专利名称：等离子体沉浸离子注入工艺的制作方法
技术领域：
本发明的实施例通常关于半导体制造工艺及组件之领域，尤其关于通过等
离子体沉浸离子注入工艺(plasma immersion ion implantation process)而将离 子注入至基板中的方法。
背景技术：
集成电路可包含百万个以上形成在基板上且彼此于电路内协同执行各种 功能的微型电子场效晶体管(例如，互补式金属氧化物半导体(CMOS)场效 晶体管)。一 CMOS晶体管包括位于源极及漏极区域之间的栅极结构，该源 极及漏极区域形成在基板中。该栅极结构一般包括一栅极电极及一栅极电介质 层。该栅极电极位在该栅极电介质层上方，以控制栅极电介质层下方信道区域 内电荷载子的流动，信道区域形成在源极及漏极区域之间。
一离子注入工艺典型地用来将离子注入且惨杂至基板内，从而在基板上形 成具有欲求(deseed)的轮廓与浓度的栅极与源漏极结构。在离子注入工艺期 间，不同的工艺气体或气体混合物可用以提供离子源物种。当工艺气体被供应 至离子注入处理腔室内时，可以生成RF功率以产生等离子体，而促使工艺气 体中离子解离以及将经解离的离子朝向且进入基板表面加速。在等离子体解离 期间会形成杂质(例如经解离的离子物种结合的副产物)，并且其会随着欲求 的离子被驱入与/或注入基板内，因而污染了基板中的结构。这些非欲求 (imdesired)的离子物种也会改变基板上所形成结构的浓度、轮廓、尺寸与离 子分布，因而不利地影响了整体电子组件性能。
所以，亟需提供一种改良的离子注入工艺。
发明内容
本发明揭示一种用以通过一等离子体沉浸离子注入工艺将离子注入到一
基板内的方法。在一实施例中，用以将离子注入到基板内的方法包括提供一
5基板至一处理腔室内；供应一气体混合物到该腔室内，其中该气体混合物包括 一反应气体与一还原气体；以及将来自该气体混合物的离子注入到该基板内。
在另一实施例中，用以将离子注入到基板内的方法包括提供一基板至一 处理腔室内；供应一气体混合物到该腔室内，其中该气体混合物包括一及:应气 体与一含氢还原气体；以及将来自该气体混合物的离子注入到该基板内。
在又另一实施例中，用以将离子注入到基板内的方法包括提供一基板至 一处理腔室内；供应一气体混合物到该腔室内，其中该气体混合物包括一反应 气体与一含氢还原气体，该含氢还原气体选自包含SiHU、 B2H6、 NHs与H2的 群组；施加一RF功率以形成一等离子体；将该气体混合物解离成多个离子物 种，其中来自该还原气体的离子物种与一第一部分离子物种发生反应，并将副
产物泵送出该腔室；以及将来自该气体混合物的一第二部分离子物种植入注入 到该基板内。
本发明之前述特征、详细说明可以通过参照实施例而加以详细地了解，其 中一些实施例被绘示在附图中。然而，应当注意的是，附图仅绘示出本发明的
典型实施例且因此不被视为会限制本发明范围，本发包含其它等效实施例。 图1A-1B绘示适于实施本发明的等离子体沉浸离子注入工具的一实施例。 图2绘示根据本发明一实施例用于等离子体沉浸离子注入工艺的方法的
流程图。
为了有助于了解，尽可能在附图中使用相同的组件符号。 一实施例的构件 与特征可以有益地被并入其它实施例中而无须赘述。
然而，应当注意的是，附图仅绘示出本发明的示范性实施例且因此不被视 为会限制本发明范围，本发包含其它等效实施例。 主要组件符号说明
102腔室本体 106基板 124底部 128基板支撑组件 132 抽吸口
100 104 122 126 130
等离子体反应器
工艺区域
侧壁
顶部
气体散布板134真空泵136节流阀
140导管140，导管
140a第一端140a,笛_^尝 弟 乂而
140b'第二端140b，a^y ~■ 一山 弟一顿
142心142，心
144线圈144'线圈
146功率产生器146，功率产生器
148匹配电路148，匹配电路
150环150，环
152气体源154偏功率产生器
156匹配电路190等离子体源
192开口194开口
196开口198开口
200方法
202提供基板至等离子体沉浸处理腔室内 204供应包括反应气体与还原气体的气体混合物到处理腔室内 206执行等离子体沉浸离子注入工艺，以将来自气体混合物的离子注入 到基板内
具体实施例方式
本发明提供用以通过等离子体沉浸离子注入工艺而将离子注入至基板内 的方法。在一实施例中，离子注入工艺是透过供应含有反应气体与还原气体的 气体混合物至处理腔室来执行。一等离子体被产生以将来自气体混合物的离子 解离，从而形成朝着基板被加速且被注入至基板内的离子源，其中该基板具有 欲求的偏压。供应的气体混合物提供不同的离子物种，因而提供了特定经解离 的离子，其交互作用反应且/或与副产物结合而接着被泵送出处理腔室。特定 离子的交互作用反应与/或结合可避免非欲求离子随着欲求离子一起被注入基 板内。
图1A绘示一等离子体反应器100，其可用来实施根据本发明一实施例的 离子注入工艺。可实施工艺的一适当反应器为可从美国加州圣大克劳拉市(Santa Clara)的应用材料公司(Applied Materials, Inc.)获得的？3〗@反应器。 本文叙述的方法可以被实施在其它适用的等离子体反应器中，包括来自其它制 造商的等离子体反应器。
等离子体反应器100包括一腔室本体102，腔室本体102具有底部124、 顶部126、与围绕工艺区域104的侧壁122。 一基板支撑组件128由腔室本体 102的底部124所支撑，且适于接收基板106以进行处理。 一气体散布板130 耦接至腔室本体102的顶部126，且面对基板支撑组件128。 一抽吸口 132被 定义在腔室本体102中，并耦接至真空泵134。真空泵134经由一节流阀136 耦接至抽吸口 132。 一气体源152耦接至气体散布板130，以供应在基板106 上执行工艺所需要的气体前驱物化合物。
图1A绘示的反应器100更包括一等离子体源190，在图1B中显示较为 清楚。等离子体源190包括一对分离的外部再进入导管140、 140'，外部再进 入导管140、 140'装设在腔室本体102的顶部126外面而彼此横切(或如同图 1B中示范性实施例所绘示的彼此正交)。第一外部再进入导管140具有一第一 端140a，其经由形成在顶部126中的开口 198耦接至腔室本体102中工艺区 域104的第一侧内。 一第二端140b具有耦接至工艺区域104的第二侧内的开 口 196。第二外部再进入导管140b具有一第一端140a，与一第二端140b，，第 一端140a，具有耦接至工艺区域104的第三侧内的开口 194，第二端140b，具有 耦接至工艺区域104的第四侧内的开口 192。在一实施例中，第一与第二外部 再进入导管140、 140'被建构成彼此正交，从而使每一外部再进入导管140、 140，的两端140a、 140a，、 140b、 140b，在腔室本体102的顶部126周围相隔约 90度。外部再进入导管140、 140'的正交组态使得等离子体源能均匀地被散布 在工艺区域104中。第一与第二外部再进入导管140、 140'可被建构成能在工 艺区域104内提供均匀等离子体散布的其它散布形式。
磁性可穿透的环面芯142、 142'围绕一部分相应的外部再进入导管140、 140，真中之一。导电线圈144、 144，经由各自的阻抗匹配电路或构件148、 148， 耦接至各自的RF等离子体源功率产生器146、146，。每一外部再进入导管140、 140'为分别被绝缘环150、 150'干扰的中空导电管子，其中该些绝缘环150、 150'干扰各个外部再进入导管140、 140，的两端140a、 140b (与140a，、 140b，) 之间的一连续电性路径。基板表面的离子能量是由一 RF等离子体偏功率产生器154来控制，其中该RF等离子体偏功率产生器154经由一阻抗匹配电路或 构件156耦接至基板支撑组件128。
再参照图1A，包括来自工艺气体源152的气体化合物的工艺气体经由上 方气体散布板130被导入工艺区域104。 RF源等离子体功率146从功率施用 器142、 144耦接至导管140内所供应的气体，其建立了一第一封闭环面 (torroidal)路径中的循环等离子体流，其中该第一封闭环面路径包括外部再 进入导管140与工艺区域104。而且，RF源功率146'可以从其它功率施用器 142，、 144，耦接至第二导管140，中的气体，其建立了与第一封闭环面路径横切 (例如正交)的一第二封闭环面路径中的循环等离子体流。第二环面路径包括 第二外部再进入导管140'与工艺区域104。每一路径中的等离子体流在各自 RF源功率产生器146、 146'的频率下振荡(例如，相反的方向)，其中该两频 率可以相同或稍微彼此偏移。
在一实施例中，工艺气体源152提供不同的工艺气体，这些气体可用来提 供被注入基板106内的离子。适当的工艺气体实例包括有B2H6、 BF3、 SiH4、 SiF4、 PH3、 P2H5、 P03、 PF3、 PFs与CF4等。每一等离子体源功率产生器146、 146'的功率被操作成使得其结合效果能够有效率地将从工艺气体源152供应的 工艺气体解离，并且在基板106的表面产生欲求的离子通量(ion flux)。 RF 等离子体偏功率产生器154的功率被控制在经选择的位准，在此位准从工艺气 体解离的离子可以朝向基板表面被加速且被注入到基板106表面下一欲求深 度而具有欲求离子浓度。例如，通过相对低的RF功率(例如低于约50eV)， 可以获得相对低的等离子体离子能量。经解离而具有低离子能量的离子可以被 注入到基板表面下约0埃与100埃之间的浅深度。替代性地，经解离而具有高 离子能量的离子是由高RF功率(例如高于约50 eV)来提供且产生，经解离 而具有高离子能量的离子可以被注入到基板表面下实质上超过100埃的深度。
经控制的RF等离子体源功率与RF等离子体偏功率的组合可以将气体混 合物中的离子解离，其因而在处理腔室100中具有足够动量且欲求的离子分 布。这些离子被偏压，并且被朝向基板驱动，从而将该些离子入到基板内而在 基板表面下具有欲求的离子浓度、分布及深度。再者，来自所供应工艺气体之 离子物种的经控制离子能量与不同类型有助于该些离子被注入到基板106内， 因此在基板106上形成欲求的组件结构(例如栅极结构与源漏极区域)。
9图2绘示通过等离子体沉浸离子注入工艺将离子注入到基板内的方法200 的工艺流程图。工艺200可以在一等离子体沉浸离子注入处理腔室内(例如图 1A-1B所叙述的处理腔室100)被执行。
方法200开始于步骤202，其在处理腔室100中提供一基板。在一实施例 中，基板可以是例如氧化硅、碳化硅、结晶硅(譬如^<100>或&<111>)、伸 张硅、硅锗、掺杂或未掺杂多晶硅、惨杂或未掺杂硅晶片、掺杂硅、锗、砷化 镓、氮化镓、玻璃与蓝宝石(sapphire)的材料。基板可以具有各种尺寸(例 如直径为200mm或300mm的晶片)，以及矩形或方形面板(pane)。除非特 别指明，本文叙述的实施例与实例是实施在200 mm直径或300 mm直径的基 板上。在使用基板以形成栅极结构的实施例中，可以在基板上的一栅极电介质 层上沉积一多晶硅层。
在步骤204， 一气体混合物被供应至处理腔室100内，以提供用于后续注 入工艺的离子物种。可以从工艺气体源152 (如图1A所示)或以其它适当方 式供应气体混合物至气体散布系统130。
在一实施例中，供应至处理腔室100内的气体混合物包括一反应气体与一 还原气体。反应气体提供将被注入到基板内的欲求离子。例如，反应气体可以 提供欲求离子物种的来源，诸如B、 P、 Ga、 As等，其用来在电性组件中形成 活性的掺杂质以产生基板掺杂区域的欲求电性性能。在一实施例中，可以用来 提供离子物种源的反应气体包括BF3、 B2H6、 BC13、 P2H5、 PH3、 GaN、 AsF5、
PF3等。
在一实施例中，还原气体可以是一含氢气体。还原气体是用以与除了欲求 离子物种以外的离子物种发生反应，以避免非欲求离子随着欲求离子被注入到
基板内。例如，在反应气体是BF3气体的实施例中，BF3气体在后续注入工艺 会被解离(下文会更详细讨论)且产生BF2、 BF^+与F离子形式的副产物离 子物种。从还原气体产生的氢原子可以有效率地与未完全解离的BS+、 BF"与/ 或BF +离子及/或副产物F发生反应，其接着被泵送出腔室，因而避免了非欲 求离子物种被注入到基板内。在一实施例中，该含氢还原气体可以包括SiH4、 B2H6、 NH3、 H2等。
在另一实施例中，被供应至处理腔室100内的气体混合物可以包括一惰性 气体。适当的惰性气体实例包括N2、 Ar、 He、 Xe与Kr等。处理腔室100中
10的惰性气体会促进气体混合物的离子轰击(ion bombardment),从而有效率地 增加工艺气体撞击的可能性，可以减少离子物种的再结合。
可选地， 一含氮气体可以随着气体混合物被供应，以有助于挥发性副产物 的形成，其中这些挥发性副产物更容易被泵送出处理腔室。该含氮气体可以包 括NO、 N02、 NH3、 N2、 >120等。在一实施例中，含氮气体能以介于约0 seem 与约500 seem之间(例如介于约5 seem与约100 seem之间)被供应到处理腔 室内。
在步骤206， ^l行一等离子体沉浸离子注入工艺，以将在步骤204从气体 混合物产生的离子注入到基板内。一RF源功率被供应，以在处理腔室100中 从气体混合物产生等离子体。经产生的等离子体会将腔室100中的气体混合物 解离成离子物种。一RF偏功率可以随着RF源功率被施加，以将从气体混合 物解离的离子物种解离且朝向基板驱动，并且进入基板表面下一欲求深度。施 加到腔室100的RF源与偏功率可以被控制在一欲求的能量位准，从而将离子 物种解离且掺杂成基板中欲求的浓度与深度。
在一实施例中，RF源功率可以被维持在约50瓦与约2000瓦之间。RF偏 功率可以于介于约0伏特与约12000伏特之间的RF电压被维持在约50瓦与 约11000瓦之间。
在步骤206的等离子体沉浸离子注入工艺期间，也可以调整一些工艺参 数。在一实施例中，腔室压力可以被维持在约4mTorr与约500 mTorr之间。 基板温度可以被维持在约25'C与约40(TC之间。
步骤204所供应的反应气体、还原气体与惰性气体之间的气体混合物流速 与/或气体混合物流量比可以经选择，以在各种类型气体之间控制经解离离子 物种的相对量。经选择的气体混合物流速与/或流量比使得欲被解离的气体混 合物在不同类型的离子物种之间具有预定的量与/或比例，从而避免在处理腔 室中产生过量的特定类型离子、造成不希望的副反应与/或在基板上形成不欲 求的薄膜。例如，过量的特定类型禽子物种(例如氟或氩离子)可能会溅镀且 轰击基板表面，从而损坏了并粗糙化了基板表面。而且，过量的另一种类型离 子物种(例如BJly聚合物)可能无法轻易且有效率地被泵送出处理腔室，从 而累积在基板上并造成基板污染及掺杂质轮廓改变。
在一实施例中，反应气体与还原气体的流量比可以被控制在约1:0.5与约1:0.1之间。在另一实施例中，反应气体能以约5sccm与约600sccm之间的流 速(例如约10sccm与约400sccm之间)被注入处理腔室。含氢还原气体能以 约0 sccm与约800 sccm之间的流速(例如约5 sccm与约500 sccm之间，诸 如，勺5sccm与约.100sccm之间)被注入处理腔室。惰性气体能以约0 sccm与 约1200 sccm之间的流速(例如约5 sccm与约1000 sccm之间)被注入处理腔 室。
在本发明的一示范性实施例中，气体混合物包括BF3与SiH4。如前所述， B&与SiH4气体会被等离子体解离成B^、 BF2+、 BF22+、 F、 S产与lT形式的 离子物种。由SiH4提供的活性H物种会与F物种及其它经解离的副产物发生 反应，形成了HF或其它类型的挥发性物种，因此避免了F物种与其它类型的 副产物一起被注入到基板内。适当的SiH4气体流量经选择，以避免过量的经 解离的Si离子在基板表面上形成一非欲求的硅薄膜。在一实施例中，B&气体 与SiRU气体可以具有约1:50与约1:100之间的流量比(例如l:80)。替代性地， BF3气体流速能以约50 sccm与约400 sccm之间来供应，而SiH4气体流速能以 约1 sccm与约20 sccm之间(例如5 sccm)来供应。RF源功率可以被控制在 约100伏特与约2000伏特之间，并且RF偏功率可以被控制在约100伏特与 约12000伏特之间。
在本发明的另一示范性实施例中，供应至处理腔室100内的气体混合物可 以包括BF" B2H6与一含氮气体(例如N2)。 BF3、 82116与N2气体被等离子体 解离成83+、 BF2+、 BF22+、 F、 BxHy、 ^*与H+形式的离子物种。由82116气体 提供的活性H物种会与F物种及其它经解离的副产物发生反应，形成了 HF 或其它类型能被泵送出腔室的挥发性物种，因此避免了 F物种与其它类型的副 产物一起被注入到基板内。不完全解离的B2H6气体会形成BxHy形式的聚合物 气体。从N2气体产生的N离子物种可用来与聚合物气体BxHy发生反应，以 形成能轻易被泵送出腔室的挥发性气体，从而避免了在基板上沉积聚合物气体 且不利地影响组件结构。在一实施例中，BF3气体与B2H6气体可以具有约1:0.01 与约1:0.5之间的流量比。替代性地，BF3气体流速能以约50 sccm与约400 sccm 之间(例如100 sccm)来供应，而B2H6气体流速能以约10 sccm与约100 sccm 之间(例如10 sccm)来供应，而N2气体流速能以约5 sccm与约20 sccm之 间(例如10sccm)来供应。RF源功率可以被控制在约100伏特与约1000伏特之间，并且RF偏功率可以被控制在约100伏特与约12000伏特之间。
在本发明之又另一示范性实施例中，供应至处理腔室100内的气体混合物 可以包括BF3、 B2H6与SiH4。 BF3、 B2H6与SiH4气体被等离子体解离成B3+、 BF2+、 BF22+、 F、、产、BxHy与H+形式的离子物种。B物种被加速且被注入到 基板内基板表面下约10埃与约800埃之间的深度。由B2H6气体提供的活性H 物种会与F物种及其它经解离的副产物发生反应，形成了 HF或其它类型的挥 发性物种，因此避免了 F物种与其它类型的副产物一起被注入到基板内。不完 全解离的BxHy气体与H离子会形成能被泵送出腔室的挥发性气体，从而避免 了在基板上沉积聚合物气体与硅离子且不利地影响组件结构。在一实施例中， BF3气体、B2H6气体与SiH4气体可以具有约1:0.01:0.01与约1:0.1:0.01之间的 流量比。替代性地，BF3气体流速能以约50sccm与约400sccm之间来供应， 而B2H6气体流速能以约10 sccm与约100 sccm之间来供应，而SiHU气体流速 能以约5 sccm与约20 sccm之间来供应。RF源功率可以被控制在约100伏特 与约1000伏特之间，并且RF偏功率可以被控制在约100伏特与约12000伏 特之间。
所以，本发明提供了用以通过等离子体沉浸离子注入工艺而将离子注入到 基板内的方法。此改良的方法得以有益地将欲求的掺杂质量注入到基板表下欲 求的深度，而不会不利地污染或改变基板上掺杂质离子浓度，从而在基板上形 成具有欲求的电性性能的电性组件。
虽然前述说明是着重在本发明的实施例，在不脱离本发明基本范围下可以 构想出本发明的其它与进一步实施例，并且本发明范围是由随附申请专利范围 来决定。
权利要求
1、一种用以通过一等离子体沉浸离子注入工艺将离子注入到一基板内的方法，至少包含提供一基板至一处理腔室内；在该腔室内从一气体混合物产生一等离子体，其中该气体混合物包括一反应气体与一还原气体；以及将来自该等离子体的离子注入到该基板内。
2、 根据权利要求1所述的方法，其中该反应气体包括B&、 B2H6、 BC13、 P2H5、 PH3、 GaN、 AsFs或PF3之中至少其一。
3、 根据权利要求1所述的方法，其中该还原气体包括SiH4、 B2H6、 NH3或H2之中至少其一。
4、 根据权利要求1所述的方法，其中产生一等离子体的步骤更包含 随着该气体混合物供应一含氮气体到该处理腔室内。
5、 根据权利要求4所述的方法，其中该含氮气体包括NO、 N02、 NH3、 N2或N20之中至少其一。
6、 根据权利要求1所述的方法，其中产生一等离子体的步骤更包含 以约5 sccm与约600 sccm之间供应该反应气体；以及以约0 sccm与约500 sccm之间供应该还原气体。
7、 根据权利要求1所述的方法，其中该反应气体为BF3气体，且该还原 气体为SiH4气体。
8、 根据权利要求1所述的方法，其中该反应气体为BF3与B2H6气体，且 该还原气体为SiH4气体。
9、 根据权利要求1所述的方法，其中该反应气体为BF3气体，且该还原气体为B2He气体。
10、 根据权利要求1所述的方法，其中供应该气体混合物的步骤更包含 随着该气体混合物供应一惰性气体到该处理腔室内，其中该惰性气体包括Ar、 He、 Xe、 Kr或N2之中至少其一。
11、 根据权利要求1所述的方法，其中将离子注入的步骤更包含施加一RF源功率；以及施加一RF偏功率。
12、 根据权利要求10所述的方法，其中施加RF的步骤更包含 施加约50瓦与约2000瓦之间的RF源功率； 施加约5Q瓦与约11000瓦之间的RF偏功率。
13、 根据权利要求1所述的方法，其中产生一等离子体的步骤更包含使该还原气体与来自该反应气体的一部分经解离的离子发生反应。
14、 根据权利要求13所述的方法，更包含形成一挥发性气体，该挥发性气体被泵送出该处理腔室。
15、 根据权利要求1所述的方法，其中将离子注入的步骤更包含将离子注入到该基板内基板表面下约10埃与约800埃之间的深度。
16、 根据权利要求1所述的方法，其中以约1:0.01与约1:0.5之间的气体 流量比来供应该反应气体与该还原气体。
17、 根据权利要求1所述的方法，其中该还原气体为一含氢气体。
18、 一种用以通过一等离子体沉浸离子注入工艺将离子注入到一基板内的方法，至少包含提供一基板至一处理腔室内；供应一气体混合物到该腔室内，其中该气体混合物包括一反应气体与一含 氢还原气体；从该气体混合物形成一等离子体；以及 将来自该气体混合物的离子注入到该基板内。
19、 根据权利要求18所述的方法，其中该反应气体包括BF3、 B2H6、 BC13、 P2H5、 PH3、 GaN、 AsFs或PF3之中至少其一。
20、 根据权利要求18所述的方法，其中该含氢还原气体包括SiH4或B2H6 气体之中至少其一。
21、 根据权利要求18所述的方法，其中供应一气体混合物的步骤更包含: 供应一含氮气体到该腔室内。
22、 根据权利要求21所述的方法，其中z该含氮气体包括NO、 N02、 NH3、 N2或N20之中至少其一 。
23、 一种用以通过一等离子体沉浸离子注入工艺将离子注入到一基板内的 方法，至少包含提供一基板至一处理腔室内；供应一气体混合物到该腔室内，其中该气体混合物包括一反应气体与一含氢还原气体，该含氢还原气体选自包含SiKU、 B2H6、 NH3与H2的群组； 施加一RF功率以形成二等离子体；.将该气体混合物解离成多个离子物种，其中来自该还原气体的离子物种与一第一部分离子物种发生反应，并将副产物泵送出该腔室；以及 将来自该气体混合物的一第二部分离子物种注入到该基板内。
24、 根据权利要求23所述的方法，其中该反应气体为BF3。
25、 根据权利要求24所述的方法，其中该第二部分离子物种为B离子。
26、 根据权利要求24所述的方法，其中该第一部分离子物种为F离子。
27、 根据权利要求23所述的方法，其中来自该还原气体的离子物种为H离子。
全文摘要
本发明揭示一种用以通过一等离子体沉浸离子注入工艺将离子注入到一基板内的方法。在一实施例中，通过等离子体沉浸离子注入工艺将离子注入到基板内的方法包括提供一基板至一处理腔室内；供应一气体混合物到该腔室内，其中该气体混合物包括一反应气体与一还原气体；以及将来自该气体混合物的离子注入到该基板内。在另一实施例中，该方法包括提供一基板至一处理腔室内；供应一气体混合物到该腔室内，其中该气体混合物包括一反应气体与一含氢还原气体；以及将来自该气体混合物的离子注入到该基板内。
文档编号C23C14/32GK101558183SQ200780044234
公开日2009年10月14日 申请日期2007年12月7日 优先权日2006年12月8日
发明者卡提克·雷马斯瓦米, 李东亨, 李实健, 比亚吉欧·加洛, 马耶德·A·福阿德 申请人:应用材料股份有限公司