干法刻蚀方法、干法刻蚀装置、金属膜及具有该金属膜的设备的制作方法

干法刻蚀方法、干法刻蚀装置、金属膜及具有该金属膜的设备的制作方法
【专利摘要】本发明提供干法刻蚀方法、干法刻蚀装置、金属膜及具有该金属膜的设备，用于使形成与e-二酮进行5或6配位的络合物构造的金属膜的蚀刻速度提高。该干法刻蚀方法使用含有e-二酮在内的蚀刻气体对基板上形成的金属膜进行蚀刻，所述金属膜至少含有一种形成与所述e-二酮进行5或6配位的络合物构造的金属，所述含有e-二酮的蚀刻气体含有h2o及h2o2的任意一种以上的添加剂，该添加剂的体积浓度为i%以上而20%以下。
【专利说明】干法刻蚀方法、干法刻蚀装置、金属膜及具有该金属膜的设 备

【技术领域】
[0001] 本发明涉及一种使用含有β -二酮在内的蚀刻气体对金属膜进行蚀刻的干法刻 蚀方法。另外，本发明涉及实现该方法的干法刻蚀装置、以及通过该方法进行蚀刻的金属膜 及具有该金属膜的设备。

【背景技术】
[0002] 在半导体元件的制造工序中，使用成膜装置而利用金属栅材料、电极材料、或磁性 材料而在基板表面上形成金属膜。此时，除了基板表面之外，在成膜装置的成膜室内的用于 对基板进行保持及加热的平台、用于产生等离子体的电极或其它工具、以及成膜室的内壁 及与内壁连接的配管的内壁等成膜装置内部的表面上附着不需要的金属膜等，因此，需要 去除不需要的金属膜等。
[0003] 在从成膜室内取出已成膜的基板后，成膜室内被加热的状态下，作为去除不需要 的金属膜等的方法，已知使用β_二酮的干法净化法。例如，已知下述的干法净化方法，即， 通过使六氟乙酰丙酮（以下简称为HFAc)等的β -二酮与金属氧化膜接触，作为金属络合物 而使金属氧化膜反应，从而去除金属氧化物(例如专利文献1)。
[0004] 但是，即使对形成于成膜室内的金属膜使用该方法，也由于金属不处于氧化状态， 所以不会进行蚀刻反应。因此，已知下述的干法净化方法，即，通过将HFAc等的β-二酮与 氧组合使用，从而使金属膜氧化，然后作为金属络合物使金属氧化膜反应而去除金属氧化 膜(例如，专利文献2、3)。
[0005] 通常，使用β -二酮等络合气体对金属膜进行蚀刻的工序，从化学反应的角度来 看，可以划分为下述3个反应工序：使金属膜氧化而形成金属氧化物的工序(氧化工序）；通 过使金属氧化物络合而形成金属络合物的工序(络合物形成工序）；以及使所形成的金属络 合物升华的工序(升华工序)。由于与β_二酮进行反应而形成的有机金属络合物的蒸汽压 力较高，所以能够随着有机金属络合物的升华而容易地去除包括金属膜在内的不需要的堆 积物。
[0006] 在专利文献4中，公开了一种对在被处理体的表面形成的金属膜通过气体团簇离 子束进行加工的金属膜的加工方法，在该金属膜的加工方法中，将使金属膜中含有的元素 氧化而形成氧化物的氧化性气体、与氧化物反应而形成有机金属络合物的络合气体、以及 惰性气体组成的混合气体绝热膨胀，从而形成气体团簇离子束，通过将气体团簇离子束与 作为被处理体的金属膜进行碰撞而对金属膜进行蚀刻。另外，在专利文献4中，记载有在形 成有机金属络合物的络合气体中添加 Q^H2CKH2O2等氧化性气体。
[0007] 在专利文献5中，公开了具有下述蚀刻工序的蚀刻方法，S卩，利用含有β-二酮的 蚀刻气体对形成于基板上的薄膜进行蚀刻，使基板的表面露出这一蚀刻工序。在该方法中， 记载有下述内容，即，在含有β -二酮的蚀刻气体中，为了提高蚀刻效率，而以H2O的浓度等 于或低于2000ppm的方式添加 Η20。
[0008] 专利文献I :日本特开2001-176807号公报 专利文献2 :日本专利平6-101076号公报 专利文献3 :日本专利平11-140652号公报 专利文献4 :日本特开2012-156259号公报 专利文献5 :日本特开2004-91829号公报 已知存在下述技术，即，在金属膜的蚀刻过程中，通过在络合气体中添加 O2或H2O等氧 化剂而进行氧化工序，然后马上进行络合物形成工序，然后进行升华工序，从而进行金属膜 的蚀刻(专利文献2?5)。
[0009] 但是，通过作为蚀刻对象的金属的种类不同而所形成的络合物的构造也不同，根 据现有方法，可知对于金属膜，不是任何构造下，蚀刻都相同地进行。特别地，对于形成与 β -二酮进行5或6配位的络合物构造的Co、Fe、Zn、Mn、Hf等金属，络合物形成反应难以进 行，无法得到足够的蚀刻速度。


【发明内容】

[0010] 本发明就是鉴于上述问题点而提出的，其目的在于，提供一种在形成与β_二酮 进行5或6配位的络合物构造的金属膜的蚀刻中，提高蚀刻速度的干法刻蚀方法。另外，本 发明的目的在于，提供实施该方法的干法刻蚀装置，以及通过该方法进行蚀刻而得到的金 属膜及具有该金属膜的设备。
[0011] 本发明人对于利用β_二酮作为络合气体的金属膜蚀刻中，着眼于与β_二酮形 成络合物的金属络合物的构造，从而发现下述情况，即，通过在β -二酮中添加定量的特定 添加剂，从而可以提高与β-二酮的配位数为5或6的金属膜的蚀刻反应进行速度，由此得 到本发明。
[0012] 即，本发明为使用含有β-二酮在内的蚀刻气体对基材上形成的金属膜进行蚀刻 的干法刻蚀方法，其中，所述金属膜至少含有一种形成与所述β-二酮进行5或6配位的络 合物构造的金属，所述含有β-二酮的蚀刻气体含有H 2O及H2O2的任意一种以上的添加剂， 该添加剂的体积浓度为1%以上而20%以下。
[0013] 在所述干法刻蚀方法中，所述金属膜也可以是从Zn、Co、Hf、Fe、Mn、及V构成的组 中选择的至少1种。
[0014] 在所述干法刻蚀方法中，也可以使所述蚀刻气体在KKTC以上而350°C以下的温 度区域中与所述金属膜反应。
[0015] 另外，本发明为一种干法刻蚀装置，其具有：成膜室，其配置有形成了金属膜的基 材，该金属膜将形成与β -二酮进行5或6配位的络合物构造；蚀刻气体供给单元，其与所 述成膜室连接，供给含有β -二酮的蚀刻气体；添加剂供给单元，其与所述成膜室连接，供 给H2O及H2O 2的任意一种以上的添加剂；以及加热单元，其加热所述成膜室；以使得所述添 加剂的体积浓度成为1%以上而20%以下的方式，向所述成膜室供给所述蚀刻气体及所述添 加剂。
[0016] 在所述干法刻蚀装置中，也可以使从Zn、Co、Hf、Fe、Μη、及V构成的组中选择的至 少1种的所述金属膜，与所述蚀刻气体反应。
[0017] 在所述干法刻蚀装置中，也可以使所述加热单元将所述成膜室内加热至100°C以 上而350°C以下，在所述成膜室内使所述蚀刻气体与所述金属膜反应。
[0018] 另外，本发明为一种金属膜，其形成于基材上，至少含有一种形成与β-二酮进行 5或6配位的络合物构造的金属，对于该金属膜，利用含有β -二酮且H2O及H2O2的任意一 种以上的添加剂的体积浓度为1%以上而20%以下的蚀刻气体，进行蚀刻。
[0019] 所述金属膜也可以是从Zn、Co、Hf、Fe、Μη、及V构成的组中选择的至少1种。
[0020] 所述金属膜也可以是在KKTC以上而350°C以下的温度区域中与所述蚀刻气体反 应。
[0021] 另外，本发明为一种具有所述任意一种金属膜的设备。
[0022] 发明的效果 根据本发明，能够使与β -二酮形成5或6的配位数的金属膜的蚀刻反应的进行速度 提高。另外，根据本发明，可以提供一种实现该方法的干法刻蚀装置、利用该方法进行蚀刻 的金属膜及具有该金属膜的设备。

【专利附图】

【附图说明】
[0023] 图1是本发明的一个实施方式所涉及的蚀刻装置的示意图。
[0024] 标号的说明 1 :基材、110 :成膜室、130 :蚀刻气体供给单元、131 :配管、131a:配管、131b :配管、 133a :流量调整单元、133b :流量调整单元、140 :添加剂供给单元、141 :配管、143 :流量调整 单元、150 :加热单元、170 :排气单元、171a :配管、171b :配管、173 :真空泵、175 :液氮冷阱、 177a :阀、177b :阀。

【具体实施方式】
[0025] (金属膜的蚀刻方法） 本发明为使用含有β-二酮的蚀刻气体对基材上形成的金属膜进行蚀刻的干法刻蚀 方法，其中，金属膜至少含有一种形成与所述β-二酮进行5或6配位的络合物构造的金 属，含有β -二酮的蚀刻气体含有H2O及H2O2的任意一种以上的添加剂，添加剂的体积浓度 为1%以上而20%以下。
[0026] 在本发明中，将蚀刻气体导入配置了含有金属膜的处理对象物的蚀刻装置内，与 作为处理对象物的金属膜接触而进行反应，利用金属络合化而对金属膜进行蚀刻。本发明 的特征在于，通过在蚀刻气体中添加一定量的特定添加剂，从而使形成特定络合物构造的 金属的蚀刻速度提高。
[0027] 作为本发明的干法刻蚀方法的对象的金属膜，利用形成与β -二酮进行5或6配 位的络合物构造的材料进行成膜。具体地说，可以举出从Zn、Co、Hf、Fe、Mn、V、Zr、Ti、Ru、& Ir构成的组中选择的至少1种元素。金属膜也可以并不仅是由上述元素的其中一种构成的 膜，也可以是由多种元素构成的金属膜。例如，可以举出含有NiSi、CoSi、HfSi、NiCo、FeCo、 CoPt、MnZn、NiZn、CuZn、FeNi等金属及其氧化物膜。其中，对于含有Zn、Co、Fe及Mn的其 中一种的金属膜，本发明是有效的。此外，在本发明中，基材只要由可以使形成与β_二酮 进行5或6配位的络合物构造的材料进行成膜、且能够进行蚀刻的材料构成即可，可以使用 公知的半导体基板或玻璃基板等。
[0028] 在本发明中，需要在蚀刻气体中含有β -二酮、以及作为添加剂的H2O或H2O2。本 发明人首次发现通过作为添加剂而添加一定量的H 2O或H2O2，从而可以使与β -二酮配位的 配位数为5或6的金属膜的蚀刻反应的进行速度提高。在本发明中，与现有技术中使用的 添加 O2的条件相比，由于蚀刻工序中存在的H2O浓度增加，所以络合物形成速度加快，蚀刻 速度提高。在现有技术中，有时会使用H 2O作为氧化剂，但基本没有使用H2O作为蚀刻金属 膜时使用的配位体的例子的报告。这是由于，在现有技术中使用O 2作为氧化剂，所以O2作 为配位体起作用。
[0029] (对络合物形成的研究） 在使用β -二酮进行的金属膜蚀刻中，主要经由氧化工序及络合物形成工序这2个工 序进行反应。在这里，如果针对由Co形成金属膜的例子进行研究，则如下所示。
[0030] ( 1)氧化工序 2Co + O2 - 2C〇0 (2)络合物形成工序 (a) CoO + 2HFAc - Co (HFAc)2 + 2H20 (b ) Co (HFAc) 2 + 2H20 - Co (HFAc) 2 (H2O) 2 个 在现有技术的O2添加条件中，形成Co络合物所需的H2O的供给仅为在络合物形成工序 (a)中生成的4〇。由此，可以预料到在使用β-二酮的金属膜蚀刻中，一系列反应中决定反 应速度的是络合物形成反应。在本发明中，在不存在氧气的环境中，利用H 2O使金属膜中的 金属氧化(氧化工序)。氧化后的金属原子与β_二酮进行2分子配位，形成与β-二酮进 行5或6配位型的络合物构造(络合物形成工序（a))。金属原子的空置的配位基与H 2O分 子配位（H2O气体作为氧化剂起作用），络合物稳定化(络合物形成工序（b ))。基于上述反应 机理可知，在本发明中，即使不存在氧气，也会利用H2O使金属膜中的金属氧化，络合物形成 反应的速度依赖H 2O的量而进行。
[0031] 作为本发明所使用的β-二酮，例如可以举出六氟乙酰丙酮、三氟乙酰丙酮、乙酰 丙酮等，也可以并非仅使用1种而是使用2种以上的多种。特别地，从能够高速蚀刻这一点 出发，优选六氟乙酰丙酮、三氟乙酰丙酮。在蚀刻气体中含有的二酮的浓度上升的同 时，金属膜的蚀刻速度也提高。不过，在β_二酮的蒸汽压力较低，有可能在成膜装置内发 生液化的情况下，优选利用稀释气体适当地调整浓度。
[0032] 优选蚀刻气体中含有的添加剂（H2O或H2O2)的含有率为蚀刻气体组分中的1体积％ 以上而20体积％以下。更优选蚀刻气体中含有的添加剂的含有率为3体积％以上而10体 积％以下。如果蚀刻气体中含有的添加剂的含有率超过20体积％，则β -二酮形成水合物， 所以并不优选。如果蚀刻气体中含有的添加剂的含有率不足1体积％，则无法得到充分的蚀 刻效果。
[0033] 此外，也可以在蚀刻气体中，除了 β-二酮，添加剂（H2O或H2O2)之外，还添加 Ν2、 He、Ar、Ne、Kr等惰性气体。在添加惰性气体的情况下，只要稀释为适当的浓度进行使用即 可，并不限定浓度，但在蚀刻气体组分中，惰性气体通常为1体积％以上而50体积％以下的 含有率使用，优选以30体积％以上而50体积％以下的含有率使用。
[0034] (干法刻蚀装置） 例如，可以通过应用如图1所示的在半导体制造工序中使用的通常的蚀刻装置，从而 实现本发明的蚀刻方法。在一个实施方式中，本发明所涉及的蚀刻装置100例如具有：成膜 室110,其配置基材1 ;蚀刻气体供给单元130,其与成膜室110连接，供给含有β -二酮的 蚀刻气体；添加剂供给单元140,其与成膜室110连接，供给H2O及H2O 2的任意一种以上的添 加剂；以及加热单元150,其加热成膜室110。
[0035] 在这里，如果在β-二酮中添加 H2O或H2O2，则形成水合物而成为固体，因此，有可 能闭塞配管。由此，优选在蚀刻装置100中，将β -二酮中混合H2O或H2O2的工序安排在即 将向成膜室110供给蚀刻气体之前进行。但是，从使β -二酮和H2O或H2O2充分混合这一 观点出发，并不优选分别添加 β-二酮和H2O或H2O2这一操作。由此，在本发明中，添加剂 供给单元140与蚀刻气体供给单元130连接，在β -二酮混合有H2O或H2O2的状态下向成 膜室110供给。
[0036] 成膜室110为了配置形成有金属膜的基材--所述金属膜将形成与β -二酮进行 5或6配位的络合物构造--而具有平台120。成膜室110只要是对于所使用的β -二酮 具有耐受性、可以以规定的压力进行减压即可，并不特别限定，通常可以应用半导体的蚀刻 装置所具有的普通的成膜室等。另外，供给蚀刻气体的供给管及其它配管等也只要是对于 β_二酮具有耐受性的管即可，并不特别限定，可以使用普通的管。
[0037] 成膜室110连接有蚀刻气体供给单元130。蚀刻气体供给单元130经由配管131 将β_二酮向成膜室110供给。在图1中，通过流量调整单元133a调整β-二酮的供给 量，并从配管131a向配管131供给。另外，作为稀释气体的惰性气体由流量调整单元133b 调整供给量，从配管131b向配管131供给。如上述所示，在本实施方式中，添加剂供给单元 140通过流量调整单元143调整供给量，而将H 2O及H2O2的任意一种以上的添加剂经由配管 141向配管131供给。
[0038] 在蚀刻装置100中，β -二酮被稀释气体稀释至规定的浓度、并以规定浓度与从添 加剂供给单元140供给来的添加剂混合的状态下，向成膜室110供给。由此，在本发明中， 由于在即将向成膜室110供给之前，将稀释后的β -二酮和H2O及/或H2O2混合，所以不会 使β -二酮形成水合物并固化而闭塞配管141。
[0039] 在成膜室110的外部连接用于对成膜室110进行加热的加热单元150。另外，优选 在平台120的内部，作为第2加热单元而具有加热器。在成膜室110中配置多个平台的情 况下，通过每个平台具有加热器，可以对各个平台分别设定为规定的温度。
[0040] 在成膜室110的一侧连接有用于排出反应后的气体的排气单元170。通过排气单 元170的真空泵173而经由配管171a从成膜室110排出反应后的气体。通过配置在配管 171a和171b之间的液氮冷阱175,回收反应后的气体。在配管171a和配管171b中配置阀 177a和阀177b，从而可以调整压力。另外，在图1中，PG及PIC为压力计，可以基于PG及 PIC的指示值而控制各流量调整单元及各阀。
[0041] 将蚀刻装置100作为例子而具体说明蚀刻方法。在成膜室110中配置形成有金属 膜的基材1，该金属膜将形成与β-二酮进行5或6配位的络合物构造。通过真空泵173将 成膜室110、配管131、配管131a、配管131b、液氮冷阱175、配管171a及171b的内部进行真 空置换至规定压力后，由加热单元150对基材1加热。如果成膜室110内达到规定的温度， 则从蚀刻气体供给单元130将β -二酮和稀释气体以规定流量向配管131供给，同时从添 加剂供给单元140将添加剂以规定流量向配管131供给。
[0042] 稀释后的β -二酮和添加剂以规定组分进行混合而供给至成膜室110。一边将混 合后的蚀刻气体导入成膜室110内，一边控制成膜室110内部成为规定压力。通过使蚀刻 气体和金属膜以规定时间进行反应，从而进行金属膜的蚀刻。
[0043] 在蚀刻完成后，停止由加热单元150进行的加热而进行降温，同时停止真空泵173 而解除真空。通过以上操作，可以进行本发明所涉及的金属膜的蚀刻。
[0044] 另外，在本发明的蚀刻方法中，蚀刻时的温度只要是能够使络合物气化的温度即 可，特别优选作为去除对象的金属膜的温度落在100°c以上而350°C以下的温度范围内。另 夕卜，蚀刻时的成膜室内的压力并不特别限定，通常为〇· IkPa?101. 3kPa的压力范围。
[0045] 蚀刻时间并不特别限定，但如果考虑到半导体元件制造工序的效率，则优选为60 分钟以内。在这里，蚀刻时间是指，在进行蚀刻处理的、内部设置有基板的反应室的内部导 入蚀刻气体后，直至为了结束蚀刻处理而通过真空泵等将反应室内部的蚀刻气体排出为止 的时间。
[0046] 另外，专利文献4所记载的通过形成有机金属络合物的络合气体的团簇离子束而 对金属膜进行蚀刻的方法，由于并非等离子蚀刻工艺，所以不会对样品产生电气或紫外线 导致的损伤，但由于为了形成团簇离子束而必须对供给气体施加高压，并且气体供给管的 前端的喷嘴需要加工为特殊形状，所以存在装置制作的成本变高这一问题。对于这一点， 本发明所涉及的蚀刻方法无需对蚀刻装置施加较大变更，这一点与专利文献4相比更加有 利。
[0047](蚀刻后的金属膜） 使用上述的本发明所涉及的蚀刻方法，对于形成在基材上、且至少含有1种形成与 β -二酮进行5或6配位的络合物构造的金属的金属膜，可以得到利用含有β -二酮、且H2O 及H2O2的任意一种以上的添加剂的体积浓度为1%以上而20%以下的蚀刻气体进行蚀刻而 得到的金属膜。
[0048] 本发明所涉及的金属膜与现有的蚀刻方法相比，蚀刻效率显著提高，无需较大变 更蚀刻装置，因此，能够抑制蚀刻装置的制造成本增加，其结果，可以廉价地进行制造。
[0049](设备） 本发明所涉及的金属膜能够替代利用现有的半导体制造工艺所制造的设备的金属膜。 本发明所涉及的设备，通过使用利用本发明所涉及的蚀刻方法而蚀刻得到的金属膜，从而 可以廉价地进行制造。作为这种设备，例如可以举出太阳能电池、硬盘驱动器、动态随机访 问存储器、相变存储器、铁电存储器、磁阻存储器、电阻变化型存储器、MEMS等。
[0050] 【实施例】 以下，通过实施例详细说明本发明，但本发明并不限定于实施例。在金属膜的蚀刻实验 中，针对金属种类与含有β_二酮的蚀刻气体中的添加剂的种类、添加量之间的关系进行 了研究。此外，金属的种类使用(>)、？6、211、]\111。此外，作为形成与6-二酮进行4配位构造 的络合物的金属的例子，使用Ni作为对比例。作为添加剂(有时称为添加气体）使用Η 20、 H2O2。
[0051] 蚀刻装置依照图1所示的蚀刻装置100,作为样品而使用形成在基板上的金属箔 (形成为2cmX2cm、厚度为0. 1_)。
[0052] 在将成膜室110及配管131、配管131a、配管131b、液氮冷阱175、配管171a及171b 的内部进行真空置换为不足IOPa后，利用加热单元150及配置在平台120内部的加热器， 对放置在平台120上且测量了重量的样品加热至规定温度。在确认到加热单元150及配置 在平台120内部的加热器的温度达到规定值后，从蚀刻气体供给单元130将β -二酮和稀 释气体以规定流量向配管131供给，同时从添加剂供给单元140将添加剂以规定流量向配 管131供给，由此，一边将蚀刻气体向成膜室110内导入，一边将成膜室110内部控制为规 定的压力。在开始导入蚀刻气体经过规定时间（10分钟）后，停止蚀刻气体导入。在解除 成膜室110内部的真空后，取出样品测量重量，基于实验前后的样品重量变化计算出蚀刻 量。在本实施例中，考虑到测量重量的秤的测量精度而将计算出的蚀刻量的定量下限设为 20nm〇
[0053] 在本实施例的蚀刻实验中，导入的蚀刻气体的总量为50sccm，稀释气体为N2，蚀刻 时间为10分钟。另外，在实施例及对比例中，将成膜室内的压力、金属箔的温度设定为规定 的条件而进行蚀刻实验。表1?表5示出了实施例及对比例中的各蚀刻条件和金属蚀刻量 的结果。
[0054] 以下，说明对作为对象金属的Co进行蚀刻的实验例。对Co进行蚀刻后的结果在 表1中示出。

【权利要求】
1. 一种干法刻蚀方法，其使用含有β-二酮的蚀刻气体对基材上形成的金属膜进行蚀 刻， 其特征在于， 所述金属膜至少含有一种形成与所述β-二酮进行5或6配位的络合物构造的金属， 所述含有β -二酮的蚀刻气体含有H2O及H2O2的任意一种以上的添加剂， 该添加剂的体积浓度为1%以上而20%以下。
2. 根据权利要求1所述的干法刻蚀方法，其特征在于， 所述金属膜是从Zn、Co、Hf、Fe、Μη、及V构成的组中选择的至少1种。
3. 根据权利要求1或2所述的干法刻蚀方法，其特征在于， 所述蚀刻气体在l〇〇°C以上而350°C以下的温度区域中与所述金属膜反应。
4. 一种干法刻蚀装置，其特征在于， 具有：成膜室，其配置有形成了金属膜的基材，该金属膜将形成与β -二酮进行5或6 配位的络合物构造； 蚀刻气体供给单元，其与所述成膜室连接，供给含有β_二酮的蚀刻气体； 添加剂供给单元，其与所述成膜室连接，供给H2O及H2O2的任意一种以上的添加剂；以 及 加热单元，其加热所述成膜室， 以使得所述添加剂的体积浓度成为1%以上而20%以下的方式，向所述成膜室供给所述 蚀刻气体及所述添加剂。
5. 根据权利要求4所述的干法刻蚀装置，其特征在于， 使从Zn、Co、Hf、Fe、Μη、及V构成的组中选择的至少1种的所述金属膜，与所述蚀刻气 体反应。
6. 根据权利要求4或5所述的干法刻蚀装置，其特征在于， 使所述加热单元将所述成膜室内加热至l〇〇°C以上而350°C以下， 在所述成膜室内使所述蚀刻气体与所述金属膜反应。
7. -种金属膜，其特征在于， 其形成于基材上，至少含有一种形成与β -二酮进行5或6配位的络合物构造的金属， 利用含有β -二酮、且H2O及H2O2的任意一种以上的添加剂的体积浓度为1%以上而20% 以下的蚀刻气体，进行蚀刻。
8. 根据权利要求7所述的金属膜，其特征在于， 该金属膜为从Zn、Co、Hf、Fe、Μη、及V构成的组中选择的至少1种。
9. 根据权利要求7所述的金属膜，其特征在于， 其在KKTC以上而350°C以下的温度区域中与所述蚀刻气体反应。
10. -种具有权利要求7至9中任意一项所述的金属膜的设备。
【文档编号】C23F1/12GK104213122SQ201410233504
【公开日】2014年12月17日 申请日期:2014年5月29日 优先权日:2013年5月31日
【发明者】菊池亚纪応, 武田雄太 申请人:中央硝子株式会社