一种ito薄膜、银浆薄膜激光刻蚀加工工艺的制作方法
【专利摘要】本发明公开了一种ITO薄膜、银浆薄膜激光刻蚀加工工艺，包括以下工艺步骤：a.将待加工的电子产品放置在激光刻蚀机的工作平台上并进行定位；b.预先设计将要刻蚀的ITO电路图形、银浆电路图形输入激光刻蚀软件；c.分别针对ITO电路图形、银浆电路图形设置激光参数、运动参数；d.启动激光刻蚀机，对ITO电路图形和银浆电路图形进行激光刻蚀，本发明的能够同时完成对ITO薄膜和银浆薄膜的激光刻蚀，减少刻蚀过程中的定位误差，产品良率可以达到98%，印刷烘干后产品的最小线束宽达到25um，大大提高了产品的精度；节省了设备投入成本，简化了刻蚀加工工艺，大大提高了刻蚀加工效率，有利于降低生产成本。
【专利说明】一种ITO薄膜、银浆薄膜激光刻蚀加工工艺
【技术领域】
[0001]本发明涉及激光刻蚀电子产品【技术领域】，尤其涉及一种ITO薄膜、银浆薄膜激光刻蚀加工工艺。
【背景技术】
[0002]随着科技的快速发展，电子产品的应用也越来越广泛，利用激光刻蚀设备对附着在玻璃或者PET基底上的ITO薄膜或者银浆薄膜进行剥离加工，可以在玻璃、PET基底上ITO薄膜、多晶膜和其它氧化物薄膜上大范围内进行各种图案，各种尺寸的精密、高速刻蚀，并且能够保证很高的产能，已经成为电子产品加工过程中的重要工序之一。
[0003]但是现有的激光刻蚀加工方法在一次刻蚀加工制程中只能对单独对ITO薄膜或者银浆薄膜进行刻蚀加工，利用该种方法对于仅仅包括ITO薄膜或者银浆薄膜的电子产品能够满足刻蚀加工要求，但是对于同时含有ITO薄膜和银浆薄膜的电子产品来说，只能首先在一种设备上对ITO薄膜或者银浆薄膜进行刻蚀加工，然后再在另一种设备上对银浆薄膜或者ITO薄膜进行刻蚀加工，不仅需要多次对待加工工件进行定位，导致误差增大，产品的成品良率较低，质量差，而且刻蚀加工工艺复杂，生产效率低。
【发明内容】
[0004]本发明的目的是针对现有技术的不足提供一种能够一次性完成ITO薄膜和银浆薄膜的激光刻蚀，大大提高成品率以及生产效率的ITO薄膜、银浆薄膜激光刻蚀加工工艺。
[0005]为了实现以上目的，本发明采用以下技术方案。
[0006]一种ITO薄膜、银浆薄膜激光刻蚀加工工艺，包括以下工艺步骤:
a.将待加工的电子产品放置在激光刻蚀机的工作平台上，所述电子产品的具有ITO薄膜与银浆薄膜的一面朝向激光刻蚀机的激光刻头，并对电子产品进行定位；
b.将预先设计好的待刻蚀的ITO电路图形并将设计好的ITO电路图形输入激光刻蚀机的激光刻蚀软件；
c.设定激光刻蚀机针对ITO电路图形刻蚀的激光参数；
d.设定激光刻蚀机针对ITO电路图形刻蚀的运动参数；
e.将预先设计好的银浆电路图形并将设计好的银浆电路图形输入激光刻蚀机的激光刻蚀软件；
f.设定激光刻蚀机针对银浆电路图形刻蚀的激光参数；
g.设定激光刻蚀机针对银浆电路图形刻蚀的运动参数；
h.启动激光刻蚀机，对待加工电子产品的ITO电路图形和银浆电路图形进行激光刻蚀。
[0007]其中，所述步骤a之后、步骤b之前还包括步骤al:调整激光刻蚀机的激光刻头的高度，使得所述激光刻头的激光焦点落在ITO薄膜与银浆薄膜的平面的靶标上。
[0008]其中，所述靶标为圆形、十字形、方框形或者转角形。[0009]其中，所述步骤b、e中，ITO电路图形、银浆电路图形均采用AUTO CAD、CORELDRAW或者CAM等软件绘制。
[0010]其中，所述步骤b、e中，输入激光刻蚀机的ITO电路图形、银浆电路图形均为后缀为DXF、PLT、CAM或者GBX的文档。
[0011]其中，所述步骤c中的激光参数为:激光功率为6W?10W，激光脉冲频率为260kHz ?300 kHz，脉宽为 8ns。
[0012]其中，所述步骤d中的运动参数为:激光刻蚀线速度为2800mm/s?3000mm/s，刻蚀重复次数为I次。
[0013]其中，所述步骤f中的激光参数为:激光功率为8W?14W，激光脉冲频率为210kHz? 300 kHz，脉宽为 8ns。
[0014]其中，所述步骤g中的运动参数为:激光刻蚀线速度为2100mm/s?3000mm/s，刻蚀重复次数为2?3次。
[0015]其中，所述激光刻蚀机的激光波长为1064nm，F- Θ透镜组的焦距范围为200?255mm，激光器的额定输出频率为25?IOOOkHz。
[0016]与现有技术相比，本发明具有以下优点:
(1)本发明的ITO薄膜、银浆薄膜激光刻蚀加工工艺能够一次性完成ITO薄膜和银浆薄膜的激光刻蚀，减少刻蚀过程中的定位误差，大大提高了刻蚀产品的良率，产品良率可以达到98%，印刷烘干后产品的最小线束宽达到25um，大大提高了产品的精度；
(2)本发明的ITO薄膜、银浆薄膜激光刻蚀加工工艺，简化了刻蚀加工工艺，大大提高了刻蚀加工效率，有利于降低生产成本；
(3)本发明的ITO薄膜、银浆薄膜激光刻蚀加工工艺，能够在一个制程中同时完成对ITO薄膜和银浆薄膜的激光刻蚀，减少了激光刻蚀设备的应用，节省设备投入成本。
【专利附图】
【附图说明】
[0017]图1为本发明的ITO薄膜、银浆薄膜激光刻蚀加工工艺的流程示意图。
【具体实施方式】
[0018]以下结合【具体实施方式】对本发明进行详细的描述。
[0019]实施例1。
[0020]如图1所示，一种ITO薄膜、银浆薄膜激光刻蚀加工工艺，包括以下工艺步骤:
a.将待加工的电子产品放置在激光刻蚀机的工作平台上，所述电子产品的具有ITO薄膜与银浆薄膜的一面朝向激光刻蚀机的激光刻头，并对电子产品进行定位；
b.预先设计将要刻蚀的ITO电路图形并将设计好的ITO电路图形输入激光刻蚀机的激光刻蚀软件；
c.设定激光刻蚀机针对ITO电路图形刻蚀的激光参数，激光功率为6W，激光脉冲频率为260kHz，脉宽为8ns ；
d.设定激光刻蚀机针对ITO电路图形刻蚀的运动参数，激光刻蚀线速度为2800mm/s，刻蚀重复次数为I次；
e.预先设计将要刻蚀的银浆电路图形并将设计好的银浆电路图形输入激光刻蚀机的激光刻蚀软件；
f.设定激光刻蚀机针对银浆电路图形刻蚀的激光参数，激光功率为8W，激光脉冲频率为210kHz，脉宽为8ns ；
g.设定激光刻蚀机针对银浆电路图形刻蚀的运动参数，激光刻蚀线速度为2100mm/s，刻蚀重复次数为2次；
h.启动激光刻蚀机，对待加工电子产品的ITO电路图形和银浆电路图形进行激光刻蚀。
[0021]其中，所述激光刻蚀机的激光波长为1064nm，F- Θ透镜组的焦距范围为200mm，激光器的额定输出频率为25?IOOOkHz。
[0022]实施例2。
[0023]一种ITO薄膜、银浆薄膜激光刻蚀加工工艺，包括以下工艺步骤:
a.将待加工的电子产品放置在激光刻蚀机的工作平台上，所述电子产品的具有ITO薄膜与银浆薄膜的一面朝向激光刻蚀机的激光刻头，并对电子产品进行定位；
al.调整激光刻蚀机的激光刻头的高度，使得所述激光刻头的激光焦点落在ITO薄膜与银浆薄膜的平面的圆形靶标上。
[0024]b.预先设计将要刻蚀的ITO电路图形并将设计好的ITO电路图形输入激光刻蚀机的激光刻蚀软件；
c.设定激光刻蚀机针对ITO电路图形刻蚀的激光参数，激光功率为7W，激光脉冲频率为270kHz，脉宽为8ns ；
d.设定激光刻蚀机针对ITO电路图形刻蚀的运动参数，激光刻蚀线速度为2850mm/s，刻蚀重复次数为I次；
e.预先设计将要刻蚀的银浆电路图形并将设计好的银浆电路图形输入激光刻蚀机的激光刻蚀软件；
f.设定激光刻蚀机针对银浆电路图形刻蚀的激光参数，激光功率为10W，激光脉冲频率为230kHz，脉宽为8ns ；
g.设定激光刻蚀机针对银浆电路图形刻蚀的运动参数，激光刻蚀线速度为2300mm/s，刻蚀重复次数为3次；
h.启动激光刻蚀机，对待加工电子产品的ITO电路图形和银浆电路图形进行激光刻蚀。
[0025]其中，所述激光刻蚀机的激光波长为1064nm，F- Θ透镜组的焦距范围为255mm，激光器的额定输出频率为25?IOOOkHz。
[0026]实施例3。
[0027]一种ITO薄膜、银浆薄膜激光刻蚀加工工艺，包括以下工艺步骤:
a.将待加工的电子产品放置在激光刻蚀机的工作平台上，所述电子产品的具有ITO薄膜与银浆薄膜的一面朝向激光刻蚀机的激光刻头，并对电子产品进行定位；
al.调整激光刻蚀机的激光刻头的高度，使得所述激光刻头的激光焦点落在ITO薄膜与银浆薄膜的平面的十字形靶标上。
[0028]b.预先设计将要刻蚀的ITO电路图形并将设计好的ITO电路图形输入激光刻蚀机的激光刻蚀软件； C.设定激光刻蚀机针对ITO电路图形刻蚀的激光参数，激光功率为8W，激光脉冲频率为280kHz，脉宽为8ns ；
d.设定激光刻蚀机针对ITO电路图形刻蚀的运动参数，激光刻蚀线速度为2900mm/s，刻蚀重复次数为I次；
e.预先设计将要刻蚀的银浆电路图形并将设计好的银浆电路图形输入激光刻蚀机的激光刻蚀软件；
f.设定激光刻蚀机针对银浆电路图形刻蚀的激光参数，激光功率为12W，激光脉冲频率为250kHz，脉宽为8ns ；
g.设定激光刻蚀机针对银浆电路图形刻蚀的运动参数，激光刻蚀线速度为2500mm/s，刻蚀重复次数为2次；
h.启动激光刻蚀机，对待加工电子产品的ITO电路图形和银浆电路图形进行激光刻蚀。
[0029]其中，所述激光刻蚀机的激光波长为1064nm，F- Θ透镜组的焦距范围为200mm，激光器的额定输出频率为25?IOOOkHz。
[0030]实施例4。
[0031]一种ITO薄膜、银浆薄膜激光刻蚀加工工艺，包括以下工艺步骤:
a.将待加工的电子产品放置在激光刻蚀机的工作平台上，所述电子产品的具有ITO薄膜与银浆薄膜的一面朝向激光刻蚀机的激光刻头，并对电子产品进行定位；
al.调整激光刻蚀机的激光刻头的高度，使得所述激光刻头的激光焦点落在ITO薄膜与银浆薄膜的平面的方框形靶标上。
[0032]b.预先设计将要刻蚀的ITO电路图形并将设计好的ITO电路图形输入激光刻蚀机的激光刻蚀软件；
c.设定激光刻蚀机针对ITO电路图形刻蚀的激光参数，激光功率为9W，激光脉冲频率为290kHz，脉宽为8ns ；
d.设定激光刻蚀机针对ITO电路图形刻蚀的运动参数，激光刻蚀线速度为2950mm/s，刻蚀重复次数为I次；
e.预先设计将要刻蚀的银浆电路图形并将设计好的银浆电路图形输入激光刻蚀机的激光刻蚀软件；
f.设定激光刻蚀机针对银浆电路图形刻蚀的激光参数，激光功率为9W，激光脉冲频率为270kHz，脉宽为8ns ；
g.设定激光刻蚀机针对银浆电路图形刻蚀的运动参数，激光刻蚀线速度为2700mm/s，刻蚀重复次数为3次；
h.启动激光刻蚀机，对待加工电子产品的ITO电路图形和银浆电路图形进行激光刻蚀。
[0033]其中，所述激光刻蚀机的激光波长为1064nm，F- Θ透镜组的焦距范围为200mm，激光器的额定输出频率为25?IOOOkHz。
[0034]实施例5。
[0035]一种ITO薄膜、银浆薄膜激光刻蚀加工工艺，包括以下工艺步骤:
a.将待加工的电子产品放置在激光刻蚀机的工作平台上，所述电子产品的具有ITO薄膜与银浆薄膜的一面朝向激光刻蚀机的激光刻头，并对电子产品进行定位；
al.调整激光刻蚀机的激光刻头的高度，使得所述激光刻头的激光焦点落在ITO薄膜与银浆薄膜的平面的转角形靶标上。
[0036]b.预先设计将要刻蚀的ITO电路图形并将设计好的ITO电路图形输入激光刻蚀机的激光刻蚀软件；
C.设定激光刻蚀机针对ITO电路图形刻蚀的激光参数，激光功率为10W，激光脉冲频率为300kHz，脉宽为8ns ；
d.设定激光刻蚀机针对ITO电路图形刻蚀的运动参数，激光刻蚀线速度为3000mm/s，刻蚀重复次数为I次；
e.预先设计将要刻蚀的银浆电路图形并将设计好的银浆电路图形输入激光刻蚀机的激光刻蚀软件；
f.设定激光刻蚀机针对银浆电路图形刻蚀的激光参数，激光功率为14W，激光脉冲频率为300kHz，脉宽为8ns ；
g.设定激光刻蚀机针对银浆电路图形刻蚀的运动参数，激光刻蚀线速度为3000mm/s，刻蚀重复次数为2次；
h.启动激光刻蚀机，对待加工电子产品的ITO电路图形和银浆电路图形进行激光刻蚀。
[0037]其中，所述激光刻蚀机的激光波长为1064nm，F- Θ透镜组的焦距范围为255mm，激光器的额定输出频率为25?IOOOkHz。
[0038]应当说明的是，以上实施例仅用以说明本发明的技术方案，而非对本发明保护范围的限制，尽管参照较佳实施例对本发明作了详细地说明，本领域的普通技术人员应当理解，可以对本发明的技术方案进行修改或者等同替换，而不脱离本发明技术方案的实质和范围。
【权利要求】
1.一种ITO薄膜、银浆薄膜激光刻蚀加工工艺，其特征在于，包括以下工艺步骤: a.将待加工的电子产品放置在激光刻蚀机的工作平台上，所述电子产品的具有ITO薄膜与银浆薄膜的一面朝向激光刻蚀机的激光刻头，并对电子产品进行定位； b.预先设计将要刻蚀的ITO电路图形并将设计好的ITO电路图形输入激光刻蚀机的激光刻蚀软件； c.设定激光刻蚀机针对ITO电路图形刻蚀的激光参数； d.设定激光刻蚀机针对ITO电路图形刻蚀的运动参数； e.预先设计将要刻蚀的银浆电路图形并将设计好的银浆电路图形输入激光刻蚀机的激光刻蚀软件； f.设定激光刻蚀机针对银浆电路图形刻蚀的激光参数； g.设定激光刻蚀机针对银浆电路图形刻蚀的运动参数； h.启动激光刻蚀机，对待加工电子产品的ITO电路图形和银浆电路图形进行激光刻蚀。
2.根据权利要求1所述的ITO薄膜、银浆薄膜激光刻蚀加工工艺，其特征在于，所述步骤a之后、步骤b之前还包括步骤al:调整激光刻蚀机的激光刻头的高度，使得所述激光刻头的激光焦点落在ITO薄膜与银浆薄膜的平面的靶标上。
3.根据权利要求2所述的ITO薄膜、银浆薄膜激光刻蚀加工工艺，其特征在于，所述靶标为圆形、十字形、方框形或者转角形。
4.根据权利要求1所述的ITO薄膜、银浆薄膜激光刻蚀加工工艺，其特征在于，所述步骤b、e中，ITO电路图形、银浆电路图形均采用AUTO CAD、CORELDRAW或者CAM软件绘制。
5.根据权利要求4所述的ITO薄膜、银浆薄膜激光刻蚀加工工艺，其特征在于，所述步骤b、e中，输入激光刻蚀机的ITO电路图形、银浆电路图形均为后缀为DXF、PLT、CAM或者GBX的文档。
6.根据权利要求1所述的ITO薄膜、银浆薄膜激光刻蚀加工工艺，其特征在于，所述步骤c中的激光参数为:激光功率为6W?10W，激光脉冲频率为260kHz?300 kHz，脉宽为8ns。
7.根据权利要求1所述的ITO薄膜、银浆薄膜激光刻蚀加工工艺，其特征在于，所述步骤d中的运动参数为:激光刻蚀线速度为2800mm/s?3000mm/s，刻蚀次数为I次。
8.根据权利要求1所述的ITO薄膜、银浆薄膜激光刻蚀加工工艺，其特征在于，所述步骤f中的激光参数为:激光功率为8W?14W，激光脉冲频率为210kHz?300 kHz，脉宽为8ns ο
9.根据权利要求1所述的ITO薄膜、银浆薄膜激光刻蚀加工工艺，其特征在于，所述步骤g中的运动参数为:激光刻蚀线速度为2100mm/s?3000mm/s，刻蚀次数为2?3次。
10.根据权利要求1?9任意一项所述的ITO薄膜、银浆薄膜激光刻蚀加工工艺，其特征在于，所述激光刻蚀机的激光波长为1064nm，F- Θ透镜组的焦距范围为200?255mm，激光器的额定输出频率为25?1000kHz。
【文档编号】B23K26/362GK103521928SQ201310447600
【公开日】2014年1月22日 申请日期:2013年9月27日 优先权日:2013年9月27日
【发明者】陶雄兵 申请人:东莞市盛雄激光设备有限公司