一种同心环式多气体独立通道的喷淋结构的制作方法
【专利摘要】一种同心环式多气体独立通道的喷淋结构，主体以同心环形式均匀布置两个分区，分别作为气体A分区及气体B分区独自分区，上述气体A、B在分区扩散后从各自分区中的气体出口进入腔室。上述主体同心环的中间位置设有气体C通道，气体C直接从两个通道进入反应腔室。由于该结构采用平面分区方式，隔离不同的气体路径，来实现三种气体独立、均匀的到达基底表面进行沉积反应，较好地解决了气体在进入腔室之前已进行接触，不易于控制沉积的时间及特气资源浪费的技术问题。并可在其上安装加热或冷却构件，以满足更严苛的工艺条件要求。具有结构合理及易于推广的特点。
【专利说明】一种同心环式多气体独立通道的喷淋结构
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及一种新型的喷淋结构，通过平面分区方式，来实现三种及三种以上气体独立、均匀的到达基底表面进行沉积反应，属于半导体薄膜沉积应用及制造【技术领域】。
【背景技术】
[0002]半导体镀膜设备在进行沉积反应时，一般需要一种气体或两种气体，有时需要三种(或三种以上)气体同时进入腔室进行薄膜沉积，要求几种气体路径相互独立，在进入腔体前不能相遇，进入腔室后都能均匀扩散到基底表面。而现有的喷淋结构大都是针对单独的气体设计的路径，或是最多有两种气体路径，并且大多结构都只是在气体进口处进行分离，在进入腔室之前两种气体已进行接触，使沉积反应提前进行。这样一来，即不易于控制沉积的时间及反应条件，也浪费了宝贵的不可再生的特气资源。当需要三种或三种以上气体时，之前的喷淋方法已不能满足要求。针对要求多种(三种及三种以上)气体同时、独立、均匀的苛刻要求，本实用新型应运而生。
【发明内容】
[0003]本实用新型是以解决上述问题为目的，主要解决现有的喷淋结构由于设计不够合理，气体在进入腔室之前已进行接触，不易于控制沉积的时间及特气资源浪费的技术问题，而提供一种能够满足三种气体同时、独立、均匀沉积的喷淋新型结构。
[0004]为实现上述目的，本实用新型采用下述技术方案:采用平面分区方式，隔离不同的气体路径。气体分别从各自独立的气体进口进入，通过各自独立的通道，到达各自分区，并从各自的分区到达腔室。彼此独立结构使不同气体不会提前相遇或反应。通过规划不同的分区结构及分区形式，能满足多种气体的分布，使气体能均匀、快速的扩散在腔室内，并在基板上进行沉积反应。具体结构是:主体以同心环形式均匀布置两个分区，分别作为气体A分区及气体B分区独自分区，上述气体A、B在分区扩散后从各自分区中的气体出口进入腔室。上述主体同心环的中间位置设有气体C通道，气体C直接从两个通道进入反应腔室。
[0005]本实用新型的有益效果及特点:由于该结构采用平面分区方式，隔离不同的气体路径，来实现三种气体独立、均匀的到达基底表面进行沉积反应，较好地解决了气体在进入腔室之前已进行接触，不易于控制沉积的时间及特气资源浪费的技术问题。并可在其上安装加热或冷却构件，以满足更严苛的工艺条件要求。具有结构合理及易于推广的特点。
【专利附图】
【附图说明】
[0006]图1是本实用新型的结构示意图。
[0007]图中零件标号分别代表:
[0008]1、气体A分区；2、气体B分区；3、气体C通道。
[0009]下面结合附图和实施例对本实用新型作进一步的说明。【具体实施方式】
[0010]实施例
[0011]如图1所示，一种同心环式多气体独立通道的喷淋结构，该结构的主体是以同心环形式均匀布置两个分区，分别作为气体A分区I及气体B分区2独自分区。上述气体A、B在分区扩散后从各自分区中的气体出口进入腔室。上述主体同心环的中间位置设有气体C通道3，气体C直接从两个通道进入反应腔室。
【权利要求】
1.一种同心环式多气体独立通道的喷淋结构，其特征在于:主体以同心环形式均匀布置两个分区，分别作为气体A分区及气体B分区独自分区，上述气体A、B在分区扩散后从各自分区中的气体出口进入腔室，上述主体同心环的中间位置设有气体C通道，气体C直接从两个通道进入反应腔室。
【文档编号】C23C16/455GK203559127SQ201320686908
【公开日】2014年4月23日 申请日期:2013年10月31日 优先权日:2013年10月31日
【发明者】凌复华, 吴凤丽, 陈英男, 王燚, 国建花 申请人:沈阳拓荆科技有限公司