外，相同的附图标记表示相同的元件。

当元件或层被称为在另一元件或层“上”、“连接至”或“联接至”另一元件或层时，其可直接在另一元件或层上、直接连接至或联接至另一元件或层，或者可存在介于其间的元件或层。然而，当元件或层被称为“直接在”另一元件或层“上”、“直接连接至”或“直接联接至”另一元件或层时，则不存在介于其间的元件或层。另外，x轴、y轴和z轴不限于直角坐标系的三个轴，而可以以更广泛的意义进行解释。例如，x轴、y轴和z轴可互相垂直，或者可表示不互相垂直的不同方向。为了本公开的目的，“X、Y和Z中的至少一个”和“从由X、Y和Z组成的集合中选出的至少一个”可解释成只有X、只有Y、只有Z，或者诸如X、Y和Z中的两个或更多个的任一组合，例如XYZ、XYY、YZ和ZZ。全文中相同的附图标记指代相同的元件。如在本文中所使用的，措辞“和/或”包括相关所列项中的一个或多个的任何和全部组合。

虽然措辞“第一”、“第二”等可在本文中用于描述各种元件、部件、区域、层和/或段，但是这些元件、部件、区域、层和/或段不应受这些措辞限制。这些措辞用于将一个元件、部件、区域、层、和/或段与另一元件、部件、区域、层、和/或段区分开。因此，在不背离本公开的教导的前提下，以下所论述的第一元件、第一部件、第一区域、第一层和/或第一段可被称为第二元件、第二部件、第二区域、第二层和/或第二段。

为了描述的目的，在本文中可使用诸如“在……下(beneath)”、“在……之下(below)”、“下(lower)”、“在……之上(above)”、“上(upper)”等的空间相对措辞，并且从而描述如附图中所图示的一个元件或特征与另一元件(多个元件)或特征(多个特征)的关系。除了附图中描绘的定向外，空间相对措辞旨在包含设备在使用、操作和/或制造中的不同定向。例如，如果附图中的设备翻转，则描述为在其它元件或特征“之下”或“下”的元件将定向为在该其它元件或特征“之上”。因此，示例性措辞“在……之下(below)”可包含之上和之下两个定向。此外，设备可以以其它方式定向(例如，旋转90度或处于其它定向)，并因此，本文中所使用的空间相对描述语被相应地解释。

本文中所使用的术语用于描述具体实施方式的目的，且不旨在进行限制。除非上下文另外清楚地指出，否则如本文中所使用的单数形式“一(a)”、“一(an)”和“一(the)”旨在也包括复数形式。此外，当在本说明书中使用时，措辞“包含(comprise)”、“包含有(comprising)”、“包括(include)”和/或“包括有(including)”指定所述特征、整体、步骤、操作、元件、部件和/或其集合的存在，但是不排除一个或多个其它特征、整体、步骤、操作、元件、部件和/或其集合的存在和附加。

在本文中参照理想化的示例性实施方式和/或中间结构的示意性图示的剖面图示描述多种示例性实施方式。因而，应预期作为例如制造技术和/或公差的结果的与图示的形状的差异。因而，本文中公开的示例性实施方式不应被解释为限于区域的具体图示的形状，而是应包括由例如制造引起的形状上的偏差。例如，图示成矩形的植入区域将通常在其边缘处具有圆形或弯曲的特征和/或具有植入浓度的梯度，而非具有从植入区域到非植入区域的二元的变化。同样地，由植入形成的隐埋区域可在隐埋区域与植入穿过其发生的表面之间的区域中产生一些植入。因此，附图中示出的区域实际上是示意性的，而且它们的形状不旨在图示装置的区域的实际形状并且不旨在进行限制。

除非另外限定，否则本文中使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与本公开所属技术领域的普通技术人员所通常理解的含义相同的含义。除非在本文中明确地如此定义，否则诸如常用词典中限定的术语应被解释成具有与其在相关技术领域的上下文中的含义一致的含义，并且不应以理想化或过于形式化的意义进行解释。

图1A、图1B、图1C和图1D是根据一个或多个示例性实施方式的在制造的各个阶段的掩模的剖视图。相应地，将结合图1A至图1D来描述制造掩模110的方法。

参照图1A至图1D，可通过在基础材料M中形成具有图案形状的狭缝110b(s)制造掩模110。基础材料M可包括例如殷钢(亦称FeNi36或64FeNi)材料的铁镍合金。然而，预期的是，可结合本文中所描述的示例性实施方式使用任何适当的材料。这里，如图2中所示，多个狭缝110b(s)可以以统一的图案形成。另外，狭缝110b(s)的形状可基于设计标准和/或限制条件而改变。例如，在平面图中，狭缝110b(s)可具有椭圆形形状、矩形形状、菱形形状、圆形形状和/或类似的形状。为便于描述，将结合狭缝110b(s)具有圆形形状的情况来描述示例性实施方式。

现将更详细地描述形成狭缝110b(s)的方法。基础材料M可被切割并且被制备成任何适当的尺寸。在基础材料M的第一表面F1上可形成第一阻挡膜120，以及在基础材料M的第二表面F2上可形成第二阻挡膜130。第一阻挡膜120和第二阻挡膜130可分别包括使第一表面F1的一部分暴露的第一开口120a和使第二表面F2的一部分暴露的第二开口130a。第一开口120a和第二开口130a在第一表面F1和第二表面F2处可分别具有与狭缝110b(s)的尺寸相同的尺寸(例如，宽度)。第一阻挡膜120和第二阻挡膜130可包括任何适当的耐刻蚀材料以阻挡刻蚀剂的作用。例如，第一阻挡膜120和第二阻挡膜130可以是光刻胶材料。

在形成第一阻挡膜120和第二阻挡膜130后，可通过使用激光束穿过基础材料M而形成第一孔110a。第一孔110a可从第一表面F1至第二表面F2穿透基础材料M。激光束可穿过第一开口120a照射并且可穿透基础材料M从而穿过第二开口130a。在这种情况下，第一孔110a的横截面积(与基础材料M的厚度方向(或Z方向)垂直)可从第一表面F1至第二表面F2减小。第一孔110a的横截面积(与基础材料M的厚度方向垂直)可从第一表面F1至第二表面F2线性地减小，然而，可存在任何其它适当的关系。相应地，在基础材料M内部的形成第一孔110a的处理表面可倾斜以形成逐渐变窄的形状，例如倒置的梯形形状。

根据一个或多个示例性实施方式，按以上所述而形成的第一孔110a的尺寸可小于狭缝110b(s)的尺寸。另外，在第一表面F1处跨过第一孔110a的第一直线距离X1和在第二表面F2处跨过第一孔110a的第二直线距离X2可满足以下等式：

X2＝X1–2*T/tan(θ) 等式1

这里，X1表示第一直线距离，X2表示第二直线距离，T表示基础材料M的厚度，以及θ表示具有逐渐变窄的形状的第一孔110a的处理表面的倾斜角度。X2的值可基于X1和θ的值而确定。例如，第一直线距离X1可基于基础材料M的性质而确定，诸如熔点、刚性和材料。第一直线距离X1可比狭缝110b(s)在基础材料M的第一表面F1处的直线距离N1小。即，如在下文中将变得更显而易见的，通过将第一直线距离X1形成为至少比狭缝110b(s)在第一表面F1处形成的直线距离N1小，可通过随后经由一个或多个刻蚀过程扩张第一孔110a以形成第二孔110b。如上所述，第一直线距离X1可在比狭缝110b(s)在第一表面F1处的直线距离N1小的范围内任意选择。另外，第二直线距离X2可形成为比狭缝110b(s)在第二表面F2处的直线距离N2小。通过这种方式，第一孔110a可具有比最终形成的狭缝110b(s)小的尺寸。

在形成第一孔110a后，可通过将刻蚀剂提供至第一开口120a和第二开口130a中的至少一个而形成第二孔110b。第二孔110b可具有与狭缝110b(s)相同的形状。根据一个或多个示例性实施方式，在形成第一孔110a时(或在形成第一孔110a之后)，刻蚀剂可喷射到基础材料M上。例如，刻蚀剂可按照从基础材料M的第一表面F1向第二表面F2的方向的喷涂而喷射到基础材料M上。还预期的是，刻蚀剂可同时或依次喷射到基础材料M的第一表面F1和第二表面F2上。为便于描述，结合刻蚀剂喷射到基础材料M的第一表面F1上的情况描述示例性实施方式。

当刻蚀剂喷射到基础材料M的第一表面F1上时，刻蚀剂可流动到第一孔110a中。通过这种方式，第一阻挡膜120、第一孔110a和通过第一开口120a围绕第一孔110a的基础材料M可暴露至刻蚀剂。在这种情况下，围绕第一孔110a的区域和第一孔110a内部的区域可通过接触刻蚀剂而被刻蚀。即，刻蚀剂可以以与第一孔110a的处理表面的倾斜角度相同或相似的角度刻蚀第一孔110a的处理表面。相应地，在基础材料M中可形成形状与第一孔110a相同或相似但尺寸比第一孔110a大的第二孔110b。在第一孔110a内部的处理表面和在第二孔110b内部的处理表面可互相平行。另外，当形成第二孔110b时，可去除形成在第一孔110a的处理表面(或内表面)上的氧化物。

根据一个或多个示例性实施方式，可执行以上所述的刻蚀过程直到第二孔110b变成狭缝110b(s)的尺寸。第二孔110b在第一表面F1处的尺寸与第一开口120a的尺寸相同，并且第二孔110b在第二表面F2处的尺寸与第二开口130a的尺寸相同。在这种情况下，当第二孔110b按如上所述形成时，可调节刻蚀速度以使得第二孔110b形成为与狭缝110b(s)相同的尺寸。

当第二孔110b经由如上所述的刻蚀过程形成时，可去除在形成第一孔110a时生成的氧化物。即，当形成第一孔110a时，由于激光工艺而导致在第一孔110a的处理表面上、在形成于第一表面F1中的围绕第一孔110a的区域上以及在形成于第二表面F2中的围绕第一孔110a的区域上可形成氧化物。可通过清洗来去除氧化物，但是根据一个或多个示例性实施方式，可在形成第二孔110b时通过刻蚀剂来去除氧化物。

应注意的是，当形成第一孔110a时，由于激光照射设备中的污染或激光照射设备的故障而导致多个第一孔110a中的一些可能未形成或可具有不精确的形状。为此，当形成第一孔110a时，第一孔110a可包括杂质。然而，根据一个或多个示例性实施方式，这种情况可通过形成第二孔110b解决(或至少减少)。相应地，通过使用上述方法，可减少在制造掩模110时可能生成的掩模110中的缺陷。另外，根据本文中描述的示例性实施方式，因为在形成第一孔110a时经由激光束生成的氧化膜在形成第二孔110b时被去除，所以不单独需要用于去除氧化膜的工艺。当仅使用激光束来制造掩模110时，防止了制造时间上的增加。注意的是，仅使用激光束可使更精确的处理成为可能。

图2是根据一个或多个示例性实施方式的配置为利用根据图1A至图1D的方法制造的掩模来制造显示装置的制造设备的示意图。图3是根据一个或多个示例性实施方式的使用图2的制造设备制造的显示装置的一部分的剖视图。

参照图2和图3，用于制造显示装置的设备100可包括腔室161、掩模组件140、容纳单元162、沉积源170、衬底支承件181和观察部182。掩模组件140可包括掩模110以及容纳并固定掩模110的掩模框150。掩模110可根据图1A至图1D的方法制造。

在腔室161内部可形成空间，并且该空间的一部分可打开。在腔室161的打开部分处可设置门阀161a以打开或关闭通向腔室161的打开部分的入口。掩模组件140可容纳在容纳单元162中。注意的是，容纳单元162可配置为转动或线性地移动掩模组件140。沉积材料可插入沉积源170中并且可蒸发或升华。蒸发或升华的沉积材料可通过掩模110沉积在第一衬底11上。衬底支承件181可支承第一衬底11。

用于制造显示装置的设备100可在支承第一衬底11时将沉积材料沉积在第一衬底11上。根据一个或多个示例性实施方式，在使第一衬底11和/或沉积源170相对于彼此移动时沉积材料可沉积在第一衬底11上。还预期的是，掩模组件140可相对于第一衬底11和/或沉积源170移动。为便于描述，结合在第一衬底11被支承在腔室161中时沉积材料沉积在第一衬底11上的情况来描述示例性实施方式。压力调节器190可连接至腔室161。在这种方式中，压力调节器190可包括连接至腔室161的连接管191和设置在连接管191处的泵192以改变腔室161中的环境压力(增压或降压)。

根据一个或多个示例性实施方式，用于制造显示装置的设备100可用于形成显示装置的有机层、无机层或金属层。为便于描述，结合形成显示装置的有机层的情况描述示例性实施方式。例如，结合形成有机发光显示装置的有机层之中的中间层18b的情况描述设备100(包括掩模110)。

例如，基于设备100的操作，第一衬底11和掩模组件140插入腔室161中，并且分别被衬底支承件181和容纳单元162支承。使用观察部182测量掩模组件140和第一衬底11的位置，并且可通过调节容纳单元162将第一衬底11与掩模组件140对准。观察部182可包括配置为拍摄掩模组件140和第一衬底11的图像的相机，然而，可使用任何适当的观察机构。

在将掩模组件140和第一衬底11的位置互相对准后，沉积源170可被驱动以蒸发或升华沉积材料。沉积材料可通过形成在掩模110中的狭缝110b(s)而沉积在第一衬底11上。在沉积材料沉积后，第一衬底11可从腔室161去除以用于下一操作。

根据一个或多个示例性实施方式，设备100可形成中间层18b。然后，在中间层18b上可形成相对电极18c，并且然后，在相对电极18c上可设置薄膜封装层E或第二衬底(未示出)以制造显示装置10。

如图3所示，显示装置10可包括第一衬底11和发射单元。另外，显示装置10可包括形成在发射单元上的薄膜封装层E或第二衬底。因为第二衬底与通常的显示装置中使用的衬底相同或相似，所以在本文中不提供其细节。另外，为便于描述，结合显示装置10包括薄膜封装层E的情况描述示例性实施方式。

发射单元包括薄膜晶体管TFT。在薄膜晶体管TFT上形成钝化膜17，并且在钝化膜17上可形成有机发光装置18。第一衬底11可包括玻璃材料，但示例性实施方式不限于此。例如，第一衬底11可包括塑料材料、诸如不锈钢(SUS)或钛(Ti)的金属材料和/或类似物。另外，第一衬底11可由聚酰亚胺(PI)形成。为便于描述，结合第一衬底11包括玻璃材料的情况来描述示例性实施方式。

在第一衬底11的顶面上可形成缓冲层12。缓冲层12可例如包括有机化合物和/或诸如SiO_x(x≥1)或SiN_x(x≥1)的无机化合物。在缓冲层12上根据确定的图案形成有源层13。在有源层13上形成栅绝缘层14，有源层13包括源区13a、漏区13c和形成在源区13a与漏区13c之间的沟道区13b。

有源层13可包括任何适当的材料。例如，有源层13可包括诸如非晶硅、晶体硅等无机半导体材料。作为另一示例，有源层13可包括氧化物半导体、有机半导体材料等。为便于描述，结合有源层13包括非晶硅的情况描述示例性实施方式。例如，可通过在缓冲层12上形成非晶硅膜、使非晶硅晶化以形成多晶硅膜并且随后将多晶硅膜图案化来形成有源层13。在有源层13中，根据薄膜晶体管TFT类型而用杂质掺杂源区13a和漏区13c，其中薄膜晶体管TFT类型例如驱动薄膜晶体管TFT(未示出)或开关薄膜晶体管TFT(未示出)。

在栅绝缘层14的顶面上形成与有源层13对应的栅电极15以及布置在栅电极15上的层间绝缘膜16。另外，穿过层间绝缘膜16和栅绝缘层14形成接触孔H1。源电极17a和漏电极17b形成在层间绝缘膜16上并且分别与有源层13的源区13a和漏区13c接触。

钝化膜17形成在薄膜晶体管TFT上，并且在钝化膜17上形成有机发光装置(OLED)18的像素电极18a。像素电极18a通过形成在钝化膜17中的通孔H2与薄膜晶体管TFT的漏电极17b接触。钝化膜17可包括无机材料和/或有机材料，并且可形成为单层或至少两层。钝化膜17可以是平坦化膜，使得其顶面是平坦的而不考虑其底面的弯曲，或者其顶面可根据底面的弯曲而形成。另外，钝化膜17可包括透明绝缘材料从而获得共振效应。

在将像素电极18a形成在钝化膜17上之后，形成由有机材料和/或无机材料形成的像素限定膜19来覆盖像素电极18a和钝化膜17。像素限定膜19被开口以部分地暴露像素电极18a。中间层18b和相对电极18c至少形成在像素电极18a上。OLED 18的像素电极18a用作阳极而OLED 18的相对电极18c用作阴极，或反之亦然。像素电极18a和相对电极18c通过中间层18b相互绝缘，并且随着不同极性的电压施加至中间层18b，有机发射层发光。

中间层18b可包括有机发射层。根据一个或多个示例性实施方式，中间层18b可包括有机发射层，并且还可包括空穴注入层(HIL)、空穴传输层(HTL)、电子传输层(ETL)和电子注入层(EIL)中的至少一个以作为公共层(未示出)。像素单元可包括多个子像素，并且多个子像素可基于施加至中间层18b的电压发射各种颜色的光。例如，多个子像素可包括分别配置为发射红光、绿光和蓝光的子像素或分别发射红光、绿光、蓝光和白光的子像素。然而，预期的是，像素/子像素可配置为发射任何适当颜色(或多个颜色)的光。

薄膜封装层E可包括多个无机层或可包括无机层和有机层。薄膜封装层E的有机层可包括聚合物，并且，例如可以是由聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚酰亚胺、聚碳酸酯、环氧树脂、聚乙烯和聚丙烯酸酯中任一种形成的单膜或堆叠膜。例如，有机层可包括聚丙烯酸酯，并且聚丙烯酸酯可包括包含双丙烯酸基单体和三丙烯酸基单体的聚合单体化合物。聚合单体化合物还可包括单丙烯酸基单体。聚合单体化合物还可包括诸如2,4,6-三甲基苯甲酰基-二苯基氧化膦(TPO)的光引发剂，但示例性实施方式不限于此。薄膜封装层E的无机层可以是包括金属氧化物或金属氮化物的单膜或堆叠膜。例如，无机层可包括氮化硅(SiN_x)(x≥1)、氧化铝(Al₂O₃)、氧化硅(SiO₂)和氧化钛(TiO₂)中的任一种。

薄膜封装层E的最上层可以是无机层，该无机层可防止潮气渗透到OLED 18中。薄膜封装层E可包括至少一个有机层插入在至少两个无机层之间的至少一个夹层结构。作为另一示例，薄膜封装层E可包括至少一个无机层插入在至少两个有机层之间的至少一个夹层结构。作为又一示例，薄膜封装层E可包括至少一个有机层插入在至少两个无机层之间的夹层结构和至少一个无机层插入在至少两个有机层之间的夹层结构。

根据一个或多个示例性实施方式，薄膜封装层E从OLED 18的顶部可依次包括第一无机层、第一有机层和第二无机层。作为另一示例，薄膜封装层E从OLED 18的顶部可依次包括第一无机层、第一有机层、第二无机层、第二有机层和第三无机层。作为又一示例，薄膜封装层E从OLED 18的顶部可依次包括第一无机层、第一有机层、第二无机层、第二有机层、第三无机层、第三有机层和第四无机层。

在OLED 18与薄膜封装层E的第一无机层之间还可布置包括氟化锂(LiF)的卤化金属层。卤化金属层可防止在通过溅射方法形成第一无机层时OLED 18被损坏。第一有机层可具有比第二无机层小的面积，并且第二有机层也可具有比第三无机层小的面积。相应地，显示装置制造设备100可利用掩模110形成精确的图案。另外，显示装置10可实现清晰的图像。

图4A、图4B、图4C和图4D是根据一个或多个示例性实施方式的在制造的各个阶段的掩模的剖视图。

参照图4A至图4D，可按照与图1A至图1D的方法类似的方式制造掩模210。例如，可通过将激光束照射至以充分尺寸制备的基础材料M的第一表面F1上来形成第一孔210a。第一孔210a的尺寸可以是预定的尺寸，并且，在这种情况下可控制激光束的强度或激光束的照射时间以获得预定的尺寸。当第一孔210a形成在基础材料M中时，第一孔210a可从第一表面F1到第二表面F2穿透基础材料M。第一孔210a可具有与参照图1A至图1D所描述的形状相同或相似的形状。

在形成第一孔210a后，在基础材料M的第一表面F1和第二表面F2上可分别形成第一阻挡膜220和第二阻挡膜230。因为第一阻挡膜220和第二阻挡膜230与以上参照图1A至图1D所描述的阻挡膜相同或相似，所以省略重复的描述以避免模糊本文中所描述的示例性实施方式。形成在第一阻挡膜220中的第一开口220a的尺寸可比第一孔210a在第一表面F1处的尺寸大。第一开口220a的尺寸可与狭缝210b(s)在第一表面F1处的尺寸相同。例如，第一开口220a的尺寸可与第二孔210b在第一表面F1处的尺寸相同。形成在第二阻挡膜230中的第二开口230a的尺寸可比第一孔210a在第二表面F2处的尺寸大。第二开口230a的尺寸可与狭缝210b(s)在第二表面F2处的尺寸相同或者与第二孔210b在第二表面F2处的尺寸相同。

在形成第一阻挡膜220和第二阻挡膜230后，可通过向第一表面F1和/或第二表面F2喷射刻蚀剂来形成第二孔210b。如上所述，第二孔210b的尺寸可与第一开口220a在第一表面F1处的尺寸相同，并且可与第二开口230a在第二表面F2处的尺寸相同。以上所述的第二孔210b可变成掩模210的狭缝210b(s)。注意的是，可使用多个狭缝210b(s)，并且多个狭缝210b(s)可具有统一的图案。如上所述，可在形成第二孔210b之后去除第一阻挡膜220和第二阻挡膜230。

根据一个或多个示例性实施方式，可减少在制造掩模210时可能生成的掩模210中的缺陷。另外，因为在形成第一孔210a时生成的氧化膜可在形成第二孔210b时去除，所以不另外需要用于去除氧化膜的工艺，但是仍然可使用用于去除氧化膜的工艺。根据一个或多个示例性实施方式，当仅使用激光束制造掩模210时，防止了制造时间上的增加。注意的是，仅使用激光束可使更精确的处理成为可能。

根据一个或多个示例性实施方式，可用精细的图案形成掩模并且可用减少的杂质和/或缺陷形成掩模。

虽然在本文中描述了某些示例性实施方式和实施例，但是，根据该描述，其它实施方式和修改将是显而易见的。相应地，本发明构思不受限于这些实施方式，而受限于所提出的权利要求以及各种明显的修改和等同布置的更宽泛的范围。