基板处理装置以及基板处理方法

专利名称：基板处理装置以及基板处理方法
技术领域：
本发明涉及通过将半导体基板、液晶显示装置用玻璃基板、光掩模用玻璃 基板等基板浸渍在处理液中来对基板进行清洗、蚀刻等处理的基板处理装置。
背景技术：
在基板的制造工序中，使用通过将基板浸渍到贮存于处理槽的处理液中来对基板进行处理的基板处理装置。图18是表示以往基板处理装置100的 例子的图。如图18所示，以往的基板处理装置100具有贮存处理液的处理 槽110， 一边从配置在处理槽110底部的喷出喷嘴113喷出处理液， 一边从 处理槽110上部使处理液溢出，由此向基板W的周围供给处理液，对基板 W进行处理。尤其是在所谓的单槽(one bath)方式的基板处理装置中，从喷出喷嘴 113依次喷出蚀刻液、清洗液、纯水等多种处理液。然后，依次将这些多种 处理液贮存在处理槽110的内部，由此依次对基板W进行多种处理。这种以往的基板处理装置的结构如公开在专利文献1中。专利文献l: JP特开2007-36189号公报。如图18所示，以往的基板处理装置100的喷出喷嘴113向处理槽110 内的基板W喷出处理液。因此，从喷出喷嘴113喷出的处理液在处理槽110 内部形成较高速度的液流，在处理槽110的整个内部被搅拌。但是，由于这 种以往的喷出方式在处理槽110的整个内部搅拌处理液，所以无法从处理槽 110有效地排出旧的处理液并置换成新的处理液。在这样的以往的基板处理装置100中，若在处理槽110内部混入颗粒等 异物，则这些异物也在处理槽110内部与处理液一同被搅拌。因此，以往的 基板处理装置100无法迅速地从处理槽110排出混入到处理槽110内部的异 物。因此，有可能使这些异物附着到处理中的基板W的表面而污染基板W 或者引起基板W的处理不良。尤其是在作为处理液使用酸性药液的情况、 或者使用疏水表面的基板W的情况下，由于容易在基板W的表面附着颗粒 等异物，所以上述问题更大。另外，在单槽方式的基板处理装置中，如在进行蚀刻处理之际，有要对 基板W进行均匀处理的情况，以及要将贮存在处理槽内部的处理液置换为其他处理液的情况。为了对基板w进行均匀处理，优选在处理槽内部形成较高速度的液流，使贮存在处理槽内部的处理液的浓度均匀。另一方面，为 了将贮存在处理槽内部的处理液有效地置换为其他处理液，优选在处理槽内 部形成较低速度的液流，从处理槽上部将处理液以挤出的方式进行排出。但是，在以往的基板处理装置中，如上所述，为从一对喷出喷嘴113向 处理槽110内部喷出处理液的构成。因此，很难根据处理状况在处理槽110 内部形成不同的液流，无法同时满足要提高处理液处理的均匀性的要求、以 及要将贮存在处理槽内部的处理液有效置换为其他处理液的要求。发明内容本发明是鉴于上述情况而提出的，其目的在于提供一种能够控制处理槽 内部中的处理液的搅拌并能够有效地将颗粒等异物向处理槽外部排出的基 板处理装置以及基板处理方法。为了解决上述课题，技术方案1所述的发明为一种通过将基板浸渍在处理液中来进行基板的处理的基板处理装置，其特征在于，具有处理槽，其 具有侧壁和底壁，在处理槽的内部贮存处理液；第一喷出部，其在上述处理 槽的内部向上述侧壁或者上述底壁喷出处理液；排出部，其用于排出从上述 处理槽的上部溢出的处理液；升降机，其使基板在上述处理槽的内部和上述 处理槽的上方位置之间升降移动。技术方案2所述的发明是如技术方案1所述的基板处理装置，其特征在 于，上述第一喷出部向形成在上述侧壁或者上述底壁上的凹部喷出处理液。技术方案3所述的发明是如技术方案2所述的基板处理装置，其特征在 于，上述第一喷出部具有一对喷出喷嘴，上述一对喷出喷嘴向形成在上述处 理槽的相向的一对侧壁上的凹部分别喷出处理液。技术方案4所述的发明是如技术方案3所述的基板处理装置，其特征在 于，上述凹部分别形成在上述一对侧壁的下端部。技术方案5所述的发明是如技术方案3或4所述的基板处理装置，其特 征在于，上述凹部是向着上述处理槽的内侧张开的截面为V字形状的槽。技术方案6所述的发明为技术方案5所述的基板处理装置，其特征在于， 上述喷出喷嘴向着构成上述截面为V字形状的槽的一对锥面中的下侧的锥 面喷出处理液。技术方案7所述的发明是如技术方案3或4所述的基板处理装置，其特 征在于，上述凹部为向着上述处理槽内侧张开的曲面状的槽。技术方案8所述的发明为技术方案1所述的基板处理装置，其特征在于， 还具有第二喷出部，其向上述处理槽的内侧喷出处理液；控制部，其根据 处理的进行状况分别独立控制上述第一喷出部以及上述第二喷出部的动作； 从上述第一喷出部喷出的处理液通过与上述处理槽的上述内壁面碰撞，从而 在上述处理槽的内部形成比从上述第二喷出部喷出的处理液低速的液流。技术方案9所述的发明是如技术方案8所述的基板处理装置，其特征在于， 上述第一喷出部向着上述处理槽的形成在上述内壁面上的凹部喷出处理液。技术方案10所述的发明是如技术方案9所述的基板处理装置，其特征 在于，上述第二喷出部具有配置在上述处理槽的底部附近的第一喷嘴和配置 在上述处理槽的上部附近的第二喷嘴；上述第一喷出部具有处于上述处理槽 的底部附近且配置在上述第一喷嘴的上方的第三喷嘴。技术方案11所述的发明是如技术方案IO所述的基板处理装置，其特征 在于，上述第一喷嘴、上述第二喷嘴和上述第三喷嘴均在上述处理槽的内部 隔着用于浸渍基板的区域而配置成一对。技术方案12所述的发明是如技术方案11所述的基板处理装置，其特征 在于，上述处理液包括对基板实施蚀刻处理的蚀刻液和实施其他处理的非蚀 刻液；上述控制部在向上述处理槽内部供给上述蚀刻液时，从上述第二喷出 部喷出上述蚀刻液。技术方案13所述的发明是如技术方案12所述的基板处理装置，其特征 在于，还具有计测部，该计测部用于计测在贮存于上述处理槽内部的处理液 中所包含的上述蚀刻液成分的浓度或者处理液的比电阻值，上述控制部在将 贮存于上述处理槽内部的上述蚀刻液置换为上述非蚀刻液时，使得从上述第 二喷出部喷出上述非蚀刻液，当上述计测部的计测值达到规定值时，使来自 上述第二喷出部的上述非蚀刻液的喷出停止，并且，进行来自上述第一喷出
部的上述非蚀刻液的喷出。技术方案14所述的发明是如技术方案8至技术方案13中的任一项所述 的基板处理装置，其特征在于，上述控制部在将贮存在上述处理槽内部的处 理液置换为其他处理液时，交替进行来自上述第二喷出部的上述其他处理液 的喷出和来自上述第一喷出部的上述其他处理液的喷出。技术方案15所述的发明为一种通过将基板浸渍在处理液中来进行基板 的处理的基板处理方法，其特征在于，具有a)在处理槽内部向上述处理 槽的侧壁或者底壁喷出处理液的工序；b)在贮存于上述处理槽内部的处理 液中浸渍基板的工序。根据技术方案1 14所述的发明，从第一喷出部喷出的处理液与侧壁或 者底壁碰撞并扩散，作为低速且同样的液流向处理槽上部前进。因此，在处 理槽内部产生的颗粒等异物不会在处理槽内部被搅拌而漂浮到处理槽上部， 与处理液一同被迅速地排出到处理槽外部。另外，由于无需使第一喷出部自 身的结构复杂，所以能够控制基板处理装置的制造成本。尤其，根据技术方案2所述的发明，能够使在侧壁或者底壁扩散的处理 液向着处理槽中央部前进。因此，在浸渍于处理液中的基板周围，能够良好 地形成低速且同样的处理液流。尤其，根据技术方案3所述的发明，能够使在一对侧壁上扩散的处理液 在处理槽中央部附近汇流，并使其在处理槽中央部附近向着上部前进。尤其，根据技术方案4所述的发明，能够使处理液在处理槽底部附近扩 散，能够良好地形成从处理槽底部向上部的处理液流。尤其，根据技术方案5所述的发明，能够在处理槽侧壁容易地形成凹部。 另外，通过构成截面为V字形状的槽的锥面的倾斜，能够容易地设定处理液 的前进方向。尤其，根据技术方案6所述的发明，能够向着处理槽底部附近使更多的 处理液前进。尤其，根据技术方案7所述的发明，能够更适宜地设定处理液的前进方向。 尤其，根据技术方案8所述的发明，在要提高经处理液处理的均匀性时， 能够使用第二喷出部在处理槽内部形成高速的液流，来使处理槽内的处理液 的浓度均匀化。另外，在要将处理槽内的处理液有效地置换为其他处理液时，
能够使用第一喷出部在处理槽内部形成低速的液流，来从处理槽有效地排出 处理液。尤其，根据技术方案9所述的发明，能够使从第一喷出部喷出的处理液 良好地向着处理槽内侧前进。尤其，根据技术方案10所述的发明，能够从第二喷出部向着处理槽内部均匀地喷出处理液，并且，能够从第一喷出部向着处理槽底部附近喷出处 理液。尤其，根据技术方案11所述的发明，能够在浸渍于处理槽内部的基板 附近，形成没有偏移的处理液流。尤其，根据技术方案12所述的发明，能够在处理槽内部使蚀刻液成分 的浓度均匀化，能够在基板主面使蚀刻处理均匀地进行。尤其，根据技术方案13所述的发明，在处理槽内部一定程度残存有蚀 刻液成分的期间，能够从第二喷出部喷出处理液，使蚀刻液成分的浓度均匀 化。另外，当从处理槽内部一定程度排出蚀刻液成分后，能够从第一喷出部 喷出处理液，使残存的蚀刻液成分有效地从处理槽中排出。尤其，根据技术方案14所述的发明，能够搅拌滞留在基板附近的处理 液成分，并有效地置换处理液。另外，根据技术方案15所述的发明，在工序a)中喷出的处理液与处理 槽侧壁或者底壁碰撞并扩散，作为低速且同样的液流向着处理槽上部前进。 因此，产生在处理槽内部的颗粒等异物不会在处理槽内部被搅拌而漂浮到处 理槽上部，与处理液一同迅速地排出到处理槽外部。


图1是以平行于基板主面的平面切断第一实施方式的基板处理装置的纵 向剖视图。图2是以垂直于基板主面的平面切断第一实施方式的基板处理装置的纵 向剖视图。图3是表示处理槽内的氢氟酸溶液的流动的图。 图4是表示基板处理装置的动作流程的流程图。 图5是表示变形例中处理槽的形状以及氢氟酸溶液的流动的图。
图6是表示变形例中处理槽的形状以及氢氟酸溶液的流动的图。图7是表示变形例中处理槽的形状以及氢氟酸溶液的流动的图。 图8是表示变形例中处理槽的形状以及氢氟酸溶液的流动的图。 图9是表示变形例中处理槽的形状以及氢氟酸溶液的流动的图。 图10是以平行于基板主面的平面切断第二实施方式的基板处理装置的 纵向剖视图。图11是以垂直于基板主面的平面切断第二实施方式的基板处理装置的 纵向剖视图。图12是表示基板处理装置的控制系统和给排液系统的结构的图。图13是表示基板处理装置的动作的顺序的流程图。图14是表示从稀氢氟酸向纯水置换的置换处理的顺序的流程图。图15是表示从喷出喷嘴向内槽内侧喷出处理液的状态的图。图16表示从喷出喷嘴向着内槽侧壁喷出处理液的状态的图。图17表示变形例中处理液的置换处理的顺序的流程图。图18表示以往的基板处理装置的例子的图。
具体实施方式
以下，参照

本发明的较佳的实施方式。<1.第一实施方式><1-1.基板处理装置的结构>图1为以平行于基板W的主面的平面切断本发明第一实施方式的基板 处理装置的纵向剖视图。在图1中还示出了基板处理装置1所具有的控制系 统和给排液系统的结构。另外，图2为以垂直于基板W的主面的平面切断 基板处理装置1的纵向剖视图。在图1以及图2中，为了明确装置内的各部 件的位置关系，显示了共同的XYZ直角坐标系。该基板处理装置1为如下这样的装置在处理槽10的内部贮存氢氟酸 (HF)溶液，在所贮存的氢氟酸溶液中浸渍多张基板(以下仅称为"基板") W，由此对基板W进行蚀刻处理。如图1以及图2所示，基板处理装置1 主要具有用于贮存氢氟酸溶液的处理槽10、保持并上下搬送基板W的升降 机20、用于向处理槽10供给氢氟酸溶液的氢氟酸溶液供给部30、用于从处
理槽10排出氢氟酸溶液的氢氟酸溶液排出部40、用于控制装置内的各部件 的动作的控制部50。处理槽10是由石英等耐药性的材料构成的贮存容器。处理槽10具有贮 存氢氟酸溶液并使基板W贮存在其内部的内槽11和形成在内槽11的外周 部的外槽12。内槽11具有在基板W被浸渍的状态下位于基板W下方的底 壁111和位于基板W的侧方的侧壁112a 112d，内槽11的上部开放。另外， 在内槽11的内部设置有喷出氢氟酸溶液的一对喷出喷嘴13。若从喷出喷嘴 13喷出氢氟酸溶液，则在内槽11内部贮存氢氟酸溶液，贮存到内槽11上部 的氢氟酸溶液从内槽11的上部溢出到外槽12。在内槽11的侧壁112a 112d中，平行于基板W的排列方向的一对侧壁 112a、 112b，其下端部具有(与底壁lll接触的部位)向外侧突出的形状。 因此，在侧壁112a、 112b的下端部的内侧面上形成有沿着基板W的排列方 向延伸的槽部14。槽部14分别具有上部锥面14a和下部锥面14b，作为整 体构成向着内槽ll的内侧张开的截面为V字形状的槽。一对喷出喷嘴13是沿着在侧壁112a、 112b形成的槽部14以及基板W 的排列方向水平地配置的管状部件。在各喷出喷嘴13上等间隔地形成有多 个喷出口 13a。喷出喷嘴13上的多个喷出口 13a的位置为与处理槽10内相 邻的基板W之间以及配置在两端的基板W的外侧对应的位置。另外，多个 喷出口 13a的喷出方向朝向槽部14的下部锥面14b。从多个喷出口 13a喷出 的氢氟酸溶液垂直碰撞到槽部14的下部锥面14b。图3是表示在处理槽10内贮存有氢氟酸溶液的状态下又从喷出喷嘴13 喷出氢氟酸溶液时氢氟酸溶液的流动的图。如图3所示，从喷出喷嘴13喷 出的氢氟酸溶液碰撞到槽部14的下部锥面14b，沿着下部锥面14b扩散并改 变流向而向着内槽ll的内侧前进。氢氟酸溶液碰撞到下部锥面14b并扩散， 由此其流动速度变慢，进一步从内槽.11的底部附近改变流向而向上方慢慢 上升。这样，在侧壁112a、 112b形成的槽部14具有使氢氟酸溶液的流向朝 向内槽11内侧的整流部的作用，并且，具有使氢氟酸溶液扩散来使其流动 速度变慢的作用。升降机20是用于保持基板W并在处理槽10内部和处理槽10上方位置 之间使基板W升降移动的搬送机构。升降机20具有在基板W的排列方向上 延伸的三根保持棒21，在各保持棒21上刻设有多个保持槽21a。基板W在 使其周边部嵌合到保持槽21a中的状态下，相互平行地以立起姿势保持在三 根保持棒21上。另外，升降机20与由组合了马达和滚珠螺杆等的公知机构 构成的驱动部22连接。若使驱动部22动作，则升降机20上下移动，基板 W在处理槽10内部的浸渍位置(图1的状态)和处理槽IO上方的提起位置 之间被搬送。氢氟酸溶液供给部30是用于向上述喷出喷嘴13供给处理液的配管系 统。如图1所示，氢氟酸溶液供给部30具有氢氟酸溶液供给源31、配管32、 开关阀33。配管32上游侧的端部连接到氢氟酸溶液供给源31，在配管32 的路径中途安装有开关阀33。另外，配管32的下游侧分支为两根，并分别 连接到一对喷出喷嘴13。因此，若开启开关阀33，则从氢氟酸溶液供给源 31通过配管32向一对喷出喷嘴13供给氢氟酸溶液，而从喷出喷嘴13的多 个喷出口 13a向内槽11的内部喷出氢氟酸溶液。氢氟酸溶液排出部40是用于从外槽12回收氢氟酸溶液并将所回收的氢 氟酸溶液排出到排液管线的配管系统。如图1所示，氢氟酸溶液排出部40 具有配管41和开关阀42。配管41上游侧的端部与外槽12连接，配管41下 游侧的端部与工厂内的排液管线连接。另外，在配管41的路径中途安装有 开关阀42。因此，若开启开关阀42，则从外槽12通过配管41向排液管线 排出氢氟酸溶液。控制部50是用于控制基板处理装置1的各部件的动作的计算机装置。 控制部50与上述驱动部22、开关阀33、以及开关阀42电连接。控制部50 通过根据事先安装的程序或各种输入指示使上述驱动部22、开关阀33以及 开关阔42动作，由此进行基板W的处理。<1-2.基板处理装置的动作>接着，参照图4的流程图说明在上述基板处理装置1中处理基板W时 的动作。在该基板处理装置1中处理基板W时，首先开启开关阀33以及开 关阔42。由此，从氢氟酸溶液供给部31经由配管32向喷出喷嘴13供给氢 氟酸溶液，从喷出喷嘴13向内槽ll的内部喷出氢氟酸溶液(步骤S1)。从 喷出喷嘴13喷出的氢氟酸溶液慢慢地贮存到内槽11内部，不久从内槽11 上部向外槽12溢出。
接着，通过规定的搬送机构从其他装置搬送而来的基板W被装载于在处理槽10的上方位置待机的升降机20上。若在升降机20上装载了基板W， 则基板处理装置1使驱动部22动作来使升降机20下降，而使基板W浸渍 在贮存于处理槽10内部的氢氟酸溶液中(步骤S2)。基板W若被浸渍到氢 氟酸溶液中，则因氢氟酸溶液中的氢氟酸成分而受到蚀刻处理。此时，在处理槽10内部形成如图3所示的氢氟酸溶液流。g卩，从喷出 喷嘴13喷出的氢氟酸溶液碰撞到槽部14的下部锥面14b而扩散和降速，并 且沿着下部锥面14b改变流向而向基板W侧前进。然后，在内槽ll的中央 底部附近合流的氢氟酸溶液从内槽11的底部附近向上部慢慢上升，在基板 W周围形成低速且一律朝向上方的液流。随着蚀刻处理的进行，从基板W的表面向氢氟酸溶液中溶出金属成分， 另外，附着在基板W表面的颗粒等异物被离析而混入到氢氟酸溶液中。但 是，如上所述在基板W周围形成有低速且一律向上方的液流。因此，混入 到氢氟酸溶液中的金属成分和异物不会在内槽11内部被搅拌，而向内槽11 上部漂浮，与氢氟酸溶液一同迅速地排出到外槽12。因此，能够防止产生在 氢氟酸溶液中的金属成分或异物再次附着到基板W的表面。若规定时间的蚀刻处理结束，则基板处理装置1使驱动部22动作來使 升降机20上升，将基板W从贮存在内槽ll内部的氢氟酸溶液中提起(步 骤S3)。然后，基板W从升降机20交接到规定的搬送装置，而被搬送到进 行后续处理的装置中。另外，基板处理装置1关闭开关阀33以及开关阀42。 由此，停止从喷出喷嘴13喷出氢氟酸溶液并停止向氢氟酸溶液排出部40排 出氢氟酸溶液(步骤S4)。通过以上，结束对一组基板W的一系列处理。这样，本实施方式的基板处理装置1从喷出喷嘴13向形成于内槽11的 侧壁112a、 112b的槽部14喷出氢氟酸溶液。因此，从喷出喷嘴13喷出的 氢氟酸溶液碰撞到槽部14而扩散，作为低速且同样的液流向着内槽11的上 部流动。因此，在内槽ll内部产生的金属成分和异物不会在内槽ll内部被 搅拌而向内槽11的上部漂浮，与氢氟酸溶液一同迅速地排出到外槽12。另外，在本实施方式的基板处理装置中，由于在内槽11的内部形成了 低速且同样的氢氟酸溶液的液流，所以能够从内槽11的内部有效地排出氢 氟酸溶液，并且，能够有效地向内槽11内部供给新的氢氟酸溶液。即，在 蚀刻处理中，能够将内槽11内部有效地置换为新的氢氟酸溶液，能够对基 板W总是作用于干净的氢氟酸溶液。因此，能够縮短蚀刻处理的时间。假设，若增大喷出喷嘴13的喷出口 13a的口径，则在上游侧的喷出口 13a和下游侧的喷出口 13a，氢氟酸溶液的喷出压力相差很大。但是，本实施 方式所述基板处理装置1并不是通过增大喷出口 13a的口径来使氢氟酸溶液 的流动低速化，而是通过使氢氟酸溶液碰撞到内槽ll的侧壁112a、 112b来 使氢氟酸溶液的流动低速化。因此，能够防止在上游侧的喷出口 13a和下游 侧的喷出口 13a氢氟酸溶液的喷出压力相差很大，并能够使氢氟酸溶液的流 动低速化。另外，本实施方式的基板处理装置1无需使喷出喷嘴13自身的结构复 杂化，就使氢氟酸溶液的流动低速化。因此，能够抑制含有喷出喷嘴13的 基板处理装置1的制造成本的上升，并能够提高氢氟酸溶液的置换效率。另外，在本实施方式中，喷出喷嘴13向在形成于内槽11的侧壁112a、 112b的槽部14中的下部锥面14b喷出氢氟酸溶液。因此，扩散的氢氟酸溶 液能够更多地向着内槽11底部附近前进，由此能够进一步提高氢氟酸溶液 的置换效率。<1-3.变形例>在上述第一实施方式中，喷出喷嘴13向着槽部14的下部锥面14b喷出 氢氟酸溶液，但是，喷出喷嘴13也可以向着槽部14的其他部位喷出氢氟酸 溶液。例如，如图5所示，也可以从喷出喷嘴13向着上下的锥面14a、 14b 的边界部喷出氢氟酸溶液。另外，在上述第一实施方式中，槽部14是通过一对锥面14a、 14b构成 的截面为V字形状的槽，但是，槽部14的形状也可以是如图6或图7所示 那样的曲面形状(半筒状)。即，只要在与喷出喷嘴13的多个喷出口 13a 对应的位置，形成具有用于对所喷出的氢氟酸溶液整流的形状的凹部即可。 在槽部14成为曲面形状的情况下，如图7所示，将喷出喷嘴13配置在槽部 14中心轴的稍微上方，向着槽部14的上部喷出氢氟酸溶液也可。这样一来， 能够使从喷出喷嘴13喷出的氢氟酸溶液沿着槽部14的曲面向底部附近前 进，并能够良好地形成从内槽ll的底部向上部的氢氟酸溶液流。另外，在上述第一实施方式中，在内槽ll的侧壁112a、 112b的下端部
形成了槽部14，但是，槽部14也可以形成在侧壁112a、 112b的稍微靠上部 的位置。另外，如图8所示，槽部14也可以形成在内槽11的底壁lll上。 另外，也可以无需在内槽11形成槽部14而从喷出喷嘴13向内槽ll的 内表面喷出氢氟酸溶液。例如，如图9所示，可以从喷出喷嘴13向内槽11 的侧壁112a、 112b喷出氢氟酸溶液。即使是这种方式，也能够使氢氟酸溶 液扩散来使其流速降低，在基板W周围能够形成低速的氢氟酸溶液流。在 向侧壁112a、 112b喷出氢氟酸溶液的情况下，如图9所示，优选对侧壁112a、 112b垂直地喷出氢氟酸溶液。这样一来，能够防止将内槽11上部附近的氢 氟酸溶液(含金属成分和异物的氢氟酸溶液)巻入到喷出液流中而被搬运到 内槽ll的底部。另外，在上述第一实施方式中，作为处理液使用了氢氟酸溶液，但是， 本发明的基板处理装置也可以使用其他处理溶液来进行基板W的处理。例 如，作为处理液也可以使用SC-1溶液、SC-2溶液、CARO酸、纯水等。另 外，本发明不仅适用于将半导体基板作为处理对象的基板处理装置，而且能 够适用于以液晶显示装置用玻璃基板或光掩模用玻璃基板等的种种基板为 处理对象的基板处理装置。<2.第二实施方式><2-1.基板处理装置的结构>图10是以平行于基板W的主面的平面切断本发明第二实施方式的基板 处理装置201的纵向剖视图。图11是以垂直于基板W的主面的平面切断基 板处理装置201的纵向剖视图。为了明确装置内的各部件的位置关系，在图 10以及图11中示出了共同的XYZ直角坐标系。另外，图12是表示基板处 理装置201具有的控制系统和给排液系统的结构的图。以下，参照图10 图 12说明基板处理装置201的结构。该基板处理装置201是如下这样的装置在处理槽210的内部依次贮存 纯水、稀氢氟酸、纯水、SC-1溶液、纯水、SC-2溶液、以及纯水(以下将 这些各种液体以及它们的混合液总称为"处理液")，并且，通过在这些处 理液中浸渍多张基板(以下仅称为"基板")W，由此对基板W进行清洗、 蚀刻等处理的装置。如图10 图12所示，基板处理装置201主要具有用于 贮存处理液的处理槽210、保持并上下搬送基板W的升降机220、用于向处
理槽210供给处理液的处理液供给部230、用于从处理槽210排出处理液的 处理液排出部240、用于控制装置内的各部件的动作的控制部250。处理槽210是由石英或者耐药品树脂构成的贮存容器。处理槽210具有 贮存处理液并使基板W浸渍在其内部的内槽211和形成在内槽211的外周 部的外槽212。内槽211具有在基板W被浸渍的状态下位于基板W下方的 底壁311和位于基板W的侧方的侧壁312a 312d，内槽211的上部被开放。在内槽211的内部，设置有向内槽211的内侧喷出处理液的四根喷出喷 嘴331、 332、 341、 342和向内槽211的侧壁312a、 312b喷出处理液的两根 喷出喷嘴351、 352。喷出喷嘴331、 332、 341、 342、 351、 352均为沿着基 板W的排列方向水平配置的中空管状的部件，在各喷出喷嘴331、 332、 341、 342、 351、 352上根据各自的喷出方向以等间隔地形成有多个喷出口。喷出喷嘴331、 332配置在内槽211的上部附近(高于浸渍在处理液中 的基板W中心的位置)，沿着隔着基板W而相向的一对侧壁312a、 312b 被水平地固定。在各喷出喷嘴331、 332上设置有向着内槽221的内侧的略 微下方喷出处理液的多个喷出口 331a、 332a。多个喷出口331a、 332a的X 轴方向的位置为与处理槽210内的相邻的基板W之间以及配置在两端的基 板W的外侧对应的位置。若向喷出喷嘴331、 332供给处理液，则从喷出喷 嘴331、 332的多个喷出口 331a、 332a向着内槽211内部的基板W的浸渍位 置喷出处理液。喷出喷嘴341、 342配置在内槽211底部附近(低于浸渍在处理液中的 基板W中心的位置)，沿着隔着基板W而相向的一对侧壁312a、 312b被水 平地固定。在各喷出喷嘴341、 342上设置有向着内槽221的内侧的略微上 方喷出处理液的多个喷出口 341a、 342a和沿着底壁311向着内槽211的内 侧喷出处理液的多个喷出口 341b、 342b。多个喷出口 341a、 341b、 342a、 342b的X轴方向的位置为与处理槽210内的相邻的基板W之间以及配置在 两端上的基板W的外侧对应的位置。若向喷出喷嘴341、 342供给处理液， 则从喷出喷嘴341、 342的多个喷出口 341a、 342a向着内槽211内部的基板 W的浸渍位置喷出处理液，并且，从喷出喷嘴341、 342的多个喷出口341b、 342b向着内槽211底部中央位置喷出处理液。喷出喷嘴351、 352配置在内槽211底部附近的喷出喷嘴341、 342的上
方位置，沿着隔着基板W而相向的一对侧壁312a、 312b被水平地固定。在 各喷出喷嘴351、 352形成有向着在一对侧壁312a、 312b上形成的槽部216 喷出处理液的多个喷出口 351a、 351b、 352a、 352b。槽部216分别具有上部 锥面216a和下部锥面216b，作为整体而成为向着内槽211的内侧张开的截 面为V字形状的槽。喷出口 351a以及喷出口 352a朝向槽部216的上部锥面 216a，喷出口 351b以及喷出口 352b朝向槽部216的下部锥面216b。另外， 多个喷出口351a、 351b、 352a、 352b的X轴方向的位置为与处理槽210内 的相邻的基板W之间以及与配置在两端上的基板W的外侧对应的位置。若 向喷出喷嘴351、352供给处理液，则从喷出喷嘴351、352的多个喷出口351a、 352a向着槽部216的上部锥面216a喷出处理液，并且，从喷出喷嘴351、 352的多个喷出口 351b、 352b向着槽部216的下部锥面216b喷出处理液。从喷出喷嘴351、 352喷出的处理液碰撞到槽部216的上部锥面216a以 及下部锥面216b，沿着上部锥面216a以及下部锥面216b扩散并改变流向向 着内槽211内侧前进。扩散的处理液成为粗且低速的液流抵达内槽211的底 部中央位置，进一步，改变流向向着内槽211的上方慢慢上升。由此，形成 在侧壁312a、 312b的槽部216作为使从喷出喷嘴351、 352喷出的处理液的 流向向着内槽211内侧的整流部而发挥作用，并且起到使从喷出喷嘴351、 352喷出的处理液扩散来使其流动速度变慢的效果。基板处理装置201通过从这些喷出喷嘴331、 332、 341、 342、 351、 352 向内槽211内部喷出处理液，从而能够在内槽211内部贮存处理液。 一旦处 理液贮存到内槽211的上部，则处理液从内槽211的上部向外槽212溢出。另外，在内槽211的内部，设置有用于计测处理液的比电阻值的比电阻 计217。比电阻计217具有一对金属电极，通过计测该金属电极间的电阻， 来计测处理液的比电阻值。比电阻计217在后述处理液的置换处理之际，计 测贮存在处理槽210内部的处理液的比电阻值，并将所得到的比电阻值的信 息发送给控制部250。另外，比电阻计217也可以在金属电极中内置有温度 传感器，将规定温度中的比电阻值的换算值发送给控制部250。升降机220是用于保持基板W并在内槽211的内部和处理槽210上方 位置之间使基板W升降移动的搬送机构。升降机220具有在基板W的排列 方向上延伸的三根保持棒221，在各保持棒221上刻设有多个保持槽221a。
基板W在使其周边部嵌合到保持槽221a中的状态下，相互平行地以立起姿 势保持在三根保持棒221上。另外，升降机220与由组合了马达和滚珠螺杆 等的公知机构构成的驱动部222连接。一旦使驱动部222动作，则升降机220 上下移动，基板W在处理槽210内部的浸渍位置(图10、图ll的状态)和 处理槽210上方的拔出位置之间被搬送。处理液供给部230是用于向上述喷出喷嘴331、 332、 341、 342、 351、 352供给处理液的配管系统。如图12所示，处理液供给部230具有处理液供 给源23K主配管232、分支配管233a、 233b、以及开关阀234a、 234b。处理液供给源231具有氢氟酸供给源511、氢氧化氨供给源512、盐酸 供给源513、过氧化氢供给源514、以及纯水供给源515。氢氟酸供给源511、 氢氧化氨供给源512、盐酸供给源513、过氧化氢供给源514、以及纯水供给 源515分别经由开关阀235a、 235b、 235c、 235d、 235e与主配管232的流 路连接。另外，主配管232下游侧的端部与分支配管233a以及分支配管233b 连接，在分支配管232a、 233b的路径中途分别安装有开关阀234a、 234b。 分支配管233a的下游侧进一步分支为四根，分别与喷出喷嘴331、 332、 341、 342连接。另外，分支配管233b的下游侧进一步分支为两根，分别与喷出喷 嘴351、 352连接。在处理液供给源231中，若关闭开关阀235b、 235c、 235d并且开启开 关阀235a、 235e，则来自氢氟酸供给源511的氢氟酸和来自纯水供给源515 的纯水以规定的比例混合而生成稀氢氟酸，所生成的稀氢氟酸供给到主配管 232。稀氢氟酸作为用于对基板W进行蚀刻处理的蚀刻液而发挥作用。另外，在处理液供给源231中，若关闭开关阀235a、 235c并且开启开关 阀235b、 235d、 235e，则来自氢氧化氨供给源512的氢氧化氨、来自过氧化 氢供给源514的过氧化氢和来自纯水供给源515的纯水以规定的比例混合而 生成SC-1溶液，所生成的SC-1溶液供给到主配管232。 SC-1溶液作为用于 对基板W进行药液清洗处理(非蚀刻处理)的清洗液而发挥作用。另外，在处理液供给源231中，若关闭开关阀235a、 235b并且开启开 关阀235c、 235d、 235e，则来自盐酸供给源513的盐酸、来自过氧化氢供给 源514的过氧化氢和来自纯水供给源515的纯水以规定的比例混合而生成 SC-2溶液，所生成的SC-2溶液供给到主配管232。 SC-2溶液作为用于对基
板W进行药液清洗处理(非蚀刻处理)的清洗液而发挥作用。另外，在处理液供给源231中，若关闭开关阔235a、 235b、 235c、 235d 并且开启开关阀235e，则仅来自纯水供给源515的纯水供给到主配管232。另外，这样从处理液供给源231供给的稀氢氟酸、SC-1溶液、SC-2溶 液或者纯水通过切换开关阀234a、 234b的开闭状态而供给到分支配管233a 或者分支配管233b。 g卩，若关闭开关阀234b并开启开关阀234a，则从处理 液供给源231供给的稀氢氟酸、SC-1溶液、SC-2溶液或者纯水通过分支配 管233a送给到喷出喷嘴331、 332、 341、 342，从喷出喷嘴331、 332、 341、 342的多个喷出口 331a、 332a、 341a、 341b、 342a、 342b向内槽211内部喷 出。另外，若关闭开关阀234a并开启开关阀234b，则从处理液供给源231 供给的稀氢氟酸、SC-1溶液、SC-2溶液或者纯水通过分支配管233b送给到 喷出喷嘴351、 352，从喷出喷嘴351、 352的多个喷出口 351a、 351b、 352a、 352b向内槽211内部喷出。处理液排出部240是用于从外槽212回收处理液并将所回收的处理液排 出到排液管线的配管系统。如图12所示，处理液排出部240具有配管241。 配管241上游侧的端部与外槽212连接，配管241下游侧的端部与工厂内的 排液管线连接。因此，溢出到外槽212的处理液从外槽212通过配管241向 排液管线排出。控制部250是用于控制基板处理装置201的各部件的动作的计算机装 置。控制部250与上述比电阻计217、驱动部222、以及开关阀234a、 234b、 235a、 235b、 235c、 235d、 235e电连接。控制部250接受来自比电阻计217 的计测值，并根据该计测值或则事先安装的程序控制上述驱动部222、以及 开关阀234a、 234b、 235a、 235b、 235c、 235d、 235e的动作，由此进行基板 W的处理。<2-2.基板处理装置的动作>接着，参照图13的流程图说明在上述基板处理装置201中处理基板W 时的动作。在该基板处理装置201中处理基板W时，首先，在关闭开关阀234a、 并且开启开关阀234b的状态下，从处理液供给源231供给纯水。从处理液 供给源231供给的纯水通过主配管232以及分支配管233b流入到喷出喷嘴
351、 352中，而从喷出喷嘴351、 352喷出到内槽211内部。由此，纯水渐 渐地贮存在内槽211内部，不久从内槽211上部向外槽212溢出(步骤S201)。 溢出到外槽212的纯水通过配管241排出到排液管线。接着，通过规定的搬送机构从其他装置搬送而来的基板W被装载于在 处理槽210上方位置待机的升降机220上。当在升降机220上装载了基板W 时，基板处理装置201使驱动部222动作来使升降机220下降，由此，将基 板W浸渍在贮存于内槽211内部的纯水中(步骤S202)。接着，基板处理装置201关闭开关阀234b并且开启开关阀234a。然后， 从处理液供给源231供给稀氢氟酸来代替纯水。从处理液供给源231供给的 稀氢氟酸通过主配管232以及分支配管233a流入喷出喷嘴331、 332、 341、 342中，从喷出喷嘴331、 332、 341、 342喷出到内槽211内部。基板处理装 置201像这样向内槽211内部供给稀氢氟酸，并使处理液从内槽211上部向 外槽212溢出，由此，将内槽211内部从纯水慢慢置换为稀氢氟酸(步骤 S203)。若从纯水到稀氢氟酸的置换开始，则通过向基板W主面附近供给的氢氟 酸成分，开始基板W的蚀刻处理。在此，稀氢氟酸从喷出喷嘴331、 332、 341、 342向着内槽211内侧喷出，如图15所示，在内槽211内部形成较高速的液 流。因此，供给到内槽211内部的氢氟酸成分在内槽211的整个内部被充分 搅拌。因此，即使在从纯水置换为稀氢氟酸的途中，在内槽211内部中氢氟 酸成分的浓度也总是被均匀化，对基板W整个主面均匀地进行蚀刻处理。从纯水到稀氢氟酸的置换结束后，基板处理装置201也根据需要继续从 喷出喷嘴331、 332、 341、 342喷出稀氢氟酸。浸渍于贮存在内槽211的稀 氢氟酸中的基板W继续受到蚀刻处理(步骤S204)。接着，基板处理装置201将内槽211的内部从稀氢氟酸置换为纯水(步 骤S205)。以下，参照图14的流程图说明步骤S205中的从稀氢氟酸到纯水 的置换处理的详细顺序。在将内槽211的内部从稀氢氟酸置换为纯水之际，首先，基板处理装置 201维持开关阀234b的关闭状态以及开关阀234a的开启状态，并从处理液 供给源231供给纯水。从处理液供给源231供给的纯水通过主配管232以及 分支配管233a流入到喷出喷嘴331、 332、 341、 342中，从喷出喷嘴331、 332、 341、 342向内槽211内部喷出(步骤S251)。基板处理装置201像这 样向内槽211内部供给纯水并使处理液从内槽211上部向外槽212溢出，由 此将内槽211的内部从稀氢氟酸渐渐地置换为纯水。在此，在从稀氢氟酸置换为纯水的初期阶段，在内槽211内部残存的氢 氟酸成分依旧对基板W进行蚀刻处理。基板处理装置201在这样的置换的初 期阶段，从喷出喷嘴331、 332、 341、 342喷出纯水，如图15所示，在内槽 211内部形成较高速的液流。由此，残存在内槽211内部的氢氟酸成分在内槽 211的整个内部被充分搅拌，在基板W的整个主面均匀地进行蚀刻处理。随着从稀氢氟酸到纯水的置换的进行，贮存在内槽211内部的处理液中 的氢氟酸成分的浓度渐渐降低。并且，随着氢氟酸成分浓度的降低，比电阻 计217的计测值渐渐上升。基板处理装置201接收比电阻计217的计测值， 连续地监测该计测值是否达到了规定的基准值rl (步骤S252)。在此，基准 值rl是像通过处理液中的氢氟酸成分对基板W的蚀刻处理无法实质地进行 那样的处理液的比电阻值，基于事先的实验等设定于控制部250中。当比电阻计217的计测值达到上述的基准值rl时，基板处理装置201 关闭开关阀234a并开启开关阀234b。由此，停止从喷出喷嘴331、 332、 341、 342喷出纯水，而开始从喷出喷嘴351、 352喷出纯水(步骤S253)。从喷出喷嘴351、 352喷出的纯水碰撞到形成在内槽211的侧壁312a、 312b的槽部216并扩散，改变流向而向内槽211的内侧前进。因此，在内槽 211内部，如图16所示，形成从内槽211底部附近向着上部的低速且同样的 液流。因此，在内槽211内部残存的氢氟酸成分以被低速的纯水液流挤出的 方式，从内槽211的上部向外槽212排出，在内槽211内部有效地进行向纯 水的置换。基板处理装置201继续接收比电阻计217的计测值，连续地监视该计测 值是否达到规定的基准值r2 (步骤S253)。在此，基准值r2是像判断为处 理液中的氢氟酸成分几乎完全被排出、内槽211内部几乎完全被置换为纯水 那样的处理液的比电阻值，事先设定在控制部250中。并且，当比电阻计217 的比电阻值达到基准值r2时，向后续的步骤S206转移。返回到图13。基板处理装置201在比电阻计217的计测值达到上述基准 值r2之后，也根据需要继续从喷出喷嘴351、 352喷出纯水。由此，浸渍于
贮存在内槽211的纯水中的基板W受到纯水的冲洗处理(步骤S206)。接着，基板处理装置201维持开关阀234a的关闭状态以及开关阀234b 的开启状态，并从处理液供给源231供给SC-1溶液。从处理液供给源231 供给的SC-1溶液通过主配管232以及分支配管233b流入喷出喷嘴351、352 中，从喷出喷嘴351、 352向内槽211内部喷出。基板处理装置201像这样 向内槽211内部供给SC-1溶液，并使处理液从内槽211上部向外槽212溢 出，由此，将内槽211内部渐渐地从纯水置换为SC-1溶液(步骤S207)。从喷出喷嘴351、 352喷出的SC-1溶液碰撞到形成在内槽211的侧壁 312a、 312b的槽部216并扩散，改变流向而向内槽211的内侧前进。因此， 在内槽211内部，如图16所示，形成从内槽211底部附近向着上部的低速 且同样的液流。因此，在内槽211内部的纯水以被低速的SC-1溶液的液流 挤出的方式，从内槽211的上部向外槽212排出，在内槽211内部有效地进 行从纯水到SC-1溶液的置换。从纯水到SC-1溶液的置换结束后，基板处理装置201也根据需要继续 从喷出喷嘴351、 352喷出SC-1溶液。由此，浸渍于贮存在内槽211的SC-1 溶液中的基板W受到SC-1溶液的药液清洗处理(步骤S208)。接着，基板处理装置201维持开关阀234a的关闭状态以及开关阀234b 的开启状态，并从处理液供给源231供给纯水。从处理液供给源231供给的 纯水通过主配管232以及分支配管233b流入喷出喷嘴351、 352中，从喷出 喷嘴351、 352向内槽211内部喷出。基板处理装置201像这样向内槽211 内部供给纯水，并使处理液从内槽211上部向外槽212溢出，由此，将内槽 211内部渐渐地从SC-1溶液置换为纯水(步骤S209)。从喷出喷嘴351、 352喷出的纯水碰撞到形成在内槽211的侧壁312a、 312b的槽部216并扩散，改变流向而向内槽211的内侧前进。因此，在内槽 211内部，如图16所示，形成从内槽211底部附近向着上部的低速且同样的 液流。因此，在内槽211内部的SC-1溶液以被低速的纯水液流挤出的方式， 从内槽211的上部向外槽212排出，在内槽211内部有效地进行从SC-1溶 液到纯水的置换。从SC-1溶液到纯水的置换结束后，基板处理装置201也根据需要继续 从喷出喷嘴351、 352喷出纯水。由此，浸渍于贮存在内槽211的纯水中的
基板W受到纯水的冲洗处理(步骤S210)。接着，基板处理装置201维持开关阀234a的关闭状态以及开关阀234b 的开启状态，并从处理液供给源231供给SC-2溶液。从处理液供给源231 供给的SC-2溶液通过主配管232以及分支配管233b流入喷出喷嘴351、352 中，从喷出喷嘴351、 352向内槽211内部喷出。基板处理装置201像这样 向内槽211内部供给SC-2溶液，并使处理液从内槽211上部向外槽212溢 出，由此，将内槽211内部渐渐地从纯水置换为SC-2溶液(步骤S211)。从喷出喷嘴351、 352喷出的SC-2溶液碰撞到形成在内槽211的侧壁 312a、 312b的槽部216接触并扩散，改变流向而向内槽211的内侧前进。因 此，在内槽211内部，如图16所示，形成从内槽211底部附近向着上部的 低速且同样的液流。因此，内槽211内部的纯水以被低速的SC-2溶液的液 流挤出的方式，从内槽211的上部向外槽212排出，在内槽211内部有效地 进行从纯水到SC-2溶液的置换。从纯水到SC-2溶液的置换结束后，基板处理装置201也根据需要继续 从喷出喷嘴351、 352喷出SC-2溶液。由此，浸渍于贮存在内槽211的SC-2 溶液中的基板W受到SC-2溶液的药液清洗处理(步骤S212)。接着，基板处理装置201维持开关阀234a的关闭状态以及开关阀234b 的开启状态，并从处理液供给源231供给纯水。从处理液供给源231供给的 纯水通过主配管232以及分支配管233b流入喷出喷嘴351、 352中，从喷出 喷嘴35K 352向内槽211内部喷出。基板处理装置201像这样向内槽211 内部供给纯水，并使处理液从内槽211上部向外槽212溢出，由此，将内槽 211内部渐渐地从SC-2溶液置换为纯水(步骤S213)。从喷出喷嘴351、 352喷出的纯水碰撞到形成在内槽211的侧壁312a、 312b的槽部216并扩散，改变流向而向内槽211的内侧前进。因此，在内槽 211内部，如图16所示，形成从内槽211底部附近向着上部的低速且同样的 液流。因此，内槽211内部的SC-2溶液以被低速的纯水液流挤出的方式， 从内槽211的上部向外槽212排出，在内槽211内部有效地进行从SC-2溶 液到纯水的置换。从SC-2溶液到纯水的置换结束后，基板处理装置201也根据需要继续 从喷出喷嘴351、 352喷出纯水。由此，浸渍于忙存在内槽211的纯水中的
基板W受到纯水的冲洗处理(步骤S214)。然后，基板处理装置201使驱动部222动作来使升降机220上升，由此 从内槽211内部提起基板W(步骤S215)。由此，基板处理装置201结束对1 组基板W的一系列处理。本实施方式的基板处理装置201要在内槽211内部使蚀刻处理均匀进行 时(上述步骤S202 S252)，从喷出喷嘴331、 332、 341、 342喷出处理液， 在内槽211内部形成较高速的液流。由此，在内槽211内部搅拌氢氟酸成分， 能够使氢氟酸成分的浓度均匀化。另外，本实施方式的基板处理装置201要 有效地置换贮存在内槽211内部的处理液时(上述步骤S253 S214)，从喷 出喷嘴351、 352喷出处理液，在内槽211内部形成较低速的液流。由此， 能够从内槽211有效地排出处理液。这样，本实施方式的基板处理装置201 根据处理情况分开使用喷出喷嘴331、 332、 341、 342和喷出喷嘴351、 352， 由此能够使要在内槽211内部使处理均匀的要求和要有效地置换贮存在内槽 211内部的处理液的要求都满足。<2-3.变形例>在上述步骤S253中，仅从喷出喷嘴351、 352喷出了纯水，但是也可以 用图17所示步骤S731 S733的动作来代替该步骤S253的动作。g卩，也可 以在比电阻计217的计测值达到基准值rl后，依次进行来自喷出喷嘴351、 352的纯水的喷出(步骤S731)、来自喷出喷嘴331、 332、 341、 342的纯 水的喷出(步骤S732)和来自喷出喷嘴351、 352的纯水的喷出。这样，若交替地进行来自喷出喷嘴351、 352的纯水的喷出和来自喷出 喷嘴331、 332、 341、 342的纯水的喷出，则能够用从喷出喷嘴331、 332、 341、 342喷出的纯水搅拌残留在基板W表面和升降机220的部件表面附近 的氢氟酸成分，并能够有效地将氢氟酸成分排出。来自喷出喷嘴351、 352 的纯水的喷出和来自喷出喷嘴331、 332、 341、 342的纯水的喷出例如各自 进行10 20秒左右即可，其反复次数并不限于图17所示例子。但是，为了 良好地完成从稀氢氟酸到纯水的置换，而优选最后进行来自喷出喷嘴351、 352的纯水的喷出。另外，在后续的步骤S206 S214中，同样地也可以交替 重复进行来自喷出喷嘴351、 352的处理液的喷出和来自喷出喷嘴331、 332、 341、 342的处理液的喷出。
另外，在上述第二实施方式中，在内槽211的上部附近配置喷出喷嘴331、 332，并且，在内槽211的底部附近配置喷出喷嘴341、 342，在喷出喷嘴341、 342的上方附近位置配置喷出喷嘴351、 352，但是，喷出喷嘴331、 332、 341、 342、 351、 352未必一定是这样的位置关系。例如，也可以将喷出喷嘴351、 352配置在喷出喷嘴341、 342的下方。另外，在上述第二实施方式中，喷出喷嘴351、 352向着内槽211的侧 壁312a、 312b喷出处理液，但也可以向着内槽211的底壁311喷出处理液。 即，喷出喷嘴351、 352只要是向内槽211的任一内壁面喷出处理液即可。 优选在接受从喷出喷嘴351、 352喷出的处理液的内槽211的内壁面如上述 实施方式那样形成有槽部216，但是，即使未形成有槽部216，也能够使从 喷出喷嘴351、 352喷出的处理液扩散，在内槽211内部形成低速的液流。另外，在上述第二实施方式中，没有特别言及形成在喷出喷嘴331、 332、 341、 342、 351、 352上的喷出口 331a、 332a、 341a、 341b、 342a、 342b、 351a、 351b、 352a、 352b的开口口径，但是喷出口 331a、 332a、 341a、 341b、 342a、 342b的开口口径例如为0.70mm 1.0mm左右(如0.85mm)即可，喷出口 351a、351b、352a、352b的开口口径例如为0.80mm 1.50mm左右(如1.10mm) 即可。各喷出口 331a、 332a、 341a、 341b、 342a、 342b、 351a、 351b、 352a、 352b的开口口径可以完全相同，但是，若使喷出口351a、 351b、 352a、 352b 的开口口径比喷出口 331a、 332a、 341a、 341b、 342a、 342b的开口口径稍微 大，则能够更加大形成在内槽211内部的液流的速度差。另外，在上述第二实施方式中，槽部216是由一对锥面216a、 216构成 的截面为V字形状的槽，但是，该槽部216的形状也可以是曲面形状(半筒 状)等其他形状。另外，在上述第二实施方式中，作为处理液，使用了稀氢氟酸、SC-1 溶液、SC-2溶液、以及纯水，但是，本发明基板处理装置也可以使用其他处 理液来进行基板W的处理。另外，本发明不仅适用于以半导体基板为处理 对象的基板处理装置，也能够适用于以液晶显示装置用玻璃基板或光掩模用 玻璃基板等种种基板为处理对象的基板处理装置。
权利要求
1. 一种基板处理装置，通过在处理液中浸渍基板来进行基板的处理，其特征在于，该基板处理装置具有处理槽，其具有侧壁和底壁，在处理槽的内部贮存处理液；第一喷出部，其在上述处理槽的内部向上述侧壁或者上述底壁喷出处理液；排出部，其用于排出从上述处理槽的上部溢出的处理液；升降机，其使基板在上述处理槽的内部和上述处理槽的上方位置之间升降移动。
2. 如权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，上述第一喷出部 向形成在上述侧壁或者上述底壁上的凹部喷出处理液。
3. 如权利要求2所述的基板处理装置，其特征在于， 上述第一喷出部具有一对喷出喷嘴；上述一对喷出喷嘴向在上述处理槽的相向的一对侧壁上形成的凹部分 别喷出处理液。
4. 如权利要求3所述的基板处理装置，其特征在于，上述凹部分别形 成在上述一对侧壁的下端部。
5. 如权利要求3或4所述的基板处理装置，其特征在于，上述凹部是 向着上述处理槽的内侧张开的截面为V字形状的槽。
6. 如权利要求5所述的基板处理装置，其特征在于，上述喷出喷嘴向 构成上述截面为V字形状的槽的一对锥面中的下侧的锥面喷出处理液。
7. 如权利要求3或4所述的基板处理装置，其特征在于，上述凹部为 向着上述处理槽的内侧张开的曲面状的槽。
8. 如权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，还具有 第二喷出部，其向上述处理槽的内侧喷出处理液；控制部，其根据处理的进行状况分别独立控制上述第一喷出部以及上述 第二喷出部的动作；从上述第一喷出部喷出的处理液通过与上述处理槽的上述内壁面碰撞， 从而在上述处理槽的内部形成比从上述第二喷出部喷出的处理液低速的液 流。
9. 如权利要求8所述的基板处理装置，其特征在于，上述第一喷出部 向着上述处理槽的形成在上述内壁面上的凹部喷出处理液。
10. 如权利要求9所述的基板处理装置，其特征在于， 上述第二喷出部具有配置在上述处理槽的底部附近的第一喷嘴和配置在上述处理槽的上部附近的第二喷嘴；上述第一喷出部具有处于上述处理槽的底部附近且配置在上述第一喷 嘴的上方的第三喷嘴。
11. 如权利要求10所述的基板处理装置，其特征在于，上述第一喷嘴、 上述第二喷嘴和上述第三喷嘴均在上述处理槽的内部隔着用于浸渍基板的 区域配置成一对。
12. 如权利要求11所述的基板处理装置，其特征在于，上述处理液包 括对基板进行蚀刻处理的蚀刻液和实施其他处理的非蚀刻液；上述控制部在向上述处理槽的内部供给上述蚀刻液时，使得从上述第二 喷出部喷出上述蚀刻液。
13. 如权利要求12所述的基板处理装置，其特征在于， 还具有计测部，该计测部用于计测贮存于上述处理槽的内部的处理液中所包含的上述蚀刻液成分的浓度或者处理液的比电阻值，上述控制部在将贮存于上述处理槽的内部的上述蚀刻液置换为上述非 蚀刻液时，使得从上述第二喷出部喷出上述非蚀刻液，当上述计测部的计测 值达到规定值时，使来自上述第二喷出部的上述非蚀刻液的喷出停止，并且， 进行来自上述第一喷出部的上述非蚀刻液的喷出。
14. 如权利要求8至13中任一项所述的基板处理装置，其特征在于， 上述控制部在将贮存在上述处理槽的内部的处理液置换为其他处理液时，交替进行来自上述第二喷出部的上述其他处理液的喷出和来自上述第一 喷出部的上述其他处理液的喷出。
15. —种基板处理方法，通过在处理液中浸渍基板来进行基板的处理， 其特征在于，该方法具有a) 在处理槽的内部向上述处理槽的侧壁或者底壁喷出处理液的工序；b) 在贮存于上述处理槽的内部的处理液中浸渍基板的工序。
全文摘要
本发明提供一种基板处理装置，能够控制处理槽内部中的处理液的搅拌，且能够有效地将颗粒等异物排出到处理槽外部。基板处理装置(1)从喷出喷嘴(13)向着形成在内槽(11)的侧壁(112a、112b)上的槽部14喷出氢氟酸溶液。由此，从喷出喷嘴(13)喷出的氢氟酸溶液与槽部(14)碰撞并扩散，作为低速且同样的液流向内槽(11)上部前进。因此，产生在内槽(11)内部的金属成分或异物不会在内槽(11)内部被搅拌而漂浮到内槽(11)的上部，与氢氟酸溶液一同被迅速地排出到外槽(12)。
文档编号C23F1/08GK101399172SQ20081016109
公开日2009年4月1日 申请日期2008年9月26日 优先权日2007年9月26日
发明者大泽笃史, 我孙子良隆 申请人:大日本网屏制造株式会社