1.制造掩模的方法，所述方法包括：
使用激光在基础材料中形成第一孔，所述第一孔从第一表面至与所述第一表面不同的第二表面穿透所述基础材料；以及
使用刻蚀剂扩张所述第一孔以形成第二孔。
2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一孔和所述第二孔中至少一个的横截面积从所述第一表面至所述第二表面减小。
3.根据权利要求1所述的方法，其中，扩张所述第一孔包括去除形成在所述第一孔的内表面上的氧化物。
4.根据权利要求1所述的方法，其中：
在所述第一表面处跨过所述第一孔的第一直线距离以及在所述第二表面处跨过所述第一孔的第二直线距离满足以下方程：
X2＝X1–2*T/tan(θ)；以及
X1表示所述第一直线距离、X2表示所述第二直线距离、T表示所述基础材料的厚度以及θ表示所述第一孔在所述第二表面与所述第一表面之间倾斜的角度。
5.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一孔和所述第二孔包括逐渐变窄的表面。
6.根据权利要求5所述的方法，其中，所述第一孔和所述第二孔的所述逐渐变窄的表面互相平行。
7.根据权利要求1所述的方法，还包括：
在所述基础材料的所述第一表面上形成第一阻挡膜，所述第一阻挡膜配置为抵抗所述刻蚀剂，
其中，所述第一阻挡膜包括使所述基础材料的所述第一表面的一部分暴露的第一开口。
8.根据权利要求7所述的方法，其中，所述第一阻挡膜中的所述第一开口的尺寸与所述第二孔在所述基础材料的所述第一表面处的开口的尺寸相同。
9.根据权利要求7所述的方法，其中，所述第一阻挡膜中的所述第一开口的尺寸比所述第一孔在所述基础材料的所述第一表面处的开口的尺寸大。
10.根据权利要求7所述的方法，其中，所述第一阻挡膜在所述第一孔形成之前形成。
11.根据权利要求7所述的方法，还包括：
在形成所述第二孔之后，将所述第一阻挡膜从所述基础材料的所述第一表面去除。
12.根据权利要求1所述的方法，还包括：
在所述基础材料的所述第二表面上形成第二阻挡膜，所述第二阻挡膜配置为抵抗所述刻蚀剂，
其中，所述第二阻挡膜包括使所述基础材料的所述第二表面的一部分暴露的第二开口。
13.根据权利要求12所述的方法，其中，所述第二阻挡膜在所述第一孔形成之前形成。
14.根据权利要求12所述的方法，还包括：
在形成所述第二孔之后，将所述第二阻挡膜从所述基础材料的所述第二表面去除。
15.根据权利要求1所述的方法，其中，所述刻蚀剂被提供至所述第一表面和所述第二表面中的至少一个。
16.根据权利要求7所述的方法，其中，所述第一阻挡膜在所述第一孔形成之后形成。
17.根据权利要求12所述的方法，其中，所述第二阻挡膜在所述第一孔形成之后形成。
18.制造掩模的方法，所述方法包括：
至少部分地使激光穿过基础材料形成第一孔，所述第一孔从所述基础材料的第一表面延伸至所述基础材料的第二表面；以及
至少部分地使刻蚀剂向所述第一孔提供，所述刻蚀剂配置为扩张所述第一孔的尺寸以形成第二孔。
19.根据权利要求18所述的方法，其中，所述第二孔与所述第一孔共心地对准。
20.根据权利要求18所述的方法，还包括：
至少部分地使第一阻挡膜形成在所述第一表面上；以及
至少部分地使第二阻挡膜形成在所述第二表面上，
其中，所述第一阻挡膜和所述第二阻挡膜配置为抵抗所述刻蚀剂的作用，以及
其中，使所述刻蚀剂朝向所述第一表面和所述第二表面中的至少一个喷涂。