一种提高结晶器调宽精度的方法与流程

技术特征：

1.一种提高结晶器调宽精度的方法，其特征在于：包括以下步骤，

确认cosθ和sinθ的值的步骤，

sinθ＝Bi/H；

确定铸坯中心线与上转轴中心点的水平长度为XRti和铸坯中心线与下转轴2中心点的水平长度为XRbi的步骤；

XRti＝La*cosθ+(H-Lt)*sinθ+WRbi；

XRbi＝La*cosθ+Lb*sinθ+WRbi；

控制结晶器调宽机构运动，使上转轴的实际值XRti_Act等于XRti，下转轴的实际值XRbi_Act等于XRbi；

其中θ为铸坯中心线与窄面结晶器铜板夹角；窄面结晶器铜板高度为H；前窄面结晶器铜板绝对锥度Bi；窄面结晶器铜板与上转轴和下转轴中心点的垂直长度为La，窄面结晶器铜板上面与上转轴中心点垂直投影长度为Lt；窄面结晶器铜板上面与下转轴中心点垂直投影长度为Lb；窄面结晶器铜板下面与铸坯中心线的水平长度为WRbi。

2.根据权利要求1所述的提高结晶器调宽精度的方法，其特征在于：还包括确认窄面铜板绝对锥度实际值Bi_Act和窄面铜板宽度实际值WRbi_Act，

Bi_Act＝(XRti_Act-XRbi_Act)*H/(H-Lt-Lb)；

WRbi_Act＝XRbi_Act-La*cosθ_Act-Lb*sinθ_Act。