专利名称：高分辨率内偏系统的制作方法
技术领域：
本实用新型是一种用于显示器件或显象管的磁内偏转系统，属于电真空器件技术领域。
现有显示器件与显象管的磁偏转系统，大多数放在管外，即外偏系统。为了缩短器件的轴向长度，通常将水平偏转和垂直偏转两个偏转线圈叠置在同一空间位置上。随着显象管屏幕的增大，偏转角亦不断增大，因而引起偏转功耗的不断增大。为了减小偏转功耗，有人提出将偏转系统放在管内，即内偏系统。现在采用的内偏系统仍然是将水平和垂直偏转部件叠置在同一空间。由于水平和垂直偏转线圈位于同一空间位置，使两个偏转场相互影响，因而使显象管很难获得高分辨率。
本实用新型的目的在于针对现有技术的不足，提供使显象管容易获得高分辨率的内偏转系统。
本实用新型由水平偏转部件和垂直偏转部件组成，其特点在于水平偏转部件和垂直偏转部件为相互独立的两个部件，并且两个部件放置在管轴向的两个位置上，两者之间夹有一片磁屏蔽片。为了缩短显示器件和电视显象管的管长，水平偏转线圈和垂直偏转线圈均放置在管轴垂直的平面内，而不是沿管轴方向放置，因而偏转场可以最大限度地靠近电子枪出口，有利于获得高分辨率。
本实用新型由于将偏转系统分成水平和垂直两个部件，因而可以使极靴间隙d缩至很小，有利于提高偏转灵敏度，如图4(a)所示。极靴除了采用平面结构外，也可以采用如图4(b)所示的曲面，它不仅可以提高分辨率，而且可以改善偏转场畸变。曲面可以是半圆柱面，双曲柱面，抛物柱面或其他柱面。极靴的横断面可为任意形状，如图5(a)所示的矩形，5(b)所示的梯形和5(c)所示的曲线形。本实用新型可用于单电子枪结构，也可用于多电子枪结构。当用于多枪结构时，磁极形状可设计成一样形状，也可以设计成不同形状；内偏系统的激磁绕组可以是串联，也可以是并联，或者分别引出。本实用新型结构简单，不仅可以提高显示器件或显象管的分辨率和灵敏度，而且可以改善偏转场的畸变。
图1是本实用新型用于单电子枪的结构示意图，其中A为电子枪，B为水平偏转部件，C为磁屏蔽片，D为垂直偏转部件；图2为本实用新型用于三角形排列三枪管的示意图，(a)为水平偏转部件示意图，(b)为垂直偏转部件示意图；图3为本实用新型用于一列式三枪管的示意图，(a)为水平偏转部件示意图，(b)为垂直偏转部件示意图；图4为本实用新型的极靴形状示意图，(a)为平面结构，(b)为曲面结构；图5是极靴横断面的示意图，(a)为矩形，(b)为梯形，(c)为曲线形。
本实用新型可采用如下方式实现如附图所示，水平偏转部件和垂直偏转部件设置在两个垂直于管轴的平面内，两平面之间有一磁屏蔽层，它采用高导磁率金属片制成。
实施例1用作三角形排列三枪管的内偏系统，采用图2(a)和图2(b)所示的水平和垂直偏转部件，两者之间夹一片 屏蔽片。三个电子枪的内偏系统可设计成相同形状，也可以设计成不同形状，线圈可以串联、并联或分别引出。图中(1)是框架，用来支撑磁极并构成磁路；(2)是磁极，用来产生所需的偏转磁场，它可用棒头与框架连接，亦可与框架做成一体；(3)是线圈，通电流后产生磁场；(4)是电子束截面。
实施例2用作一列式三枪管的内偏系统，采用图3(a)和图3(b)所示的水平和垂直偏转部件，按照实施例1的方式类似，根据实际需要设计和制作。
权利要求1.一种用于显示器件或显象管的内偏系统，由水平偏转部件和垂直偏转部件组成，其特征在于水平偏转部件和垂直偏转部件为相互独立的两个部件，并且两个部件放置在管轴的两个位置上，两者之间夹有一片磁屏蔽片。
2.根据权利要求1所述的内偏系统，其特征在于水平偏转线圈和垂直偏转线圈均放置在管轴垂直的平面内。
3.根据权利要求1或2所述的内偏系统，其特征在于极靴可采用平面结构，也可采用曲面结构。
4.根据权利要求1或2所述的内偏系统，其特征在于三枪管中的三个偏转系统可以为相同形状，也可以为不同形状；线圈可以串联、并联或分别引出。
5.根据权利要求1或2所述的内偏系统，其特征在于偏转部件由框架(1)、磁极(2)和线圈(3)构成，框架和磁极可采用棒头连接，也可以两者做成一体。
专利摘要高分辨率内偏系统是用于显示器件或显象管的磁内偏转系统，由水平和垂直两个部件组成，其特点是水平和垂直两个部件相互独立，并放置在管轴的两个位置上，相互之间夹有一片磁屏蔽片。由于激磁绕组放在与管轴垂直的平面内，有利于缩短管长，提高分辨率。它不仅可以用于单电子枪管，也可以用于三电子枪管，即可以有效地提高显示器件或显象管的分辨率和灵敏度，又可以改善偏转场的畸变。
文档编号H01J29/70GK2055641SQ8920535
公开日1990年4月4日 申请日期1989年9月1日 优先权日1989年9月1日
发明者阮宝菘 申请人:东南大学