磁控管溅射装置用的磁体构件、阴极单元以及磁控管溅射装置的制作方法

专利名称：磁控管溅射装置用的磁体构件、阴极单元以及磁控管溅射装置的制作方法
技术领域：
本发明涉及磁控管溅射装置用的磁体构件、阴极单元以及磁控管溅射装置(以下 称为"磁体构件等")，更详细地说，涉及以提高溅射靶利用率为目的磁控管溅射的 磁体构件等的改良技术。
背景技术：
通过在真空中使离子(例如Ar离子)撞击溅射耙材料，使溅射耙的原子飞出，使 该原子附着在与溅射靶材料对置的基板上，利用溅射现象的成膜方法向来已为人所知。
作为这样的溅射现象的一个方法，磁控管溅射成膜法可以在溅射耙表面(与基板 对置的表面)上形成大于规定磁通密度的通道状的泄漏磁场，因此能够利用用洛伦兹 力捕捉发生溅射现象过程中产生的次级电子，使其进行摆线运动，从而可以增加与氩 气的离子化撞击的频度，这样可以在溅射靶表面附近的空间形成高密度等离子，使成 膜速度高速化。
然而，这样的磁控管溅射成膜法存在这样的缺点，即磁场强的区域的溅射靶材料 由于溅射而局部性快速减少，因而导致溅射耙的面内的溅射量存在不均匀，溅射耙的 利用率差。向来， 一直在研究补偿这种缺点所用的各种技术。
例如专利文献1提出了使包含上述泄漏磁场形成所用的多个磁体、轭铁、以及各 种连接构件的整个磁气装置(磁体构件)在溅射靶表面的面方向上摇动的磁体构件的 驱动机构(参照专利文献1)。
如果采用这样的驱动机构，则使磁体沿着溅射靶背面内在面方向上移动，因此， 能够与这样的磁体的移动，连动改变溅射靶表面上的磁力线分布。其结果是，溅射靶 表面上的侵蚀促进区域时刻都发生着周期性变化，能够谋求在溅射时溅射靶的表面均 匀侵蚀。
专利文献特开平4一329874号公报(图3)

发明内容
但是，专利文献1记载的磁体构件的驱动机构需要驱动整个磁体构件，因此有导 致驱动机构的复杂化和大型化的缺点。
本发明是鉴于这样的情况而作出的，其目的在于，提供不使整个磁体构件摇动， 而能够借助于简单的驱动机构随着时间的推移，改变溅射靶表面上的磁力线分布，同 时谋求溅射靶得到均匀侵蚀(wide erosion)的磁体构件等。为了实现上述目的，本发明的磁控管溅射装置用的磁体构件形成如下所述的结构， 即具备配置于靶的背面侧，而且配置得能够形成达到靶表面上的主磁力线的主磁体； 配置于所述靶的背面侧，配置得可形成能够改变所述主磁力线形成的磁通密度分布的 矫正磁力线的校正磁体；配置于所述靶的背面侧的所述校正磁力线的磁路；以及能够 改变贯通所述磁路内的所述校正磁力线的强度的磁场校正手段。
利用这样的结构，不使整个磁体构件摇动，而能够借助于简单的驱动机构随着时 间的经过改变贯通此路内的校正磁力线的强度，进而在例如每一周期改变溅射靶表面 上的主磁力线分布(磁通密度分布)，谋求溅射耙得到均匀侵蚀。
上述磁场校正手段的一个例子是形成这样的结构，即具备在与所述校正磁体之间， 由处于规定的设置位置上的磁性材料构成的可动体、以及驱动所述可动体以使所述设 定位置改变的驱动装置。
借助于这样的结构，所能够实现的只不过是磁体构件的一个构件的可动体周期性 运动的简单的驱动机构。
还有，在这里，也可以具备由支持所述主磁体的磁性材料构成的板状基体，所述 磁路形成包含该基体的结构。这样一来，能够将基体作为引导校正磁力线的磁路而有 效利用。
这样的基体也可以由例如一对内外部基体构成，使所述校正磁体的磁矩的方向与 所述内外部基体的面方向平行，利用所述内外部基体夹着所述校正磁体。又，所述可动体的一个例子是与所述校正磁体的背面侧相对配置的板构件。
这样一来，在校正磁体的背面侧存在合适的空间，因此可望能够容易地改变可动 体与校正磁体之间的距离。
还有，在这里也可以是所述磁路包含向所述靶背面突出的磁性构件形成的凸部， 所述凸部跨越所述校正磁体配置，所述凸部的两个端面分别连接于所述内外部基体上。 这样的凸部的一个例子是，凸部形成为弯曲的弓形构件。
在这里，本发明的磁控管溅射装置用的阴极单元形成这样的结构，即具备非磁性 金属构成的靶、配置于所述靶的背面侧的上述任一项记载的磁体构件、以及对所述靶 提供规定的功率的电力源。
又，本发明的磁控管溅射装置，具备容纳上述记载的阴极单元以及与所述阴极单 元的所述靶对置的基板，能够使内部减压的真空槽。
本发明的上述目的、其他目的、特征以及优点从参照附图对下述理想的实施形态 进行的详细说明中能够清楚了解到。
如果采用本发明，可以得到不使整个磁体构件摇动，而能够借助于简单的驱动机 构随着时间的经过改变溅射靶表面上的磁力线分布，谋求溅射靶得到均匀侵蚀的磁体 构件等。


图1是包含本发明实施形态1的磁体构件的阴极单元的俯视图。
图2是沿图i的n —n剖面线的部分的阴极单元的立体图。
图3表示利用静磁场模拟技术得到的本实施形态的磁体构件的分析结果的一个例子。 图4表示利用静磁场模拟技术得到的本实施形态的磁体构件的分析结果的一个例子。 图5表示利用静磁场模拟技术得到的本实施形态的磁体构件的分析结果的一个例子。
符号说明10中央部永久磁体
11中间永久磁体
12可动体
13最外部永久磁体
14致动器
20耙
21A外部基体
21B内部基体
22第1基板
23第2基板
24弯曲磁性构件
24A弯曲内表面
24B弯曲外表面
25上侧磁力线
26下侧磁力线
26A第1下侧磁力线
26B第2下侧磁力线
27内侧中间磁力线
28外侧中间磁力线
29零点
100阴极单元
110磁体构件
VI电源
BM1、BM2 零交叉位置
具体实施例方式
下面参照附图对本发明的理想的实施形态进行说明。
图1是包含本发明的实施形态的磁体构件(磁场形成手段)的阴极单元的俯视图。又，图2是沿图i的n — n剖面线的部分的阴极单元的立体图。
还有，在图i中为了作图的简化，只将磁体构件iio的磁体剖面表示出。
又为了方便，在图l和图2中(图3也相同)，以靶20的宽度方向为X方向，以 靶20的厚度方向为Y方向，对阴极单元100的各构成部件进行说明。
而且图2的磁体构件IIO的各构成部件的纵深方向(垂直于X方向和Y方向的方 向)以区隔为规定厚度的形态表示，但是这样的构成部件实际上以相同的剖面形状在 纵深方向延伸构成，这种情况参照图1能够更容易理解。
本实施形态的阴极单元100，如图2所示，主要具备铝(A1)等非磁性金属构成的矩 形的靶20和配置于该靶20的背面20B —侧、具有多个磁体的磁体构件100所构成。
靶20是将覆盖与其对置的基板(未图示)的薄膜的母体材料，以将等离子体中的 Ar离子(正离子)拉到近旁为目的，利用电源V1供电使其成为阴极。
又，在这里，容纳阴极单元100和基板，能够使内部减压的磁控管溅射装置用的 真空槽(未图示)作为阳极并且接地。
还有，在溅射现象的发生过程中，利用封闭等离子体用的通道状的泄漏磁场在耙 20的表面附近形成包含Ar离子的高密度等离子体，另一方面，靶20的构成原子(在 这里是铝原子)由于该Ar离子的碰撞能量的作用从靶表面被打出来，被打出来的原子 堆积在基板上，这种技术是众所周知的，在这里不详细叙述。
磁体构件U0如图2所示，具有用强磁性不锈钢或铁制作的一对外部基体21A和 内部基体21B。
外部基体21A利用在俯视情况下与耙20的外形尺寸大致相同的外周面、以及板状 而且是长圆环状的中间永磁体11 (将在下面叙述)能够嵌入，与其外形尺寸大致相同 的内周面区隔，形成具有长圆孔的环状而且是板状的形态。
又，内部基体21B在俯视情况下形成能够嵌入中间永磁体11的长圆孔的长圆板状 的形态。
还有，在这里，在这些内外部基体21A、 21B上，配置磁体或磁性部件，使这些 部件分别在靶20表面20A近旁的上方空间形成封闭等离子体用的通道状漏磁场(详细 情况将在下面叙述)。
还有，磁体构件110的各构成部件(内外部基体21A、 21B、磁体和磁性构件)和 靶20等实际上利用适当的固定手段固定为一整体，但是在这里省略了这样进行固定的 固定手段的图示和说明。
作为磁体构件110的第1主磁体，如图1和图2所示，在靶20的背面20B—侧， 位于耙20的宽度方向(X方向)的中央部的大致为长方形状的中央部永磁体10 (内部 磁体)，以在俯视情况下使该磁体10的长度方向中心线与靶20的长边方向中心线一 致的棒状的形态，配置于图2所示的内部基体21B上放置的第l基板22的上表面。
该中央部永久磁体IO，如图2所示，具有使中央部永久磁体10内的磁矩的方向发生于Y方向的反方向(从靶20的表面20A指向背面20B的方向)的N极和S极，中 央部永久磁体10的N极一侧与靶20的背面20B的中央部接触，中央部永磁体10的S 极一侧与利用磁性材料(例如强磁性不锈钢或铁)制作的第l基板22的上表面接触， 而且隔着该第1基板22与上述内部基体21B的中央部相对。
作为磁体构件110的第2主磁体，如图1和图2所示，在靶20的背面20B—侧， 位于靶20的宽度方向(X方向)的端部附近内侧的大致为长圆筒状的最外部永久磁体 13 (外部磁体)，在俯视的情况下在形成沿着耙20的端部周围的环状状态下，配置于 图2所示的外部基体20A上放置的第2基板23的上表面。
该最外部永久磁体13，如图2所示，具有在Y方向(从耙20的背面20B指向表 面20A的方向)产生最外部永久磁体13内的磁矩的方向的N极和S极，最外部永久 磁体13的S极一侧与靶20的背面20B的周边部接触，最外部永久磁体13的N极一 侧与磁性材料(例如强磁性不锈钢或铁)制作的第2基板23的上表面接触，而且隔着 该第2基板23与上述外部基体21A的周边部相对。
作为磁体构件IIO的校正磁体，如图1和图2所示，在靶20的背面20B—侧，位 于中央部永久磁体IO与最外部永久磁体13之间的X方向大致中央，俯视情况下为长 圆环状，而且是板状的中间永久磁体11由内外部基体21A、 21B夹着构成。
还有，在这里，如图2所示，中央永久磁体11的厚度与内外部基体21A、 21B大 致相同，因此中央永久磁体11与内外部基体21A、21B之间不存在阶梯。这些构件21A、 21B、 ll在外形上分别一体化，形成犹如单一的矩形构件的结构。
又，该中间永久磁体11如图2所示，具有在X方向的相反方向(从靶20的端部 指向中央部的方向)上产生中间永久磁体11内的磁矩的方向的N极和S极，中间永久 磁体11的S极一侧与内部基体21B的外周面接触，中间永久磁体11的N极一侧与外 部基体21A的内周面接触。即内外部基体21A、 21B形成为使中间永久磁体11内的磁 矩的方向与这些内外部基体21A、 21B的面方向平行，并且夹着中间永久磁体11的结 构。
还有，以上所述的永久磁体IO、 11、 13用公知的各种磁体材料构成，但是在将这 些永久磁体10、 11、 13浸渍于对靶20的背面20B进行冷却的冷却水中使用的情况下， 最好是对磁体表面进行防锈加工或选用不容易生锈的磁体材料(例如铁氧体磁体)。
弯曲为弓形，利用磁性材料(强磁性不锈钢或铁)制作的弯曲磁性构件24 (凸部 的强磁性体)，如图2所示，具有与靶20的背面20B平行的两个端面，使其端面的一 方与内部基体21B的表面接触，该端面的另一方与外部基体21A的表面接触，通过形 成这样的结构使弯曲磁性构件24跨越中间永久磁体11，形成在内外部基体21A、 21B 之间架桥的结构。
又，该弯曲磁性构件24在俯视的情况下呈大致为长圆环状的形态。更详细地说， 该弯曲磁性构件24具有在靶20的厚度方向(Y方向)上向靶20的背面20B以相同的曲率弯曲为凸状的弯曲内表面24A和弯曲外表面24B，以弯曲内外表面24A、 24B之 间的间隔为壁厚的假想的大致长圆断面的筒体，形成为以上述端面为界的半个长圆形。
而且弯曲磁性构件24的弯曲外表面24B的X方向两端之一与第1基板22的侧面 接触，另一端与第2基板23的侧面接触。
这样一来，利用弯曲磁性构件24和内外基体21A、 21B的一部分(正确地说，利 用中央永久磁体11的各磁极与弯曲磁性构件24的各端面之间存在的内外基体21A、 21B的部位)形成中间永久磁体ll产生的校正磁力线的磁路。利用这样的结构，能够 将内外基体21A、 21B作为引导第2下侧磁力线26B的磁路使用，有助于磁性构件的 有效利用。
还有，磁路形成为使中间永久磁体11的N极发出的磁力线再度返回中间永久磁体 11的S极，封闭引导校正磁力线的结构，而校正磁力线的具体形态将在稍后详细叙述。
还有，在这里，也可以使弯曲外表面24B的Y方向顶点与靶20的背面20B接触， 又可以在弯曲外表面24B的Y方向顶点与耙20的背面20B之间设置适当大小的间隙 (未图示)。
通过使两者接触，中间永久磁体11与靶20之间的距离縮短，有时候能够使由该 磁体带来的，对封闭等离子体的磁场的形成有贡献的磁能，有效地发挥其效果。
通过在两者之间确保间隙，有时候在利用冷却水使靶20的背面20B冷却时是有利 的。例如采用在装冷却水的冷却水容器(未图示)中，将整个磁体构件110全部浸入 其中的冷却结构的情况下，使冷却水流过该间隙，能够使冷却水与耙20的背面20B之 间有高效率的热交换。而且为了采用使能够通冷却水的中空的矩形背板(未图示)与 靶20的背面20B接触的形态的冷却结构，作为插入背板的空间，这样的间隙是不可缺 少的。
又，能够改变中间永久磁体11产生的校正磁力线的强度的磁场校正手段的构成部 件，包括在与中间永久磁体ll之间，处于规定的设定位置的磁性材料(例如强磁性不 锈钢或铁)的可动体12、以及驱动可动体12使该设置位置改变的致动器(驱动装置 14)。
可动体12在俯视情况下呈与中间永久磁体11相同尺寸的形状，在图2中，在俯 视时与中间永久磁体11 一致形态的可动体12呈现与中间永久磁体11的背面对置地相 连配置的状态。
如果将可动体11与中间永久磁体11的背面侧对置配置，则在中间永久磁体11的 背面侧存在适当的空间，因此能够容易地改变可动体12与中间永久磁体11之间的距 离，而合适的。
又，利用适当的控制手段(微处理器等，未图示)控制的致动器14，能够每一定 周期摇动该可动体11，使其从两者接触的状态到离开规定的设定距离的状态。例如摇 动到向下方(Y方向的反方向)离开的状态。当然，也可以利用致动器14使该可动体11周期性地在X方向偏移开，形成能够 由靶20的溅射状态决定可动体11的开始移动时间和移动速度的结构。
下面对利用静磁场模拟技术检测以上所述的靶20磁化的磁通密度分布的检测结果
进行说明。
与图2所示的形状大致相同的分析模型被网状分隔为数值计算用的单位解析区域， 生成于计算机上，向相当于磁体构件IIO的各构成部件的网状区域、相当于耙20的网 状区域、以及他们的边界网状区域输入各种合适的材料物性数据和边界条件数据。
还有，作为分析求解器使用通用的磁场分析软件(INFOLYTICA公司制造的 "MagNet，，)。
图3、图4以及图5都表示利用静磁场模拟技术得到的本实施形态的磁体构件的分 析结果的一个例子。
图3表示分析模型中的磁通密度分布(等高面)以及磁通密度矢量，表示沿着图1 的II一II线的二维断面的分析结果图。
但是在这里，省略了各磁体IO、 11、 13内的磁通密度矢量的表示。
图4 (b)表示横轴为靶表面的X方向的位置，纵轴为靶表面上的磁通密度的Y方 向分量，使用分析结果得到的数值数据将两者的关系作图的情况，如图4 (a)所示， 是使可动体12与中央永久磁体11相互接触时的分析结果图。
图5 (b)表示横轴为靶表面的X方向的位置，纵轴为靶表面上的磁通密度的Y方 向分量，使用分析结果得到的数值数据将两者的关系作图的情况，如图5 (a)所示， 是使可动体12与中央永久磁体11两者保持规定的设定距离时的分析结果图。
还有，在这里，图3中利用灰度表示的磁通密度的等高图是磁通密度的矢量分量 的合计(绝对值)的高低分布(磁通密度分布)，随着从淡灰色区域到深灰色区域移 动，磁通密度越来越高(但是该磁通密度的上限定为500G)。
还有，如果参照这样的磁通密度的等高图或矢量图，则能够理解磁力线为各点上 的曲线方向与该点的磁场方向一致的曲线。
但是在图3中，虽然尽可能仿效分析用计算机输出的磁通密度的等高图和矢量图， 但是为了容易理解这些内容，将计算机输出的磁通密度分布简化表示，同时用假想地 划粗的二点锁线分别表示上侧磁力线25、下侧磁力线26 (第1下侧磁力线26A、第2 下侧磁力线26B)、内侧中间磁力线27、以及外侧中间磁力线28。
根据图3，在靶20的内部形成上侧磁力线25和下侧磁力线26 (第1下侧磁力线 26A、第2下侧磁力线26B)，使磁通密度的X方向的矢量分量(靶20的宽度方向的 分量)相互抵消，形成内侧中间磁力线27和外侧中间磁力线28，使磁通密度的Y方 向矢量分量(靶20的厚度方向的分量)相互抵消。
上侧磁力线25 (主磁力线)，详细地说，从中央部永久磁体10的N极出发，到 达靶20的表面20A，在磁通密度的Y方向矢量分量和X方向矢量分量大致为0的0点29的正上方的靶20的内部在大致平行于X方向的方向上延伸，弯曲为弓形通过该 内部，并且进入最外部永久磁体13的S极。
在这里，下侧磁力线26包含以下所述的第1下侧磁力线26A和第2下侧磁力线 26B (校正磁力线)。
第1下侧磁力线26A从最外部永久磁体13的N极出发，通过第2基板23，进入 0点29的正下方的弯曲磁性构件24的内部，以X方向的反方向大致平行延伸，按照 该弯曲磁性构件24的形态弯曲为弓形，同时通过第l基板22进入中央部永久磁体10 的S极。
第2下侧磁力线26B利用下面所述的可动体12的移动动作改变其强度，从中间永 久磁体11的N极出发，通过外部基体21A,进入0点29的正下方的弯曲磁性构件24 的内部，在平行于X方向的反方向的方向上延伸，按照该弯曲磁性构件24的形态弯曲 为弓形，同时通过内部基体21B,返回中间永久磁体10的S极。
还有，该第2下侧磁力线26B与贯通中间永久磁体11内部的磁力线形成环状的磁路。
又，内侧中间磁力线27从中央部永久磁体10的N极出发到达耙20的厚度方向的 中途，在靶20内部弯曲为弓形地延伸，与Y轴方向的反方向大致平行地通过0点29 的旁边(从0点29向X方向负侧的位置)进入弯曲磁性构件24。
又，外侧中间磁力线28从弯曲磁性构件24出发，与Y轴方向大致平行地通过0 点29的旁边(从0点29向X方向正侧的位置)到达靶20的厚度方向的中途，通过其 内部弓形弯曲地延伸，进入最外部永久磁体13的S极。
然后如图3所示，这些磁力线25、 26、 27、 28所包围的区域内形成0点29。还有， 在这里，这样的0点29存在于靶20的背面20b与弯曲磁性构件24的顶点的接触点近 旁。
这样将0点29置于对靶20的构成(厚度和材料等)合适的最佳位置上，能够正 确地调整封闭靶20的表面20A上的等离子体用的泄漏磁场。
更详细地说，泄漏到靶20的表面20A的表面20A近旁的泄漏磁场中的平行于表 面20A (X方向)的磁通密度分量(以下称为"平行磁通密度")，作为封闭等离子 体用的泄漏磁场起作用。
在本磁体构件110中，在靶20的表面20A的方向的全部区域上，上述平行磁体密 度维持于规定的磁通密度BS (例如200 300G)以上，作为其结果，可以谋求对靶20 既高效率又均匀侵蚀。
又，根据经验可知将上述泄漏磁场中的垂直于表面20A (Y方向)的磁通密度分 量(以下称为"垂直磁通密度")维持于O附近的靶的部分比较快地因溅射而消耗。
在本磁体构件110中，垂直磁通密度大致为0的零交叉位置(例如图4(b)的BM1 和图5的BM2的位置)正好形成于靶20的表面20A的X方向上，其结果是，有利于磁能的有效利用，能够谋求靶20的均匀侵蚀。
因此，如果采用本实施形态的磁体构件110，则能够形成包围耙20的适当地方(例 如背面20B近旁)存在的0点29的上侧磁力线25、下侧磁力线26 (第1下侧磁力线 26A、第2下侧磁力线26B)、内侧中间磁力线27、以及外侧中间磁力线28构成的四 方向磁场，因此能够实现靶20的局部溅射得到抑制的均匀侵蚀，提高靶的利用效率， 进而能够延长靶20的替换周期，能够提高平面型磁控管装置的开动效率。
又，在这里，如图4和图5所示，通过周期性改变可动体12与中间永久磁体11 之间的距离，能够周期性改变垂直磁通密度大致为0的靶20的表面20A上的X方向 的位置(以下称为"零交叉位置")。
也就是说，通过使与可动体12保持距离的中间永久磁体11 (图5)和可动体12 接触(图4)，从中间永久磁体11发出的磁力线的一部分短路，其结果造成贯通磁路 的内外部基体21A、 21B内的第2下侧磁力线26B (校正磁力线)的强度发生变化。
这样一来，靶20的表面20A上的上侧磁力线25 (主磁力线)的磁通密度分布也 能发生变化，因此可以推定，图5 (可动体12与中间永久磁体11保持间隔的状态)垂 直磁通密度大约为0的两个地方的零交叉位置BM2，会沿着靶20的表面20像图4(可 动体12与中间永久磁体11接触的状态)的垂直磁通密度为0的两个地方的零交叉位 置BM1那样，周期性地向X方向(从耙20的中央部向端部方向)移动。
因此，如果采用本实施形态的磁体构件110，则通过采用不使整个磁体构件110 摇动，而仅仅只使磁体构件IIO的一个部件的可动体12，相对于中间永久磁体11随着 时间经过而运动的简单的驱动机构，能够使通过弯曲磁性构件24内的第2下侧磁力线 26B (校正磁力线)的强度随着时间的经过而变更，进而能够按一定周期改变靶20的 表面20A上的磁力线分布(磁通密度分布)，谋求靶20的均匀侵蚀。
根据上面所述，对于本行业的普通技术人员来说，本发明的许多改良和其他实施 形态是明显的。从而，上述说明只以该解释为例示，是为向本行业的普通技术人员示 教执行本发明的最佳形态这一目的而提供的。在不脱离本发明的精神的条件下，其结 构和/或功能的细节可以有实质性变更。
工业应用性
本发明的磁体构件作为例如磁控管溅射装置用的磁场形成手段是有用的。
权利要求
1.一种磁控管溅射装置用的磁体构件，其特征在于，具备配置于靶的背面侧，而且配置得能够形成达到所述靶表面上的主磁力线的主磁体、配置于所述靶的背面侧，配置得可形成能够改变所述主磁力线形成的磁通密度分布的校正磁力线的校正磁体、配置于所述靶的背面侧的所述校正磁力线的磁路、以及能够改变贯通所述磁路内的所述校正磁力线的强度的磁场校正手段。
2. 根据权利要求1所述的磁体构件，其特征在于，所述磁场校正手段具备在与所 述校正磁体之间由处于规定的设置位置上的磁性材料构成的可动体、以及驱动所述可 动体，以使所述设定位置改变的驱动装置。
3. 根据权利要求2所述的磁体构件，其特征在于，具备由支持所述主磁体的磁性 材料构成的板状基体，所述磁路形成包含所述基体的结构。
4. 根据权利要求3所述的磁体构件，其特征在于， 所述基体由一对内外部基体构成，使所述校正磁体的磁矩的方向与所述内外部基体的面方向平行，利用所述内外部 基体夹着所述校正磁体。
5. 根据权利要求4所述的磁体构件，其特征在于，所述可动体是与所述校正磁体 的背面侧相对配置的板构件。
6. 根据权利要求4所述的磁体构件，其特征在于，所述磁路包含向所述靶背面突 出的磁性构件形成的凸部，所述凸部跨越所述校正磁体配置，所述凸部的两个端面分别连接于所述内外部基 体上。
7. 根据权利要求6所述的磁体构件，其特征在于，所述凸部形成为弯曲的弓形。
8. —种磁控管溅射装置用的阴极单元，其特征在于，具备非磁性金属构成的靶、 配置于所述靶的背面侧的权利要求1 7中的任一项记载的磁体构件、以及对所述靶提 供规定的功率的电力源。
9. 一种磁控管溅射装置，其特征在于，具备容纳权利要求8所述的阴极单元以及 与所述阴极单元的所述靶对置的基板的，能够使内部减压的真空槽。
全文摘要
本发明提供能够利用简单的驱动机构改变靶表面上的磁力线分布，谋求靶的均匀侵蚀的磁体构件。磁体构件(110)具备配置于靶(20)的背面(20B)一侧，而且配置得能够形成达到靶(20A)表面的主磁力线的主磁体(10、13)、配置于所述靶(20)的背面(20B)一侧，配置得可形成能够改变主磁力线形成的磁通密度分布的校正磁力线的校正磁体(11)、配置于所述靶(20)的背面(20B)一侧的所述校正磁力线的磁路(21A、21B、24)、以及能够改变贯通磁路(21A、21B、24)内部的校正磁力线的强度的磁场校正手段(12、14)。
文档编号C23C14/35GK101300372SQ20068004117
公开日2008年11月5日 申请日期2006年11月2日 优先权日2005年11月4日
发明者堀崇展, 岩崎安邦, 米山信夫, 近藤隆彦 申请人:新明和工业株式会社