1.一种研磨垫，具备：
研磨层，其具有用于研磨被研磨物的研磨面，和
在所述研磨层的与所述研磨面相对的一侧上自靠近所述研磨层的一方起依次层叠的中间层、硬质层、缓冲层，
其中，对于厚度方向上被压缩时的变形量C而言，所述中间层大于所述研磨层，所述硬质层小于所述研磨层，所述缓冲层大于所述中间层。
2.如权利要求1所述的研磨垫，其中，所述研磨层的厚度为0.20至0.70mm，所述中间层的厚度为0.20至0.60mm，所述硬质层的厚度为0.10至0.50mm，所述缓冲层的厚度为0.40至1.3mm。
3.如权利要求1或2所述的研磨垫，其中，所述研磨层与所述中间层的总厚度、及所述缓冲层的厚度均为0.40至1.3mm。
4.如权利要求1至3中任一项所述的研磨垫，其中，穿通所述研磨层的所述研磨面的开孔的平均开孔径为10至50μm。
5.如权利要求1至4中任一项所述的研磨垫，其中，所述研磨层、所述中间层及所述缓冲层各自独立地含有选自由聚氨酯树脂、聚砜树脂及聚酰亚胺树脂组成的组中的至少1种树脂，所述硬质层含有选自由聚对苯二甲酸乙二醇酯树脂、氯乙烯树脂及聚乙烯树脂组成的组中的至少1种树脂。
6.如权利要求1至5中任一项所述的研磨垫，其中，所述研磨层、所述中间层及所述缓冲层为利用湿式成膜法形成的片材，构成各层的树脂的100％模量分别为8至25MPa、4至20MPa、3至20MPa。
7.如权利要求1至6中任一项所述的研磨垫，其用于研磨硅晶片。
8.如权利要求1至7中任一项所述的研磨垫的制造方法，所述制造方法包括如下工序：
相对于具有用于研磨被研磨物的研磨面、并且具有8至25MPa的100％模量的研磨层，在所述研磨层的与所述研磨面相对的一侧上自靠近所述研磨层的一方起依次层叠中间层、硬质层和缓冲层，其中，对于厚度方向上被压缩时的变形量C而言，所述中间层大于所述研磨层，所述硬质层小于所述研磨层，所述缓冲层大于所述中间层。