背板加热装置的制作方法

文档序号:3252846阅读:155来源:国知局
专利名称:背板加热装置的制作方法
技术领域
本实用新型涉及一种溅镀机台的元件,尤其涉及一种可用以均匀加热晶片底部的背板加热装置。
背景技术
在目前集成电路的发展中,已普遍将溅镀(sputtering)工艺应用在金属的沉积上。例如,具高导电性的金属铝、用来作为扩散阻障层的氮化钛,及降低金属接触电阻的金属钛等材料。
一般而言,溅镀工艺的原理为利用辉光放电(glow discharge)将氩气(Ar)离子撞击靶材(target)表面,再由靶材的原子被弹出,而堆积在晶片表面以形成薄膜。另外,在溅镀机台中,还包括配置有一背板加热装置(back planeheating device),其是装设在晶片下方,并利用将气体通入其中,且由背板加热装置的中心气孔排出加热后的气体,再由携带热量的气体吹拂晶片的底部,使晶片受热后能够增加预溅镀膜的表面迁移能力以及阶梯覆盖能力,以提高预溅镀膜的平坦度。
然而,现有溅镀机台的背板加热装置仅具有一个气体出口,且位于中心位置,因此容易使晶片底部的中心与边缘产生受热不均的问题。如此一来,会造成受热温度较低处所溅镀的膜层容易形成孔洞(void)等现象,进而影响元件的电性表现及其可靠度。
实用新型内容有鉴于此,本实用新型的目的是提供一种背板加热装置,能够使晶片底部达到均匀受热,以避免现有因晶片底部受热不均而衍生的种种问题。
本实用新型的另一目的是提供一种背板加热装置,能够使晶片底部达到均匀受热,以避免现有因晶片底部受热不均而衍生的种种问题。
本实用新型提出一种背板加热装置,适用于配置在溅镀机台中,以均匀加热于溅镀机台中进行溅镀工艺的晶片的底部。背板加热装置包括本体、至少一第一气体输送管及加热单元。其中,本体有具有至少二第一开口的第一表面以及具有至少一第二开口的第二表面。第一气体输送管配置于本体中,且具有一第一进气端与至少二第一出气端,其中第一出气端是连接第一开口,而第一进气端是连接第二开口。另外,加热单元配置于本体中,且位于第一气体输送管周围,用以加热导入第一气体输送管中的气体。
依照本实用新型的一实施例所述,上述的第一开口例如是位于本体的第一表面,且呈均匀分布状;或者是位于本体的第一表面的周缘,且呈均匀分布状;还可以是位于本体的第一表面的中心,且呈均匀分布状。
依照本实用新型的一实施例所述,上述的背板加热装置,还包括至少一第二气体输送管配置于本体中,第二气体输送管具有一第二进气端与一第二出气端,其中第二出气端是连接第一开口,而第二进气端是连接第二开口。
依照本实用新型的一实施例所述,上述的第一开口与第二开口的形状例如是圆形、矩形、三角形或多边形。
依照本实用新型的一实施例所述,上述的气体例如是惰性气体或氮气。
依照本实用新型的一实施例所述,上述的加热单元例如是云母片。
依照本实用新型的一实施例所述,上述的背板加热装置是配置于一溅镀机台中,以均匀加热于溅镀机台中进行溅镀工艺的一晶片的底部。
依照本实用新型的一实施例所述,上述的背板加热装置是配置于一金属溅镀机台中,以均匀加热于金属溅镀机台中进行溅镀工艺的一晶片的底部。
本实用新型提出一种背板加热装置,适用于配置在溅镀机台中,以均匀加热于溅镀机台中进行溅镀工艺的晶片的底部。背板加热装置包括本体、多个气体输送管及加热单元。其中,本体具有第一表面以及第二表面,第一表面具有多个第一开口,而第二表面具有对应第一开口的多个第二开口。气体输送管配置于本体中,每个气体输送管具有一进气端与一出气端,其中出气端是连接第一开口,而进气端是连接第二开口。另外,加热单元配置于本体中,且位于气体输送管周围,用以加热导入气体输送管的气体。
依照本实用新型的一实施例所述,上述的第一开口例如是位于本体的第一表面,且呈均匀分布状;或者是位于本体的第一表面的周缘,且呈均匀分布状;还可以是位于本体的第一表面的中心,且呈均匀分布状。依照本实用新型的一实施例所述,上述的第一开口与第二开口的形状例如是圆形、矩形、三角形或多边形。
依照本实用新型的一实施例所述,上述的气体例如是惰性气体或氮气。
依照本实用新型的一实施例所述,上述的加热单元例如是云母片。
依照本实用新型的一实施例所述,上述的背板加热装置是配置于一溅镀机台中,以均匀加热于溅镀机台中进行溅镀工艺的一晶片的底部。
依照本实用新型的一实施例所述,上述的背板加热装置是配置于一金属溅镀机台中,以均匀加热于金属溅镀机台中进行溅镀工艺的一晶片的底部。
由于本实用新型的背板加热装置的本体表面设置有多个开口,因此由背板加热装置所吹出的气体能够均匀分散。所以,本实用新型的背板加热装置配置于溅镀机台中用以加热晶片底部时,可使晶片底部均匀受热,而不会造成如现有因晶片底部受热不均,导致溅镀于晶片上的膜层容易形成孔洞(void)的问题。如此一来,可提高溅镀于晶片上的膜层的平坦度以及沟填能力,进而增加元件的电性表现及其可靠度。
为让本实用新型的上述和其他目的、特征和优点能更明显易懂,下文特举优选实施例,并配合附图,作详细说明如下。


图1为依照本实用新型的一实施例所绘示的背板加热装置的结构立体图;图2A、图2B与图2C为依照本实用新型的一实施例所绘示的背板加热装置的上视图;图3为依照本实用新型的另一实施例所绘示的背板加热装置的结构立体图;图4为依照本实用新型的又一实施例所绘示的背板加热装置的结构立体图;图5为依照本实用新型的再一实施例所绘示的背板加热装置的结构立体图。
主要元件符号说明100、200、300、400背板加热装置
110本体112第一表面112a第一开口114第二表面114a第二开口120、220、320、320’、320”、420、422、424、426、428气体输送管122、222、322、322’、322”、420’、422’、424’、426’、428’进气端124、224、324、324’、324”、420”、422”、424”、426”、428”出气端130加热单元具体实施方式
现有在溅镀工艺中晶片底部会产生受热不均的问题,而会造成所溅镀的膜层容易形成孔洞(void)等现象。因此,本实用新型提出一种背板加热装置,使晶片在进行溅镀工艺时可被均匀地加热,以提高其电性表现与可靠度。
图1为依照本实用新型一实施例所绘示的背板加热装置的结构立体图。请参照图1,本实用新型的背板加热装置100可适用于配置在一溅镀机台中,且位于晶片下方,其包括本体110、气体输送管120以及加热单元130。
上述,本体110具有一第一表面112与一第二表面114,其中第一表面112具有二第一开口112a,而第二表面114具有一第二开口114a。
另外,气体输送管120配置于本体110中,其具有一进气端122与二出气端124。其中,出气端124是连接第一开口112a,而进气端122是连接第二开口114a。
加热单元130配置于本体110中,且位于气体输送管120周围,其例如是云母片或其他合适的加热器。加热单元130的作用为加热导入气体输送管120中的一气体。上述,气体可例如是惰性气体(inert gas)或氮气,而惰性气体例如是氦气、氖气、氩气、氪气、氙气与氡气。
更具体而言,本实用新型的背板加热装置100可使气体由气体输送管120的进气端122导入,然后由加热单元130加热后,再经二出气端124通过本体110的第一表面112的二第一开口112a,以均匀吹拂晶片的底部。如此一来,即可使进行溅镀工艺的晶片的底部受热较均匀。
在图1的实施例中,本体110的第一表面112是以绘示二个第一开口112a及一第二开口114a为例,然本实用新型并不限定于此。本实用新型并不对第一开口的数量与位置做任何特别的限定,而第二开口的数量与位置可视实际情况做调整。
以下是举多个实施例为例做说明。请参照图2A、图2B与图2C,其为依照本实用新型实施例所绘示的背板加热装置的上视图。本实用新型的背板加热装置100的本体110可例如是具有三个第一开口112a(如图2A所示),而这些第一开口112a是位于本体110的第一表面112的中心,且呈均匀分布状。另外,本实用新型的背板加热装置100的本体110可例如是具有四个第一开口112a(如图2B所示),而这些第一开口112a是位于本体110的第一表面112的周缘,且呈均匀分布状。此外,本实用新型的背板加热装置100的本体110还可例如是具有五个第一开口112a(如图2C所示),而这些第一开口112a是位于本体110的第一表面112的中心与周缘,且呈均匀分布状。
值得特别注意的是,相较于现有的背板加热装置而言,本实用新型的背板加热装置的本体表面具有多个第一开口,所以通入的气体能够均匀地分散,以吹拂晶片底部,而可避免如现有的晶片底部受热不均,导致溅镀于晶片上的膜层容易形成孔洞(void),进而影响元件的电性表现及其可靠度的问题。
上述实施例皆绘示第一开口112a与第二开口114a为圆形,然本实用新型并不对第一开口与第二开口的形状做任何特别的限定,其可例如是圆形、矩形、三角形、多边形或任意形状。
同样地,在图1的实施例中,是以一个气体输送管120,且其具有二个出气端124及一个进气端122为例,然本实用新型并不限定于此。以本体110的第一表面112具有五个第一开口112a为例,下述是列举数个实施例说明之。
请参照图3,其为依照本实用新型另一实施例所绘示的背板加热装置的结构立体图。本实用新型的背板加热装置200包括本体110、气体输送管220以及加热单元130。本体110具有第一表面112与第二表面114,其中第一表面112具有五个第一开口112a,而第二表面114具有一第二开口114a。气体输送管220配置于本体110中,其可具有一个进气端222与五个出气端224。其中,出气端224是连接第一开口112a,而进气端222是连接第二开口114a。加热单元130配置于本体110中,且位于气体输送管120周围,用以加热导入气体输送管220中的气体。
请参照图4,其为依照本实用新型又一实施例所绘示的背板加热装置的结构立体图。本实用新型的背板加热装置300可包括配置有三个气体输送管320、320’、320”,其中气体输送管320具有一个进气端322与三个出气端324,气体输送管320’具有一个进气端322’与一个出气端324’,气体输送管320”具有一个进气端322”与一个出气端324”。
请参照图5,其为依照本实用新型再一实施例所绘示的背板加热装置的结构立体图。本实用新型的背板加热装置400可包括配置有五个气体输送管420、422、424、426、428,其中每一个气体输送管420、422、424、426、428皆具有一个进气端420’、422’、424’、426’、428’与一个出气端420”、422”、424”、426”、428”。
承上述,本实用新型也不对气体输送管的个数及其出气端的个数做特别的限定,其可视实际情况做调整。
综上所述,本实用新型的背板加热装置的本体表面具有多个开口,因此可使通入的气体能够均匀地分散,以吹拂晶片的底面,使晶片底部可以均匀地被加热。因此,本实用新型可避免如现有的晶片底部受热不均,导致溅镀于晶片上的膜层容易形成孔洞(void)的问题,进而可提高溅镀于晶片上的膜层的平坦度及沟填能力,并且可增加元件的电性表现及其可靠度。
虽然本实用新型已以优选实施例揭露如上,然其并非用以限定本实用新型,任何本领域技术人员,在不脱离本实用新型的精神和范围的前提下,可作些许的更动与润饰,因此本实用新型的保护范围当视所附权利要求所界定者为准。
权利要求1.一种背板加热装置,其特征在于,该背板加热装置适用于配置在一溅镀机台中,以均匀加热于该溅镀机台中进行溅镀工艺的一晶片的底部,该背板加热装置包括一本体,该本体具有一第一表面以及一第二表面,其中该第一表面具有至少二第一开口,而该第二表面具有至少一第二开口;至少一第一气体输送管,配置于该本体中,该第一气体输送管具有一第一进气端与至少二第一出气端,其中该些第一出气端是连接该些第一开口,而该第一进气端是连接该第二开口;以及一加热单元,配置于该本体中,且位于该第一气体输送管周围,用以加热导入该第一气体输送管中的一气体。
2.如权利要求1所述的背板加热装置,其特征在于,该些第一开口是位于该本体的该第一表面,且呈均匀分布状。
3.如权利要求1所述的背板加热装置,其特征在于,该些第一开口是位于该本体的该第一表面的周缘,且呈均匀分布状。
4.如权利要求1所述的背板加热装置,其特征在于,该些第一开口是位于该本体的该第一表面的中心,且呈均匀分布状。
5.如权利要求1所述的背板加热装置,其特征在于,还包括至少一第二气体输送管,配置于该本体中,该第二气体输送管具有一第二进气端与一第二出气端,其中该第二出气端是连接该些第一开口,而该第二进气端是连接该第二开口。
6.如权利要求1所述的背板加热装置,其特征在于,该些第一开口与该第二开口的形状包括圆形、矩形、三角形或多边形。
7.如权利要求1所述的背板加热装置,其特征在于,该气体包括惰性气体。
8.如权利要求1所述的背板加热装置,其特征在于,该气体包括氮气。
9.如权利要求1所述的背板加热装置,其特征在于,该加热单元包括云母片。
10.一种背板加热装置,其特征在于,该背板加热装置适用于配置在一溅镀机台中,以均匀加热于该溅镀机台中进行溅镀工艺的一晶片的底部,该背板加热装置包括一本体,该本体具有一第一表面以及一第二表面,其中该第一表面具有多个第一开口,而该第二表面具有对应该些第一开口的多个第二开口;多个气体输送管,配置于该本体中,各该些气体输送管具有一进气端与一出气端,其中各该些出气端是连接各该些第一开口,而各该些进气端是连接各该些第二开口;以及一加热单元,配置于该本体中,且位于该些气体输送管周围,用以加热导入该些气体输送管的一气体。
11.如权利要求10所述的背板加热装置,其特征在于,该些第一开口是位于该本体的该第一表面,且呈均匀分布状。
12.如权利要求10所述的背板加热装置,其特征在于,该些第一开口是位于该本体的该第一表面的周缘,且呈均匀分布状。
13.如权利要求10所述的背板加热装置,其特征在于,该些第一开口是位于该本体的该第一表面的中心,且呈均匀分布状。
14.如权利要求10所述的背板加热装置,其特征在于,该些第一开口与该些第二开口的形状包括圆形、矩形、三角形或多边形。
15.如权利要求10所述的背板加热装置,其特征在于,该气体包括惰性气体。
16.如权利要求10所述的背板加热装置,其特征在于,该气体包括氮气。
17.如权利要求10所述的背板加热装置,其特征在于,该加热单元包括云母片。
专利摘要一种背板加热装置,适用于配置在溅镀机台中,以均匀加热于溅镀机台中进行溅镀工艺的晶片的底部。背板加热装置包括本体、至少一第一气体输送管及加热单元。其中,本体有具有至少二第一开口的第一表面以及具有至少一第二开口的第二表面。第一气体输送管配置于本体中,且具有一第一进气端与至少二第一出气端,其中,第一出气端是连接第一开口,而第一进气端是连接第二开口。另外,加热单元配置于本体中,且位于第一气体输送管周围,用以加热导入第一气体输送管中的气体。
文档编号C23C14/56GK2923739SQ20062000493
公开日2007年7月18日 申请日期2006年3月15日 优先权日2006年3月15日
发明者黄云麟, 陈宽政 申请人:联华电子股份有限公司
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