线栅偏振板和包括该线栅偏振板的显示装置的制造方法

线栅偏振板和包括该线栅偏振板的显示装置的制造方法
【专利摘要】公开了一种线栅偏振板和一种包括该线栅偏振板的显示装置。所述线栅偏振板包括透光基板和布置在透光基板的一个表面上的导电图案层，导电图案层包括窗口区域和布置在外接到窗口区域的矩形区域中的至少一个反射区域，窗口区域具有包括以比入射光的波长短的周期的间隔彼此隔开的层层围绕的导电简单闭合曲线的靶形图案，并且透射入射光的第一偏振光并反射垂直于第一偏振光的第二偏振光，所述至少一个反射区域反射第一偏振光和第二偏振光两者。
【专利说明】线栅偏振板和包括该线栅偏振板的显示装置
[0001 ] 本申请要求于2015年4月24日提交的第10-2015-0057980号韩国专利申请的优先权和所有权益，该韩国专利申请的全部内容通过引用被包含于此。
技术领域
[0002]本发明涉及一种线栅偏振板和一种包括该线栅偏振板的显示装置。
【背景技术】
[0003]平行的导体布线布置成仅使电磁波中的特定偏振光偏振的平行导电布线阵列通常被称为线栅。
[0004]具有比对应光的波长短的周期的线栅结构具有针对非偏振入射光其使布线方向上的偏振光反射并使垂直于布线方向的偏振光透射的偏振特性。因此，与吸收型偏振器相比，线栅结构具有能够再利用被反射的偏振光的优点。

【发明内容】

[0005]因此，已经提出了本发明以解决发生在相关领域中的上述问题，本发明要解决的一个主题是将提供一种具有改善的光效率的线栅偏振板和一种包括该线栅偏振板的显示
目.ο
[0006]本发明的另外的优势、主题和特征将在随后的描述中部分地阐述，并且部分地在审阅下面的描述时对本领域的普通技术人员来说将变得清楚，或者可通过实施本发明而获知。
[0007]根据本发明的实施例的线栅偏振板包括透光基板和布置在透光基板的一个表面上的导电图案层，导电图案层包括窗口区域和布置在外接到窗口区域的矩形区域中的至少一个反射区域，窗口区域具有包括以比入射光的波长短的周期的间隔彼此隔开的层层围绕的导电简单闭合曲线的靶形图案，并且透射入射光的第一偏振光并反射垂直于第一偏振光的第二偏振光，反射区域反射第一偏振光和第二偏振光两者。
[0008]根据本发明的实施例的显示装置包括根据本发明的实施例的线栅偏振板和布置在根据本发明的实施例的线栅偏振板的上部上的不透明层。靶形图案包括在一个方向上延伸的第一线性结构和不在所述一个方向上延伸的第二线性结构，不透明层覆盖第二线性结构。
[0009]在示例性实施例中，导电简单闭合曲线可以包括多边形简单闭合曲线，多边形简单闭合曲线包括在一个方向上延伸的两个第一线性结构和不在所述一个方向上延伸的三个或更多个第二线性结构。
[0010]在示例性实施例中，多边形简单闭合曲线可以是直边六边形简单闭合曲线。
[0011]在示例性实施例中，导电简单闭合曲线可以包括非多边形简单闭合曲线，非多边形简单闭合曲线包括在一个方向上延伸的两个第一线性结构和不在所述一个方向上延伸的两个或更多个第二线性结构。
[0012]在示例性实施例中，非多边形简单闭合曲线可以包括弧形结构。
[0013]在示例性实施例中，非多边形简单闭合曲线可以包括至少一个短边是曲线的变型直边六边形简单闭合曲线。
[0014]在示例性实施例中，线栅偏振板还可以包括在所述一个方向上延伸的第三线性结构。第三线性结构可以布置在反射区域之间。
[0015]根据本发明的实施例，能够提供一种具有改善的光效率的线栅偏振板和一种包括该线栅偏振板的显示装置。
[0016]根据本发明的效果不限于如上例所示的内容，但更多的各种效果在本发明的说明书中进行描述。
【附图说明】
[0017]本发明的以上或其它示例性实施例、特征和优点通过下面结合附图进行详细地描述而将变得更加清楚，在附图中:
[0018]图1至图10是解释了根据本发明的用于制造线栅偏振板的方法的示例性实施例的剖视图；
[0019]图11是图5的加工品的平面图；
[0020]图12是图11的区域A的放大视图；
[0021]图13是图10的线栅偏振板的平面图；
[0022]图14是图13的区域A的放大视图；
[0023]图15是示出了图13的线栅偏振板和不透明层的布置的平面图；
[0024]图16是不出了图13的线栅偏振板和不透明层的布置的剖视图；
[0025]图17是示出了图12的第一变型示例的视图；
[0026]图18是示出了图14的线栅偏振板的第一变型示例的视图；
[0027]图19是示出了图18的线栅偏振板和不透明层的布置的平面图；
[0028]图20是示出了图12的第二变型示例的视图；
[0029]图21是示出了图14的线栅偏振板的第二变型示例的视图；
[0030]图22是示出了图21的线栅偏振板和不透明层的布置的平面图；
[0031]图23是图11的加工品的第一变型示例的平面图；
[0032]图24是图11的加工品的第二变型示例的平面图；以及
[0033]图25至图34是解释了根据本发明的用于制造线栅偏振板的方法的示例性实施例的剖视图。
【具体实施方式】
[0034]参照对示例性实施例和附图的以下详细描述，可以更加容易地理解本发明的特征和实现本发明的方法。本发明可以以许多不同的形式实施且不应该被解释为限制于在此阐述的实施例。相反，提供这些实施例使得本公开将本发明充分地传达给相关领域的普通技术人员。
[0035]在附图中，为了清楚，可以夸大层和区域的厚度。将理解的是，当元件或层被称作“在”另一元件或层“上”、“连接到”或“结合到”另一元件或层时，该元件或层可以直接在所述另一元件或层上、直接连接到或直接结合到所述另一元件或层，或者存在一个或更多个中间元件或中间层。相反，当元件被称作“直接在”另一元件或层“上”、“直接连接到”或“直接结合到”另一元件或层时，不存在中间元件或中间层。如这里使用的，连接可以指元件彼此物理连接、电连接、可操作地连接和/或流体地连接。
[0036]同样的附图标记始终表示同样的元件。如这里使用的，术语“和/或”包括一个或更多个相关所列项目的任何组合和所有组合。
[0037]将理解的是，尽管可以在这里使用术语“第一”、“第二”、“第三”等来描述各种元件、组件、区域、层和/或部分，但是所述元件、组件、区域、层和/或部分不应该受这些术语限制。相反地，这些术语仅用来将一个元件、组件、区域、层或部分与另一元件、组件、区域、层或部分区分开。因此，在不脱离本公开的教导的情况下，可以将以下描述的第一元件、组件、区域、层或部分可以容易地命名为第二元件、组件、区域、层或部分。
[0038]在这里可以使用诸如“在……下方”、“下”、“在……下面”、“在……上方”、“上”等空间相对术语来描述如附图中所示的一个元件或特征与另外的元件或特征的关系。将理解的是，空间相对术语意图包含除了图中描绘的方位之外装置在使用或操作期间的不同方位。例如，如果图中的装置被翻转，则描述为相对于其它元件或特征在“下方”或“之下”的元件随后将被相对于所述其它元件或特征定位在“上方”。因此，根据元件的方位，示例术语“在……下方”可以包含上方和下方两种方位。装置可以被另外定位(旋转90度或在其它方位)并且相应地解释在这里使用的空间相对描述语。
[0039]在这里使用的术语仅用于描述特定实施例的目的而非意图限制本发明。如在这里使用的，除非上下文另有明确指示，否则单数形式“一个”、“一种”、“该/所述”也意图包括复数形式。还将理解的是，术语“包括”及其变型用在说明书中时，表明存在陈述的特征、整体、步骤、操作、元件和/或组件，但是不排除存在或添加一个或更多个其它的特征、整体、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组。诸如“……中的至少一个(种)”的表述位于一列元件(要素)之后时，修饰整列的元件(要素)，而不是修饰该列中的个别元件(要素)。此外，描述实施例时“可以”的使用是指“一个或更多个实施例”。另外，术语“示例”意图指示例或例证。如这里使用的，术语“使用”及其变型可以被认为与术语“利用”及其变型同义。
[0040]此外，这里可以使用诸如“下”或“底部”和“上”或“顶部”等相对术语来描述如图中所示的一个元件与另一元件的关系。将理解的是，相对术语意图包含除了图中描绘的方位之外装置的不同方位。例如，如果附图之一中的装置被翻转，则描述为“在”其它元件的“下”侧上的元件随后将被定位“在”所述其它元件的“上”侧上。因此，根据图中的具体方位，示例性术语“下”可以包含“下”和“上”两种方位。类似地，如果其附图之一中的装置被翻转，则描述为“在”其它元件“下方”或“之下”的元件随后将被定位“在”所述其它元件“上方”。因此，示例性术语“在……下方”或“在……之下”可以包含在……上方和在……下方两种方位。
[0041]考虑到有问题的测量和与具体量的测量相关的误差(S卩，测量系统的限度)，如这里使用的“大约”或“近似地(大致)”包括如本领域普通技术人员所确定的对于具体值在可接受范围的偏差内的所陈述的值和平均值。例如，“大约”可以意味着在一个或更多个标准差以内，或者在所陈述的值的±30%、±20%、±10%、±5%以内。
[0042]除非另有限定，否则在这里使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与本公开所属领域的普通技术人员通常理解的含义相同的含义。还将理解的是，除非在这里明确如此定义，否则诸如在通用字典中定义的术语应该解释为具有与相关领域的上下文和本公开中的含义一致的含义，将不会以理想的或过于形式化的含义来进行解释。
[0043]在此参照作为理想实施例的示意图的剖视图来描述示例性实施例。如此，预计会出现例如由制造技术和/或公差引起的图示的形状的变化。因此，这里描述的实施例不应该被解释为局限于在这里示出的区域的具体形状，而是要包括由例如制造导致的形状上的偏差。例如，示出或描述为平坦的区域可以典型地具有粗糙和/或非线性特征。而且，示出的尖角可以被倒圆。因此，图中示出的区域实际上是示意性的，它们的形状并不意图示出区域的准确形状，并且不意图限制权利要求书的范围。
[0044]在下文中，将参照附图描述本发明的实施例。
[0045]图1至图10是解释了根据本发明的第一实施例的用于制造线栅偏振板的方法的剖视图。
[0046]参照图1，基础基板可以包括透光基板110、导电层120和引导层130。
[0047]透光基板110可以透射可见光，透光基板110的材料可以恰当地选择为匹配其目的或加工。在示例性实施例中，透光基板110可以包括玻璃、石英或各种聚合物化合物，例如，压克力、三乙酰纤维素(TAC)、环烯烃共聚物(C0C)、环烯烃聚合物(C0P)、聚碳酸酯(PC)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚酰亚胺(PI)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚醚砜(PES)和聚芳酯(PAR)，但不限于此。在示例性实施例中，透光基板110可以包括具有预定程度的柔性的光学膜基材料。
[0048]可以在透光基板110上设置导电层120。导电层120可以覆盖透光基板110的整个表面。导电层120可以包括任意导电材料而没有限制。在示例性实施例中，导电层120可以包括金属，具体地，可以包括招(Al)、络(Cr)、银(Ag)、铜(Cu)、镍(Ni)、钛(Ti)、钴(Co)、钼(Mo)和它们的合金中的一种，但不限于此。
[0049]根据情况，导电层120可以具有包括两层或更多层的多层结构。在示例性实施例中，第一导电层(未示出)可以包括铝，第二导电层(未示出)可以包括钛或钼，但第一导电层和第二导电层不限于此。在第一导电层(未示出)包括铝的情况下，根据随后的工艺中的处理温度可能出现小丘或第一导电层的上表面可能变得不均匀，这会引起显示装置的光学特性劣化。为了防止这个问题，包括钛或钼的第二导电层(未示出)可以设置在第一导电层(未示出)上，从而防止在工艺中出现小丘。
[0050]在示例性实施例中，可以使用例如溅射、化学气相沉积或蒸镀来设置导电层120，但不限于此。
[0051]可以在导电层120上设置引导层130。在示例性实施例中，引导层130可以是树脂层并且树脂层可以是光致抗蚀剂层，但不限于此。引导层130可以覆盖导电层120的整个表面。
[0052]参照图1和图2，将详细地描述通过引导层130的图案化来设置第一引导图案层1GP、3GP和T的步骤。参照图1和图2，第一引导图案层1GP、3GP和T可以包括第一引导图案1GP、第三引导图案3GP和第一沟槽T。在引导层130包括光致抗蚀剂的情况下，可以通过对引导层130进行曝光和显影以利用掩模等使图案匹配来设置第一引导隔壁131W和第三引导隔壁131R。然而，这仅仅是示例性的，可以使用各种图案化技术。
[0053]第一引导图案IGP可以包括彼此隔开的第一引导隔壁131W。第三引导图案3GP可以包括彼此隔开的第三引导隔壁131R。第一沟槽T可以暴露导电层120的在第一引导隔壁131W之间、在第三引导隔壁131R之间以及在第一引导隔壁131W和第三引导隔壁131R之间的部分。
[0054]第一引导隔壁131W可以设置有第一宽度LI，第三引导隔壁131R可以设置有第三宽度L3。第一宽度LI可以比第三宽度L3窄。换言之，第三引导隔壁131R的第三宽度L3比第一引导隔壁131W的第一宽度LI宽。
[0055]参照图2和图3，例如，可以执行修整工艺以通过第一引导图案IGP和第三引导图案3GP的宽度的减小来设置第二引导图案2GP和第四引导图案4GP。通过修整工艺，第一引导图案层1GP、3GP和T可以变成第二引导图案层2GP、4GP和Iv。第一引导隔壁131W可以变成第二引导隔壁131W'，第三引导隔壁131R可以变成第四引导隔壁131IT。第一沟槽T可以变成第二沟槽Iv。
[0056]在修整工艺之后，第二引导隔壁131W,的第二宽度L2变得比第一引导隔壁131W的第一宽度LI窄，第四引导隔壁131IT的第四宽度L4变得比第三引导隔壁131R的第三宽度L3窄。第二沟槽Iv的宽度变得比第一沟槽T的宽度宽。根据情况，通过修整工艺，第二引导隔壁131W'的宽度可以减小，甚至达到接近或基本上等于具有后面将描述的自取向嵌段共聚物纳米结构的畴(domain) 141和142(在图5中)的宽度的水平。
[0057]随着第一引导隔壁131W的第一宽度LI和第三引导隔壁131R的第三宽度L3减小，线栅偏振板的开口率和透射率可以得到提高。具体地，随着第一引导隔壁131W的第一宽度LI和第三引导隔壁131R的第三宽度L3减小，将要设置在第二引导隔壁131W'和第四引导隔壁131IT之间的第二沟槽Iv中的具有自取向嵌段共聚物纳米结构的畴141和142(在图5中)的数量可以增加，因此，线栅偏振板的开口率可以提高。随后将参照图5描述具有自取向嵌段共聚物纳米结构的畴。
[0058]在示例性实施例中，例如，可以利用等离子蚀刻工艺来执行修整工艺。不具体限制在修整工艺中使用的等离子体，只要其可以减小第一引导隔壁131W的第一宽度LI和第三引导隔壁131R的第三宽度L3。在不受限制的示例性实施例中，例如，可以利用氧(O2)等离子体来执行修整工艺。
[0059]第二引导图案2GP可以用作用于形成后面将描述的线性格子图案的第三线性结构3WS(在图13中)的掩模，第四引导图案4GP可以用作用于形成后面将描述的反射图案RF(在图13中)的掩模。
[0060]第二引导图案2GP可以包括彼此隔开的第二引导隔壁131W'，第四引导图案4GP可以包括彼此隔开的第四引导隔壁131IT。
[0061]参照图3和图4，可以在第二引导隔壁131W,和第四引导隔壁131IT之间的第二沟槽Iv中设置嵌段共聚物层140。嵌段共聚物可以包括第一重复单元和第二重复单元。在示例性实施例中，嵌段共聚物可以包括诸如PS-b-PB(聚苯乙烯-嵌段-聚丁二烯)、PS-b-PI(聚苯乙烯-嵌段-聚异戊二烯)、PS-b-PMMA(聚苯乙烯-嵌段-聚(甲基丙烯酸甲酯))、PS-b-P2VP(聚苯乙烯-嵌段-聚(2-乙烯基吡啶))、PS-b-PFDMS(聚苯乙烯-嵌段-聚(二茂铁-二甲基硅烷))、PS-b-PtBA(聚苯乙烯-嵌段-聚(丙烯酸叔丁酯))、PS-b-PFEMS(聚苯乙烯-嵌段-聚(二茂铁乙基甲基硅烷))、P1-b-PE0(聚异戊二烯-嵌段-聚(环氧乙烷))、PB-b-PVP(聚丁二烯-嵌段-聚(丁二烯-嵌段-乙烯基卩比啶鑰))、PtBA-b-PCEMA(聚(丙烯酸叔丁酯)-嵌段-聚(甲基丙烯酸肉桂酰乙酯))、PS-b_PLA(聚苯乙烯-嵌段-聚乳酸)、PaMS-b_PHS(聚(α-甲基苯乙烯)_嵌段-聚(4-羟基苯乙烯))、ProPS-b-P4VP(十五烷基苯酚改性聚苯乙烯-嵌段-聚(4-乙烯基吡啶))、PS-b-PEO(聚(苯乙烯-嵌段-环氧乙烷))、PS-b-PDMS(聚苯乙烯-嵌段-聚(二甲基硅氧烷))、PS-b-PE(聚苯乙烯-嵌段-聚乙烯)、PS-b-PFS(聚苯乙烯-嵌段-聚(二茂铁二甲基硅烷))、PS-b-PPP(聚苯乙烯-嵌段-聚(对苯))、PS-b-PB-b-PS、PS-b-P1-b-PS、PEO-b-PPO(聚(环氧丙烷)-嵌段_PEO)、PVPDMPS(聚(4-乙烯基-苯基二甲基-2-丙氧基硅烷)-b-P1-b-PVPDMPS)、PS-b-P2VP-b-PtBMA或它们的嵌段共聚物中的至少一种。
[0062]第一重复单元和第二重复单元具有不同的化学性质。第一重复单元和第二重复单元可以通过自组装微相分离。第一重复单元和第二重复单元具有不同的蚀刻速率。第一重复单元或第二重复单元中的一个可以相对于第二引导隔壁131W'和第四引导隔壁131IT具有选择性的亲和性。如后面所述，可以选择性地去除第一重复单元自取向的第一畴和第二重复单元自取向的第二畴中的一个。
[0063]虽然未示出，但是在将嵌段共聚物层140设置在第二沟槽f中之前，可以在第二沟槽Iv的底部上(S卩，在第二沟槽Iv中的导电层120上)设置中性层(未示出)。可以利用与嵌段共聚物的表面能几乎同样的材料来设置中性层(未示出)。因为中性层(未示出)相对于嵌段共聚物的第一重复单元或第二重复单元不具有选择性的亲和性，所以控制嵌段共聚物的第一重复单元或第二重复单元的竖直对齐成为可能。
[0064]在示例性实施例中，中性层(未示出)可以是例如嵌段共聚物的单体的无规共聚物，但不限于此。
[0065]无规共聚物的示例可以包括例如PS-r_PB(聚苯乙烯-无规-聚丁二烯)、PS-r_PI(聚苯乙烯-无规-聚异戊二烯)、PS-r-PMMA(聚苯乙烯-无规-聚(甲基丙烯酸甲酯))、PS-r-P2VP(聚苯乙烯-无规-聚(2-乙烯基吡啶))、PS-r-PFDMS(聚苯乙烯-无规-聚(二茂铁-二甲基硅烷))、PS-r-PtBA(聚苯乙烯-无规-聚(丙烯酸叔丁酯))、PS-r-PFEMS(聚苯乙烯-无规-聚(二茂铁乙基甲基硅烷))、P1-r-PE0(聚异戊二烯-无规-聚(环氧乙烷))、PB-r-PVP(聚丁二稀-无规-聚(丁二稀-无规-乙稀基卩比啶鐵))、PtBA-r-PCEMA(聚(丙稀酸叔丁酯)-无规-聚(甲基丙烯酸肉桂酰乙酯))、PS-r_PLA(聚苯乙烯-无规-聚乳酸)、PaMS-r-PHS(聚(α-甲基苯乙烯)_无规-聚(4-羟基苯乙烯))、ProPS-r-P4VP(十五烷基苯酚改性聚苯乙烯-无规-聚(4-乙稀基卩比啶))、PS-r_PE0(聚(苯乙稀-无规-环氧乙烧))、PS_r_PDMS(聚苯乙稀-无规-聚(二甲基娃氧烧))、PS-r_PE(聚苯乙稀-无规-聚乙稀)、PS-r_PFS(聚苯乙稀-无规-聚(二茂铁二甲基硅烷))、PS-r-PPP(聚苯乙烯-无规-聚(对苯mS-r-PB-r-PSJS-r-P1-r-PS'PEO-r-pPO(聚 (环氧丙烷 ))1^^0、？￥?010^(聚(4-乙烯基-苯基二甲基-2-丙氧基硅烷))-广?11_PVPDMPS和PS-r-P2VP-r-PtBMA中的至少一种，但不限于此。
[0066]此外，第二引导隔壁131W,的表面和第四引导隔壁131IT的表面可以处理为疏水表面。在示例性实施例中，可以通过含氟聚合物涂覆工艺或含氟气体等离子体工艺来执行第二引导隔壁131W,和第四引导隔壁131IT的疏水表面处理，但不限于此。在示例性实施例中，可以在设置中性层(未示出)之前执行第二引导隔壁131W'和第四引导隔壁131IT的疏水表面处理。
[0067]参照图4和图5，通过使嵌段共聚物层140自组装，可以设置第一畴141和第二畴142交替地布置的自组装嵌段共聚物纳米结构。
[0068]自组装嵌段共聚物纳米结构可以包括第一畴141和第二畴142。第一畴141可以包括第一重复单元，第二畴142可以包括第二重复单元。可以通过第一重复单元的自组装来设置第一畴141，并可以通过第二重复单元的自组装来设置第二畴142。
[0069]在示例性实施例中，嵌段共聚物层140的自组装工艺可以通过例如退火来执行。在示例性实施例中，例如，退火包括热退火和溶剂退火。热退火是一种通过在嵌段共聚物的玻璃化转变温度Tg之上进行加热来引导微相分离的方法，溶剂退火是一种通过使包括嵌段共聚物的聚合物薄膜在溶剂蒸气下暴露而赋予聚合物链流动性来引导微相分离的方法。
[0070]在示例性实施例中，例如，在执行利用溶剂退火的工艺的情况下，例如，可以设置第一引导隔壁131W和第三引导隔壁131R(在图2中)，使得在它们的修整工艺后它们的高度变为等于或高于嵌段共聚物层140的2.5倍的高度。因为随着溶剂退火工艺中蒸发的溶剂渗入到嵌段共聚物中发生膨胀，所以要求确保上述高度，以便防止嵌段共聚物越过第二引导隔壁131W,和第四引导隔壁131R1在图3中)流出第二沟槽Tl在图3中)。
[0071]参照图5和图6，可以仅选择性去除第一畴141和第二畴142之中的第二畴142。在示例性实施例中，可以利用对第二畴142具有高亲和性的溶剂执行选择性去除第一畴141和第二畴142之中的第二畴142的工艺，但不限于此。可以通过干法蚀刻工艺仅选择性去除第二畴142。在示例性实施例中，例如，可以用在干法蚀刻中的气体可以包括氧(O2)、碳氟化合物气体和氟化氢(HF)中的至少一种，但不限于此。在示例性实施例中，碳氟化合物气体可以包括例如C4F8、CHF3、CH2F2、CFjPC2F6中的至少一种，但不限于此。
[0072]参照图6至图10，可以利用第二引导隔壁131W,和第四引导隔壁131IT以及第一畴141作为掩模通过使导电层120图案化来设置导电图案层。导电图案层可以包括线性格子图案PT和反射图案RF。
[0073]可以设置线性格子图案PT，使得导电隔壁121D和121W以比入射光的波长短的周期的间隔彼此隔开。线性格子图案PT可以透射入射光的第一偏振光，并可以反射垂直于第一偏振光的第二偏振光。在不例性实施例中，例如，第一偏振光可以是垂直于导电隔壁12ID和121W的P-波偏振光，第二偏振光可以是平行于导电隔壁121D和121W的S-波偏振光。
[0074]在不受限制的示例性实施例中，例如，导电隔壁121D和121W可以具有大约50纳米(nm)或更小的线宽、大约150nm或更大的厚度以及大约I OOnm的间距。
[0075]可以通过由第一畴141保护的区域的导电层120的图案化来设置导电隔壁121D，并可以通过由第二引导隔壁131W'保护的区域的导电层120的图案化来设置导电隔壁121W。可以通过由第四引导隔壁131IT保护的区域的导电层120的图案化来设置反射图案RF。反射图案RF可以反射入射光的第一偏振光和第二偏振光两者。被线性格子图案PT反射的第二偏振光可以被反射图案RF再反射以入射到线性格子图案PT。如后面所述，反射图案RF可以布置在线性格子图案PT之间。这将参照图11至图13进行详细地描述。
[0076]图7的线栅偏振板可以包括:透光基板110;导电隔壁1210、121胃和1211?，平行地布置为从透光基板110突起;第二引导隔壁131W,和第四引导隔壁131IT，位于导电隔壁121W和121R上;第一畴141，位于导电隔壁121D上。
[0077]在第二引导隔壁131W,和第四引导隔壁131IT以及第一畴141未被完全地去除以防止过蚀刻的范围内执行蚀刻的情况下，第二引导隔壁131W'和第四引导隔壁131IT以及第一畴141可以保留在导电隔壁121D、121W和121R上。
[0078]可以在第二引导隔壁131W,之间将第一畴141重复地布置为彼此相邻。可以在第二引导隔壁131W,和第四引导隔壁131IT之间将第一畴141重复地布置为彼此相邻。
[0079]图8的线栅偏振板可以包括:透光基板110;导电隔壁1210、121胃和1211?，平行地布置为从透光基板110突起;第二引导隔壁131W,和第四引导隔壁131IT，位于导电隔壁121W和121R上。图8的线栅偏振板与图7的线栅偏振板的不同点为第一畴141未布置在导电隔壁121D 上。
[0080]可以布置第二引导隔壁131W'和第四引导隔壁131IT使得导电隔壁121D置于其间。
[0081]图9的线栅偏振板可以包括:透光基板110;导电隔壁1210、121胃和1211?，平行地布置为从透光基板110突起;第一畴141，位于导电隔壁121D上。图9的线栅偏振板与图7的线栅偏振板的不同点为第二引导隔壁131W,和第四引导隔壁131V未布置在导电隔壁121W和121R 上。
[0082]第一畴141可以以预定间隔布置在导电隔壁121W和导电隔壁121R之间。
[0083]图10的线栅偏振板可以包括透光基板110以及平行地布置为从透光基板110突起的导电隔壁121D、121W和121R。
[0084]通过去除保留在导电隔壁121D、121W和121R的上部上的第二引导隔壁131矿和第四引导隔壁131V以及第一畴141，仅导电隔壁121D、121W和121R可以保留在透光基板110上。
[0085]图11是图5的加工品的平面图，图12是图11中区域A的放大视图。
[0086]参照图11，包括第二引导隔壁131W'的第二引导图案2GP可以在第二方向D2上彼此隔开，包括第四引导隔壁131IT的第四引导图案4GP可以在第一方向Dl或第二方向D2上彼此隔开，使得第二沟槽Iv置于第四引导图案4GP之间。第二引导图案2GP可以连接到第四引导图案4GP。
[0087]在示例性实施例中，第二沟槽T'可以设置在由第二引导图案2GP和第四引导图案4GP围绕的区域中，并可以以例如直边六边形(straight hexagonal)形状设置。然而，本发明不限于此，第二沟槽Iv可以包括各种其它形状。
[0088]参照图12，自取向嵌段共聚物纳米结构可以设置在第二沟槽f中。自取向嵌段共聚物纳米结构可以包括第一畴141和第二畴142。第一畴141和第二畴142可以提供在第二沟槽I"中彼此隔开的包括层层围绕的聚合物简单闭合曲线的第一靶形图案。
[0089]在示例性实施例中，例如，如图12中所示，第一畴141的直边六边形的聚合物简单闭合曲线和第二畴142的直边六边形的聚合物简单闭合曲线可以在第二沟槽Iv中彼此隔开而层层布置以提供第一靶形图案。第二畴142的直边六边形的聚合物简单闭合曲线可以围绕布置在内部的第一畴141的直边六边形的聚合物简单闭合曲线的轮廓，第一畴141的直边六边形的聚合物简单闭合曲线可以围绕布置在内部的第二畴142的直边六边形的聚合物简单闭合曲线的轮廓，从而提供第一靶形图案。
[0090]在第一靶形图案的最内侧上的直边六边形聚合物简单闭合曲线的内部，可以布置线性第一畴141、线性第二畴142或者线性第一畴141和线性第二畴142。即，第一畴141的一部分和第二畴142的一部分可以不提供直边六边形的聚合物简单闭合曲线。
[0091 ]图13是图1O的线栅偏振板的平面图，图14是图13的区域A的放大视图。参照图11至图14，在选择性地去除第二沟槽Iv中的第一畴141和第二畴142之中的第二畴142之后，可以利用第一畴141作为掩模在窗口区域WR中设置第二靶形图案，并可以利用第二引导隔壁131W'作为掩模设置第三线性结构3WS。此外，可以利用第四引导隔壁131R'作为掩模设置反射图案RF。
[0092]参照图13和图14，线栅偏振板可以包括窗口区域WR和布置在窗口区域WR的轮廓上的框架区(frame reg1n)PR。窗口区域WR是对应于第二沟槽Iv (在图11中)的区域，在窗口区域WR中，可以设置第二靶形图案，第二靶形图案包括以比入射光的波长小的周期的间隔彼此隔开的层层围绕的导电简单闭合曲线。窗口区域WR可以布置在第二方向D2上。
[0093]第二靶形图案可以包括两个或更多个多边形导电简单闭合曲线，在所述闭合曲线中，在一个方向上延伸且彼此隔开的两个第一线性结构IWS和不在所述一个方向上延伸的两个或更多个第二线性结构2WS彼此连接。
[0094]在示例性实施例中，例如，第二靶形图案可以包括层层布置且彼此隔开的直边六边形导电简单闭合曲线。直边六边形导电简单闭合曲线可以是简单闭合曲线，在该简单闭合曲线中，在第二方向D2上延伸且彼此平行隔开的两个第一线性结构IWS和不在第二方向D2延伸的四个第二线性结构2WS彼此连接。第二线性结构2WS可以包括在第三方向D3上延伸的两个第2-1线性结构2-1WS和在第四方向D4上延伸的两个第2-2线性结构2-2WS。在示例性实施例中，例如，限定在第一线性结构IWS和第二线性结构2WS之间的角度α可以是钝角。在示例性实施例中，例如，限定在第2-1线性结构2-1WS和第2-2线性结构2-2WS之间的角度β可以是锐角。
[0095]可以以与第一畴141的聚合物简单闭合曲线的形状相同的形状来设置第一线性结构IWS和第二线性结构2WS的导电简单闭合曲线。因此，可以根据第一畴141的聚合物简单闭合曲线的形状来改变第一线性结构IWS和第二线性结构2WS的导电简单闭合曲线。在示例性实施例中，例如，在第一畴141的聚合物简单闭合曲线的形状是直八边形的情况下，第一线性结构IWS和第二线性结构2WS的导电简单闭合曲线可以是直八边形。
[0096]框架区PR可以包括第三线性结构3WS和反射图案RF。
[0097]第三线性结构3WS可以布置在窗口区域WR之间。因为第二靶形图案可以设置在窗口区域WR中，所以第三线性结构3WS可以布置在第二靶形图案之间。第三线性结构3WS可以在第一线性结构IWS延伸所沿的第二方向D2上延伸。
[0098]反射图案RF可以包括:第一反射区域RFl，在第一方向Dl上延伸；第二反射区域RF2，在第二方向D2上延伸；第三反射区域Re，设置在外接于第二靶形图案的最外侧上的导电简单闭合曲线的矩形区域(虚线)中。
[0099]虽然未示出，但是数据布线(未示出)可以在平行于第一方向Dl的方向上延伸，栅极布线(未示出)可以在平行于第二方向D2的方向上延伸。第一反射区域RFl可以与数据布线(未示出)叠置，第二反射区域RF2可以与栅极布线(未示出)叠置。
[0100]第三反射区域Re可以连接到第一反射区域RFl或第二反射区域RF2。第三反射区域Re可以延伸与通过从矩形区域(虚线)的面积减去第二靶形图案的导电简单闭合曲线的面积所获得的面积一样大的反射图案的面积，反射图案RF的面积的这种延伸可以提高第二偏振光的反射效率。
[0101]反射图案RF可以通过使由第四引导图案4GP保护的区域的导电层图案化来设置，并可以连接到第三线性结构3WS。反射图案RF可以布置在线性格子图案PT之间。
[0102]此外，因为能够以与第一畴141的聚合物简单闭合曲线的形状相同的形状来设置第一线性结构IWS和第二线性结构2WS的导电简单闭合曲线，所以线栅偏振板还可以包括第四线性结构(未示出)，所述第四线性结构对应于可以布置在第一靶形图案的最内侧上的矩形聚合物简单闭合曲线的内侧上的线性第一畴141、线性第二畴142或者线性第一畴141和线性第二畴142。第四线性结构(未示出)可以布置在第一线性结构IWS的布置方向上。
[0103]图15是示出了图13的线栅偏振板和不透明层的布置的平面图。
[0104]参照图14和图15，不透明层220可以布置在线栅偏振板的上部上，并可以包括非开口NOP和开口OPο在示例性实施例中，例如，不透明层220可以是黑色矩阵。
[0105]非开口NOP可以覆盖第二靶形图案的第二线性结构2WS和反射图案RF。第二靶形图案的第一区域ARl可以被非开口 NOP覆盖，第二区域AR2可以与开口 OP叠置。因为不透明层220拦截了入射光，所以已经透射到被非开口 NOP覆盖的第二靶形图案的第一区域ARl的第一偏振光不会被发射到显示装置的外部。
[0106]基于作为边界的第二靶形图案的最内侧上的导电简单闭合曲线的第二线性结构2WS，可以划分第一区域ARl和第二区域AR2，第一区域ARl可以包括布置有第二靶形图案的最内侧上的导电简单闭合曲线的第二线性结构2WS的区域。第二线性结构2WS可以被非开口NOP覆盖。根据情况，第一线性结构IWS的连接到第二线性结构2WS的部分可以被非开口 NOP覆盖。
[0107]第二区域AR2是未布置第二靶形图案的最内侧上的导电简单闭合曲线的第二线性结构2WS的区域，且第二区域AR2布置在第一区域ARl之间。第一线性结构IWS在第二区域AR2中以比入射光的波长短的周期彼此隔开，且布置在平行于第二方向D2的方向上。
[0108]此外，第三线性结构3WS可以在与开口OP叠置的区域中以比入射光的波长短的周期与第一线性结构IWS隔开，并可以布置在第二方向D2上。
[0109]透光基板110可以在与开口 OP叠置的区域中布置在第一线性结构3WS和第三线性结构3WS之间。
[0110]图16是示出了图13的线栅偏振板和不透明层220的布置的显示装置的部分剖视图。
[0111]参照图16，线栅偏振板可以布置在透光基板110上，栅电极G可以布置在线栅偏振板上。绝缘层150可以布置在线栅偏振板和栅电极G之间。线栅偏振板可以被构造为包括反射图案RF和线性格子图案PT，反射图案RF可以布置在与不透明层220叠置的区域中。包括导电隔壁121W的线性格子图案PT可以布置在与滤色器230叠置的区域中。
[0112]薄膜晶体管(TFT)可以如下构造。栅电极G位于透明基板110上，栅绝缘层GI位于栅电极G上。半导体层ACT位于在栅绝缘层GI上至少一部分与栅电极G叠置的区域中，源电极S和漏电极D位于半导体层ACT上并彼此隔开。钝化层PL位于栅绝缘层G1、源电极S、半导体层ACT和漏电极D上，像素电极PE经由使漏电极D的至少一部分暴露的接触孔位于钝化层PL上以电连接到漏电极D。
[0113]包括液晶分子301的液晶层300可以布置在薄膜晶体管的上部上，滤色器基板可以布置在液晶层300的上部上。滤色器基板可以具有不透明层220与红色、绿色和蓝色滤色器230设置在透光基板210上的结构。覆层240可以布置在不透明层220和滤色器230上。透光基板210可以包括诸如玻璃或塑料的透明绝缘材料，不透明层220可以是用于防止漏光的黑色矩阵。滤色器230可以布置在不透明层220的两端上。虽然未显示，但是共电极还可以设置在覆层240上，共电极是包括诸如氧化铟锡(ITO)或氧化铟锌(IZO)的透明导电氧化物的电场产生电极。
[0114]液晶层300用来使入射光的偏振轴旋转，并且可以是具有正介电各向异性的扭转向列(TN)模式、垂直取向(VA)模式或者水平取向(面内切换(IPS)或边缘场切换(FFS))模式，但不限于此。
[0115]显示装置可以另外包括发射光的背光单元(未示出)和布置在基板210的上部上的上偏振板(未不出)。
[0116]背光单元还可以包括例如导光板、光源部分、反射构件和光学片。
[0117]导光板(LGP)是使由光源部分产生的朝向液晶层的光的路径改变的部分，并可以设置有设置为使由光源部分产生的光入射到其上的光入射表面和指向液晶层的光发射表面。导光板可以包括诸如作为透光材料之一的聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)或聚碳酸酯(PC)的具有预定折射率的材料，但不限于此。
[0118]因为入射到包括上述材料的导光板的一侧或两侧的光具有在导光板的临界角之内的角度，所以所述光入射到导光板的内部。当光入射到导光板的上表面或下表面时，光的角度偏离了临界角，因此光不会发射到导光板的外部，而是均匀地传播到导光板的内部。
[0119]散射图案可以设置在导光板的上表面和下表面中的任何一个上，例如，设置在与光发射表面相对的下表面上，使得被引导的光能够发射到其上部。即，散射图案可以用例如墨水印刷在导光板的一个表面上，使得从导光板的内部传播的光能够发射到其上部。散射图案可以通过印刷墨水来设置，但不限于此。微小的槽或突起可以限定在导光板中，或者能够对其做出各种变型。
[0120]反射构件还可以设置在导光板与下容纳构件的底部之间。反射构件用来对发射到导光板的下表面(即，发射到面对光发射表面的对向表面)的光进行反射，并用来将反射的光供应到导光板。反射构件可以处于膜形状，但不限于此。
[0121]光源部分可以面对导光板的光入射表面。当需要的时候，光源部分的数量可以适当地改变。在示例性实施例中，可以仅在导光板的一个侧表面上设置一个光源部分，或者可以设置三个或更多个光源部分以对应于导光板的四个侧表面中的三个或更多个。此外，也可以能够设置对应于导光板的侧表面中的任何一个侧表面的多个光源部分。如上所述，已经举例说明了作为光源位于导光板的侧面上的一种类型的侧光型。然而，另外，可以根据背光构造设置直下型或表面型光源类型。
[0122]在示例性实施例中，例如，光源可以包括发射白光的白色LED或者分别发射红(R)光、绿(G)光和蓝(B)光的多个LED。当通过分别发射红(R)光、绿(G)光和蓝(B)光的LED来实现多个光源时，可以同时导通LED以通过颜色混合来实现白光。
[0123]第二靶形图案可以是在一个方向上延伸的两个第一线性结构和不在所述一个方向上延伸的两个或更多个第二线性结构的非多边形简单闭合曲线。非多边形简单闭合曲线可以包括至少一个短边是曲线的变型直边六边形简单闭合曲线。
[0124]图17是示出了图12的第一变型示例的视图，图18是示出了图14的线栅偏振板的第一变型示例的视图。
[0125]参照图17，第一靶形图案可以具有包括变型直边六边形聚合物简单闭合曲线的第一畴141和包括变型直边六边形聚合物简单闭合曲线的第二畴142层层布置且彼此隔开的结构。变型直边六边形聚合物简单闭合曲线可以是短边被变型为曲线的变型直边六边形聚合物简单闭合曲线。
[0126]图18的第二靶形图案可以包括具有与第一畴141的聚合物简单闭合曲线的形状相同的形状的变型直边六边形简单闭合曲线。参照图18，第二靶形图案可以包括具有彼此平行的两个第一线性结构1WS、曲线形状的两个第2-1线性结构2-1WS和曲线形状的两个第2-2线性结构2-2WS的至少两个导电简单闭合曲线。图18的第二靶形图案与图14的第二靶形图案的不同点在于:第2-1线性结构2-1WS和第2-1线性结构2-2WS是曲线形状，而第二线性结构2WS是直线形状。
[0127]图19是示出了图18的线栅偏振板和不透明层的布置的平面图。
[0128]参照图19，除了曲线形状的第2-1线性结构2-1WS和第2-2线性结构2-2WS布置在第一区域ARl中，并且非开口 NOP覆盖曲线形状的第2-1线性结构2-1WS和第2-2线性结构2-2WS之外，图18的线栅偏振板和不透明层的布置与如上参照图15描述的图14的线栅偏振板和不透明层的布置相同。
[0129]图20是示出了图12的第二变型示例的视图，图21是示出了图14的线栅偏振板的第二变型示例的视图。
[0130]参照图20和图21，第一靶形图案和第二靶形图案可以具有包括两个圆弧型结构的至少两个简单闭合曲线层层布置且彼此隔开的结构。图20和图21的第一靶形图案和第二靶形图案与图12和图14的第一靶形图案和第二靶形图案的不同点在于:图20和图21的靶形图案包括两个圆弧型结构的简单闭合曲线，而图12和图14的靶形图案包括直边六边形简单闭合曲线。弧型结构可以具有包括曲线部分和支撑曲线部分的支撑部分的结构，例如，支撑部分可以是线性形状。
[0131]虽然未示出，但弧型结构的非多边形简单闭合曲线不限于两个圆弧型结构的简单闭合曲线，而可以是圆弧结构、弓形弧结构、马蹄形弧结构、尖弧结构和反弧形弧结构之中的两个或更多个简单闭合曲线，圆形简单闭合曲线或者椭圆形简单闭合曲线。
[0132]参照图20，第一靶形图案可以具有包括变型矩形聚合物简单闭合曲线的第一畴141和包括变型矩形聚合物简单闭合曲线的第二畴142层层布置且彼此隔开的结构。变型矩形聚合物简单闭合曲线可以是短边被变型为曲线的变型矩形聚合物简单闭合曲线。
[0133]图21的第二靶形图案可以包括具有与第一畴141的聚合物简单闭合曲线的形状相同的形状的变型矩形简单闭合曲线。参照图21，第二靶形图案可以包括具有彼此平行的两个第一线性结构IWS和圆弧形状的两个第二线性结构2WS的至少两个导电简单闭合曲线。图21的第二靶形图案与图14的第二靶形图案的不同点在于:第二线性结构2WS是圆弧形状，而图14的第二靶形图案的第二线性结构2WS是线性形状。
[0134]图22是示出了图21的线栅偏振板和不透明层220的布置的平面图。
[0135]参照图22，除了圆弧形状的第二线性结构2WS布置在第一区域ARl中，并且非开口NOP覆盖圆弧形状的第二线性结构2WS之外，图21的线栅偏振板和不透明层的布置与如上参照图15描述的图14的线栅偏振板和不透明层的布置相同。
[0136]图23是图11的加工品的第一变型示例的平面图。
[0137]图23的加工品与图11的加工品的不同点在于:在图23的加工品中，第二引导隔壁13Iff7和第二沟槽Iv平行于第一方向Dl布置，而在图11的加工品中，第二引导隔壁131W,和第二沟槽I"平行于第二方向D2布置。
[0138]图24是图11的加工品的第二变型示例的平面图。
[0139]图24的加工品与图11的加工品的不同点在于:在图24的加工品中，第二引导隔壁13Iff7和第二沟槽Iv平行于第三方向D3布置，而在图11的加工品中，第二引导隔壁131矿和第二沟槽Iv平行于第二方向D2布置。
[0140]图25至图34是解释了根据本发明的第二实施例的制造线栅偏振板的方法的剖视图。
[0141]参照图25，基础基板可以包括透光基板310、导电层320和330、引导层340、硬掩模层350、覆盖层360以及牺牲层370。
[0142]透光基板310可以透射可见光，透光基板310的材料可以适当地选择为匹配其目的或加工。因为已经描述了透光基板310，所以将省略其详细解释。
[0143]导电层320和330可以包括任何导电材料而不受限制。导电层320和330可以完全地覆盖透光基板310。如上所述，导电层320和330可以包括第一导电层320和第二导电层330。
[0144]在示例性实施例中，第一导电层320可以包括铝(Al)、铬(Cr)、银(Ag)、铜(Cu)、镍(Ni)、钛(Ti)、钴(Co)、钼(Mo)和它们的合金中的一种，但不限于此。
[0145]第二导电层330可以包括具有比第一导电层320的蚀刻速率低的蚀刻速率的材料。在示例性实施例中，第一导电层320可以包括铝并且第二导电层330可以包括钛或钼，但它们不限于此。
[0146]引导层340可以设置在第二导电层330上。引导层340可以完全地覆盖第二导电层330。引导层340可以包括具有比第二导电层330的蚀刻速率高的蚀刻速率的材料。在示例性实施例中，引导层340可以包括例如氮化硅(SiNx)，但不限于此。
[0147]硬掩模层350可以设置在引导层340上。硬掩模层350可以完全地覆盖引导层340。硬掩模层350可以包括具有比引导层340的蚀刻速率低的蚀刻速率的材料。在示例性实施例中，硬掩模层350可以包括铝(Al)，但不限于此。
[0148]覆盖层360可以设置在硬掩模层350上。覆盖层360可以完全地覆盖硬掩模层350。覆盖层360可以防止发生硬掩模层350的小丘现象。覆盖层360可以包括具有比硬掩模层350的蚀刻速率低的蚀刻速率的材料。覆盖层360可以包括钛(Ti)，但不限于此。可以省略覆盖层 360。
[0149]牺牲层370可以设置在硬掩模层350上。牺牲层370可以完全地覆盖硬掩模层350。牺牲层370可以包括具有比覆盖层360的蚀刻速率高的蚀刻速率的材料。在示例性实施例中，例如，牺牲层370可以包括氮化硅(SiNx)，但不限于此。
[0150]第一光敏膜图案层380可以设置在牺牲层370上。在示例性实施例中，例如，可以利用光刻方法来设置第一光敏膜图案层380。第一光敏膜图案381、382和383可以布置在牺牲层370上且彼此隔开，牺牲层370的部分可以暴露在第一光敏膜图案381、382和383之间。
[0151]参照图25和图26，可以在覆盖层360上设置牺牲层图案371、372和373。可以通过利用第一光敏膜图案381、382和383作为掩模使牺牲层370图案化来设置牺牲层图案371、372和 373 0
[0152]可以在牺牲层图案371、372和373以及覆盖层360上设置分隔层390。分隔层390可以完全地覆盖牺牲层图案371、372和373以及暴露在牺牲层图案371、372和373之间的覆盖层360。在示例性实施例中，例如，分隔层390可以包括氧化硅(S1x)。
[0153]参照图26和图27，可以通过使分隔层390图案化来设置分隔图案391、392、393、394、395和396。具体地，分隔图案391、392、393、394、395和396可以覆盖牺牲层图案371、372和373的侧表面。覆盖层360的部分可以暴露在分隔图案391、392、393、394、395和396之间。牺牲层图案371、372和373的上表面可以暴露在分隔图案391、392、393、394、395和396之间。
[0154]参照图28，可以仅在第一区域Rl和第二区域R2之中的第二区域R2上设置第二光敏膜图案400。第一区域Rl是随后将要设置有线性格子图案PT(在图34中)的区域，第二区域R2是随后将要设置有反射图案RF(在图34中)的区域。换言之，第二光敏膜图案400可以保护将要设置有反射图案RF(在图34中)的区域。
[0155]参照图29，可以仅从第一区域Rl选择性地去除牺牲层371和372。因为牺牲层373被第二光敏膜图案400保护，所以与牺牲层371和372不同，牺牲层373未被去除。在去除牺牲层371和372之后，覆盖层360的部分可以在第一区域Rl中暴露在分隔图案391、392、393和394之间。
[0156]参照图29和图30，在第二区域R2被第二光敏膜图案400保护的状态下，可以利用分隔图案394、395和196作为掩模使第一区域Rl中的硬掩模层350和引导层340图案化。在第一区域Rl中，第一硬掩模图案351和引导图案341可以设置在第二导电层330上。虽然未示出，但覆盖层360的部分可以保留在硬掩模图案351上。
[0157]第一区域中的引导图案341或者引导图案341和第一硬掩模图案351可以对应于如上所述的第一引导图案1GP(参照图2)。
[0158]在设置了第一硬掩模图案351和引导图案341之后，可以去除第二光敏膜图案400。第一剩余覆盖层图案360r、第一剩余硬掩模图案350r和剩余引导图案340r可以设置在通过第二光敏膜图案400保护的第二区域中。
[0159]剩余引导图案340r、或者第一剩余覆盖层图案360r、第一剩余硬掩模图案350r和剩余引导图案340r可以对应于如上所述的第三引导图案3GP(参照图2)。
[0160]参照图31，可以在引导图案341之间以及分隔图案394和395之间设置自组装嵌段共聚物层410。自组装嵌段共聚物层410可以包括第一畴410a和第二畴410b。因为已经描述了自组装嵌段共聚物层410，所以将省略对其的详细解释。
[0161]虽然未示出，但是可以在沟槽的底部部分上(S卩，在沟槽中的第二导电层330上)设置中性层(未示出)，以控制嵌段共聚物的第一重复单元和第二重复单元的竖直取向。因为已经描述了中性层，所以将省略对其的详细解释。
[0162]此外，可以将引导图案341的表面处理为疏水表面。在示例性实施例中，例如，引导层341的疏水表面处理可以通过含氟聚合物涂覆工艺或含氟气体等离子体工艺来执行，但不限于此。
[0163]参照图31和图32，可以仅选择性地去除第一畴410a和第二畴410b之中的第二畴410b。作为示例，选择性地去除第一畴410a和第二畴410b之中的第二畴410b的工艺可以利用如上所述的具有高亲和性的溶剂来执行。
[0164]参照图32和图33，可以在第一区域Rl中利用第一畴410a和引导图案341作为掩模使导电层320和330图案化。第一导电图案层321和321a以及第二导电图案层331和331a可以设置在第一区域Rl中。第一导电图案层321和321a可以布置在第二导电图案层331和331a的下部上。
[0165]在第二区域R2中，可以利用分隔图案394、395和396以及牺牲层图案373作为掩模来使第一剩余覆盖层图案360r和第一剩余硬掩模图案350r图案化。在第二区域R2中，可以设置覆盖层图案361和361a、第二硬掩模图案351和351a、第二剩余覆盖层图案360rr以及第二剩余硬掩模图案350rr。此外，作为在第一区域Rl中使导电层320和330图案化的结果，可以在第二区域R2中设置剩余导电图案320r和330r。
[0166]参照图33和图34，可以在透光基板310上仅设置第一导电图案321和321a以及剩余导电图案320r。
[0167]第一导电图案321与321a可以提供线性格子图案PT，剩余导电图案320r可以提供反射图案RF。第一导电图案321a可以对应于如上所述的线性结构121W(参照图10)，第一导电图案321可以对应于如上所述的第四线性结构121R(参照图10)。
[0168]虽然已经出于说明性的目的描述了本发明的优选实施例，但是本领域的技术人员将领会的是，在不脱离如所附权利要求公开的本发明的精神和范围的情况下，可做各种变型、添加和替代。
【主权项】
1.一种线栅偏振板，所述线栅偏振板包括: 透光基板；以及 导电图案层，布置在所述透光基板的一个表面上，所述导电图案层包括窗口区域和布置在外接到所述窗口区域的矩形区域中的至少一个反射区域，所述窗口区域具有靶形图案，所述靶形图案包括以比入射光的波长短的周期的间隔彼此隔开的层层围绕的导电简单闭合曲线，所述窗口区域透射所述入射光的第一偏振光并反射垂直于所述第一偏振光的第二偏振光，所述至少一个反射区域反射所述第一偏振光和所述第二偏振光两者。2.根据权利要求1所述的线栅偏振板，其中，所述导电简单闭合曲线包括具有在一个方向上延伸的两个第一线性结构和不在所述一个方向上延伸的三个或更多个第二线性结构的多边形简单闭合曲线。3.根据权利要求2所述的线栅偏振板，所述线栅偏振板还包括在所述一个方向上布置的第三线性结构， 其中，所述第三线性结构布置在所述窗口区域之间。4.根据权利要求2所述的线栅偏振板，其中，所述多边形简单闭合曲线是直边六边形简单闭合曲线。5.根据权利要求1所述的线栅偏振板，其中，所述导电简单闭合曲线包括具有在一个方向上延伸的两个第一线性结构和不在所述一个方向上延伸的两个或更多个第二线性结构的非多边形简单闭合曲线。6.根据权利要求5所述的线栅偏振板，其中，所述非多边形简单闭合曲线包括弧形结构。7.根据权利要求5所述的线栅偏振板，其中，所述非多边形简单闭合曲线包括至少一个短边包括曲线的变型直边六边形简单闭合曲线。8.根据权利要求5所述的线栅偏振板，所述线栅偏振板还包括在所述一个方向上延伸的第三线性结构， 其中，所述反射区域为多个，所述第三线性结构布置在所述多个反射区域之间。9.一种显示装置，所述显示装置包括: 线栅偏振板，包括透光基板和布置在所述透光基板的一个表面上的导电图案层，所述导电图案层包括窗口区域和布置在外接到所述窗口区域的矩形区域中的至少一个反射区域，所述窗口区域具有靶形图案，所述靶形图案包括以比入射光的波长短的周期的间隔彼此隔开的层层围绕的导电简单闭合曲线，所述窗口区域透射所述入射光的第一偏振光并反射垂直于所述第一偏振光的第二偏振光，所述至少一个反射区域反射所述第一偏振光和所述第二偏振光两者； 不透明层，布置在所述线栅偏振板的上部上， 其中，所述靶形图案包括在一个方向上延伸的第一线性结构和不在所述一个方向上延伸的第二线性结构，所述不透明层覆盖所述第二线性结构。10.根据权利要求9所述的显示装置，其中，所述导电简单闭合曲线包括具有在所述一个方向上延伸的两个所述第一线性结构和不在所述一个方向上延伸的三个或更多个所述第二线性结构的多边形简单闭合曲线。11.根据权利要求10所述的显示装置，所述显示装置还包括在所述一个方向上延伸的第三线性结构， 其中，所述第三线性结构布置在所述反射区域之间。12.根据权利要求10所述的显示装置，其中，所述多边形简单闭合曲线是直边六边形简单闭合曲线。13.根据权利要求9所述的显示装置，其中，所述导电简单闭合曲线包括具有在所述一个方向上延伸的两个所述第一线性结构和不在所述一个方向上延伸的两个或更多个所述第二线性结构的非多边形简单闭合曲线。14.根据权利要求13所述的显示装置，其中，所述非多边形简单闭合曲线包括弧形结构。15.根据权利要求13所述的显示装置，其中，所述非多边形简单闭合曲线包括至少一个短边包括曲线的变型直边六边形简单闭合曲线。16.根据权利要求13所述的显示装置，所述显示装置还包括在所述一个方向上延伸的第三线性结构， 其中，所述反射区域为多个，所述第三线性结构布置在所述多个反射区域之间。
【文档编号】G02B5/30GK106066504SQ201610238149
【公开日】2016年11月2日
【申请日】2016年4月18日 公开号201610238149.2, CN 106066504 A, CN 106066504A, CN 201610238149, CN-A-106066504, CN106066504 A, CN106066504A, CN201610238149, CN201610238149.2
【发明人】朴昇元, 金泰佑, 康珉赫, 尹大镐, 李文圭
【申请人】三星显示有限公司