一种多气体多区域的喷淋结构的制作方法

本发明涉及一种多气体多区域的喷淋结构，属于半导体薄膜沉积应用及制造技术领域。

背景技术：

半导体镀膜设备在进行沉积反应时，一般需要一种气体或两种气体，有时需要三种(或三种以上)气体同时进入腔室进行薄膜沉积，要求几种气体路径相互独立，在进入腔体前不能相遇，进入腔室后都能均匀扩散到基底表面。而现有的喷淋结构大都是针对单独的气体设计的路径，并且大多结构都只是在气体进口处进行分离，在进入腔室之前的气体已进行接触，使沉积反应提前进行。这样一来，即不易于控制沉积的时间及反应条件，也浪费了宝贵的不可再生的特气资源。当需要两种或两种以上气体时，之前的喷淋结构已不能满足要求。针对要求多种(两种及两种以上)气体同时、独立、均匀的苛刻要求，需要一种可以满足以上要求的喷淋结构。

技术实现要素：

本发明以解决上述问题为目的，提供了一种多气体多区域的喷淋结构，该喷淋结构采用平面分区结构，隔离不同的气体路径，是一种满足了两种气体同时、独立、均匀沉积的喷淋结构。

为实现上述目的，本发明采用下述技术方案：

一种多气体多区域的喷淋结构，包括喷淋板本体，该喷淋板本体 上设有气体A分区，气体B分区及凹槽，所述气体A分区上设有气体A入口，所述气体B分区上设有气体B入口；气体A分区与气体B分区不连通，气体A入口与气体A分区连通，气体B入口位于凹槽上并与气体B分区连通。

进一步地，所述喷淋头本体的底部设有多个通孔。

进一步地，所述气体A分区与气体B分区内部分别为气体通道。

本发明的有益效果及特点在于：

本发明的多气体多区域喷淋结构采用平面分区结构，隔离不同的气体路径，来实现两种气体独立、均匀的到达基底表面进行沉积反应，较好地解决了气体在进入腔室之前已进行接触，不易于控制沉积的时间及特气资源浪费的技术问题。并可在其上安装加热或冷却构件，以满足更严苛的工艺条件要求。具有结构合理及易于推广的特点。

附图说明

图1为本发明的结构示意图。

具体实施方式

下面结合实施例进一步对本发明进行详细说明，但发明保护内容不局限于所述实施例：

参照图1，一种多气体多区域的喷淋结构，包括喷淋板本体1，该喷淋板本体1上设有气体A分区2，气体B分区3及凹槽4，所述气体A分区2上设有气体A入口5，所述气体B分区3上设有气体B入口6；气体A分区2与气体B分区3不连通，气体A入口5与气体A分区2连通，气体B入口6位于凹槽4上并与气体B分区3连通。

所述喷淋头本体1的底部设有多个通孔。

所述气体A分区2与气体B分区3内部分别为气体通道。

气体A及气体B分别从气体A入口和气体B入口进入至气体A分区和气体B分区内，通过各自独立的通道，到达各自分区，并从各自的分区的通孔到达腔室。彼此独立结构使不同气体A和气体B不会提前相遇或反应，能满足多种气体的分布，该结构使气体能均匀、快速的扩散在腔室内，并在基板上进行沉积反应。

以上所述仅为本发明的较佳实施例而已，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。