1.一种磁过滤等离子体沉积技术制备MC/DLC厚膜，膜层结构包括离子注入“钉扎”层、金属过渡层和MC/DLC膜层。
2.根据权利要求1所述的磁过滤等离子体沉积MC/DLC厚膜技术，其特征在于：所述的磁过滤等离子体沉积技术为离子注入技术、阴极孤沉积技术和磁过滤技术相结合的沉积技术。
3.根据权利要求1所述的离子注入“钉扎”层，其特征在于：所述的“钉扎”层是采用结合离子注入技术的金属薄膜沉积技术，包括两次金属离子注入处理和一次磁过滤金属薄膜沉积。注入所用的金属离子源有Ti、Zr、Cr等，沉积所用的金属弧源有Ti、Zr、Cr等。
4.根据权利要求1所述磁过滤等离子体沉积技术制备的MC/DLC，其特征在于：所述的MC/DLC是由金属等离子体和C等离子体共同沉积形成，表现为金属碳化物镶嵌的DLC结构。
5.根据权利要求4所述的C等离子体，其特征在于：所述C等离子体是含C的气体源在磁场的作用下受金属等离子体束流激发而离化为C等离子体，其中气体源包括乙炔，甲烷等，离化过程在所述的磁过滤弯管中进行，离化率完全由金属等离子体束流强度决定。
6.根据权利要求1所述磁过滤等离子体沉积技术制备的MC/DLC厚膜，其特征在于：所述MC/DLC厚膜是通过金属过渡层与MC/DLC膜按调制周期沉积而成，调制周期2～8，其中金属过渡层沉积时间2～6分钟，MC/DLC沉积时间20～40分钟，MC/DLC厚膜厚度30～55μm。