一种电容触摸屏激光蚀刻工艺的制作方法

文档序号:3113268阅读:625来源:国知局
一种电容触摸屏激光蚀刻工艺的制作方法
【专利摘要】一种电容触摸屏激光蚀刻工艺,首先把ITOfilm上的耐酸油墨图案印刷蚀刻好,避开bonding区,在印刷完成的ITOfilm上印刷银浆线路,用激光蚀刻机按照设计好的激光蚀刻线蚀刻出银浆线路及下方ITO。解决了激光蚀刻工艺中银浆线路断线的问题,具有工艺简单、容易实现、成本较低的特点。
【专利说明】一种电容触摸屏激光蚀刻工艺
【技术领域】
[0001 ] 本发明涉及一种电容触摸屏激光蚀刻工艺。
【背景技术】
[0002]激光蚀刻工艺作为目前主流的几种电容式触摸屏生产工艺之一,应用的领域涵盖各个层级客户,传统激光蚀刻工艺银浆线路下方没有ΙΤ0,一直存在激光蚀刻后银浆线路断线的问题,导致功能不良。

【发明内容】

[0003]本发明其目的就在于提供一种电容触摸屏激光蚀刻工艺,解决了激光蚀刻工艺中银浆线路断线的问题,具有工艺简单、容易实现、成本较低的特点。
[0004]实现上述目的而采取的技术方案,首先把ITO film上的耐酸油墨图案印刷蚀刻好,避开bonding区,在印刷完成的ITO film上印刷银浆线路,用激光蚀刻机按照设计好的激光蚀刻线蚀刻出银浆线路及下方ΙΤ0。
[0005]与现有技术相比本发明具有以下优点。
[0006]通过在银浆线路下方增加ΙΤ0,彻底解决了激光蚀刻工艺中银浆线路断线的问题,具有工艺简单、容易实现、成本较低的特点。
【具体实施方式】
[0007]首先把ITO film上的耐酸油墨图案印刷蚀刻好,避开bonding区,在印刷完成的ITO film上印刷银浆线路,用`激光蚀刻机按照设计好的激光蚀刻线蚀刻出银浆线路及下方ΙΤ0。
[0008]所述银浆线路下方ITO外扩到激光蚀刻线的距离不小于0.03mm,银浆线路下方ITO到通道ITO的距离不小于0.3mm,银浆线路下方ITO到银浆线路bonding区距离不小于
0.3mmο
[0009]所述耐酸油墨选用绿固GC-UV-A60油墨,银浆线路选用贝特利SF-2772X银浆油
m
O
[0010]通过在银浆线路下方增加ΙΤ0,彻底解决电容屏激光蚀刻工艺生产中银浆线路断线现象。
[0011]包括ITO film, ITO film上印刷耐酸油墨,通过酸碱蚀刻将多余的ITO蚀刻掉,保留银浆线路下方的ΙΤ0,但银浆线路的bonding区下方不可有ΙΤ0,通过激光蚀刻线蚀刻掉多余的银浆线路及下方ΙΤ0。
[0012]通过用耐酸油墨保护金属引线下方ΙΤ0,在酸碱蚀刻时隔离酸与ITO的接触以达到保留金属引线下方ITO的目的,在金属引线受到各种原因造成的断路时,下方ITO起到金属引线断裂处的桥接作用,以达到生产工艺没有影响,外观没有影响,杜绝由于金属引线断裂造成功能不良的效果。[0013]首先把ITO film上的耐酸油墨图案印刷蚀刻好,注意避开bonding区,在印刷完成的ITO film上印刷银浆线路,用激光蚀刻机按照设计好的激光蚀刻线蚀刻出银浆线路及下方ΙΤ0。
[0014]耐酸油墨选用绿固GC-UV-A60油墨,银浆线路选用贝特利SF-2772X银浆油墨,印刷网版选用聚酯网版,印刷机台选用大震斜臂印刷机,激光蚀刻机台选用盛雄激光蚀刻机,印刷压力、速度,激光蚀刻参数等根据实际情况调试,通过CCD自动抓靶方式,在已印刷好银胶、ITO的ITO film上进行激光蚀刻。
[0015]所述ITO film为氧化铟锡透明导电膜;
Bonding为绑定;
ITO为氧化铟锡;
CCD为电荷耦合元件图像传感器。
【权利要求】
1.一种电容触摸屏激光蚀刻工艺,其特征在于,首先把ITO film上的耐酸油墨图案印刷蚀刻好,避开bonding区,在印刷完成的ITO film上印刷银浆线路,用激光蚀刻机按照设计好的激光蚀刻线蚀刻出银浆线路及下方ΙΤ0。
2.根据权利要求1所述的一种电容触摸屏激光蚀刻工艺,其特征在于,所述银浆线路下方ITO外扩到激光蚀刻线的距离不小于0.03mm,银浆线路下方ITO到通道ITO的距离不小于0.3mm,银浆线路下方ITO到银浆线路banding区距离不小于0.3mm。
3.根据权利要求1所述的一种电容触摸屏激光蚀刻工艺,其特征在于,所述耐酸油墨选用绿固GC-UV-A60油墨,银浆线路选用贝特利SF-2772X银浆油墨。
【文档编号】B23K26/362GK103846555SQ201410077026
【公开日】2014年6月11日 申请日期:2014年3月5日 优先权日:2014年3月5日
【发明者】许国武 申请人:江西省天翌光电有限公司
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