晶片的生成方法与流程

技术特征：

1.一种晶片的生成方法，从六方晶单晶锭生成晶片，该六方晶单晶锭具有：第一面和位于该第一面的相反侧的第二面；从该第一面至该第二面的c轴；以及与该c轴垂直的c面，该晶片的生成方法的特征在于，具有如下的步骤：

分离起点形成步骤，将对于六方晶单晶锭具有透过性的波长的激光束的聚光点定位在距该第一面相当于要生成的晶片的厚度的深度，并且使该聚光点与该六方晶单晶锭相对地移动而对该第一面照射该激光束，形成与该第一面平行的改质层和从该改质层伸长的裂痕而形成分离起点；以及

晶片剥离步骤，在实施了该分离起点形成步骤之后，从该分离起点将相当于晶片的厚度的板状物从该六方晶单晶锭剥离而生成六方晶单晶晶片，

该分离起点形成步骤包含如下的步骤：

改质层形成步骤，该c轴相对于该第一面的垂线倾斜偏离角，使激光束的聚光点沿着与在该第一面和该c面之间形成偏离角的方向垂直的方向相对地移动而形成直线状的改质层；以及

转位步骤，在形成该偏离角的方向上使该聚光点相对地移动而转位规定的量，

在该改质层形成步骤中，在形成有偏离角的方向上将激光束的聚光点隔着规定的间隔定位2个以上而同时形成2条以上的直线状的改质层。

2.根据权利要求1所述的晶片的生成方法，其中，

在该改质层形成步骤中，以相邻的裂痕的前端相重叠的间隔作为上限而设定2个以上的聚光点被定位的规定的间隔，所述裂痕从直线状的改质层起在形成有偏离角的方向上延伸。

3.根据权利要求1所述的晶片的生成方法，其中，

在该转位步骤中，当将转位的进给量设为L、将相邻的聚光点被定位的间隔设为H、将聚光点的数量设为M时，转位的进给量L＝H·M。

4.根据权利要求1至3中的任意一项所述的晶片的生成方法，其中，

六方晶单晶锭从SiC锭或者GaN锭中进行选择。