技术总结
本发明公开了一种晶硅太阳电池氧化铝钝化膜的PECVD沉积工艺，包括以下步骤：（1）将反应腔体抽真空至0.3mbar以下，然后加热反应腔体；（2）将工艺气体通入反应腔体内，并将至少一对微波发生器产生的微波导入反应腔体，工艺气体吸收微波能量后产生等离子体，等离子体被反应腔体内部的磁场加速后形成等离子体场；（3）将晶硅片以设定传送速率经过反应腔体的等离子体场区，等离子体打在晶硅片表面，发生化学反应生成氧化铝钝化膜。该工艺具有可制备均匀和高质量的氧化铝钝化膜，从而提高晶硅片表面的钝化效果，提高太阳电池的少子寿命等优点。
技术研发人员：许烁烁;刘良玉;舒庆予
受保护的技术使用者：中国电子科技集团公司第四十八研究所
文档号码：201610852529
技术研发日：2016.09.27
技术公布日：2017.02.22