一种地砖多弧离子磁控镀膜机的制作方法

本实用新型涉及镀膜设备技术领域，具体为一种地砖多弧离子磁控镀膜机。

背景技术：

随着科技的不断发展，物料表面的镀膜技术也在不断地发展，起始的镀膜技术，一般都是先对物料表面进行烘烤，然后把需要镶嵌的膜贴敷在物料表面，从而实现对物料表面镀膜的目的。但是这种镀膜方法使用条件有限，而且所镀的膜容易脱落。

技术实现要素：

本实用新型的目的在于提供一种地砖多弧离子磁控镀膜机，以解决上述背景技术中提出的镀膜技术使用条件有限和镀膜不牢固的问题。

为实现上述目的，本实用新型提供如下技术方案，一种地砖多弧离子磁控镀膜机，包括进料口、瓷砖监测头、阀门控制器、阀门、真空室、物料承接板、磁场线圈、水冷容器、输送装置、电机、出料口、阳极接地导线、阴极导线和控制开关，所述进料口上端设有瓷砖监测头，且瓷砖监测头上端连接阀门控制器，所述阀门控制器右端安装有阀门，且阀门右端设有真空室，所述真空室下表面设有物料承接板，且物料承接板下端设有磁场线圈，所述磁场线圈下部安装有水冷容器，所述物料承接板左右两侧连接输送装置，其输送装置下部设有电机，且输送装置右侧末端设有出料口，所述阳极接地导线上端连接真空室，且其下端连接地面，所述阴极导线上端连接物料承接板，且其下端连接控制开关。

优选的，所述进料口和出料口关于真空室对称安置。

优选的，所述阀门为活动结构。

优选的，所述水冷容器与物料承接板衔接处填充有硅胶。

优选的，所述控制开关为螺旋调节形式，且其电压调节范围0-1KV,其电流调节范围0-75A。

与现有技术相比，本实用新型的有益效果是：该地砖多弧离子磁控镀膜机在真空的条件下，对物料进行通电，利用阴粒子在磁场的环境下向着阳极吸附实现镀膜，不仅能够提高镀膜的牢固性，还不受物料的材质局限，实现镀膜。在对物料镀膜前，负偏压先去除物料表面所沾染的气体和污染物，在涂层期间，又为离子提供能量，使涂层与物料紧密结合，控制开关为螺旋调节形式，可以根据不同的物料，来选择涂层颗粒物的大小和数量，水冷容器与物料承接板衔接处填充有硅胶，能够在设备在涂层期间，更好吸附真空室内的温度，避免温度过高，而对物料造成损坏。

附图说明

图1为本实用新型结构示意图。

图中：1、进料口，2、瓷砖监测头，3、阀门控制器，4、阀门，5、真空室，6、物料承接板，7、磁场线圈，8、水冷容器，9、输送装置，10、电机，11、出料口，12、阳极接地导线，13、阴极导线，14、控制开关。

具体实施方式

下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。

请参阅图1，本实用新型提供一种技术方案：一种地砖多弧离子磁控镀膜机，包括进料口1、瓷砖监测头2、阀门控制器3、阀门4、真空室5、物料承接板6、磁场线圈7、水冷容器8、输送装置9、电机10、出料口11、阳极接地导线12、阴极导线13和控制开关14，进料口1上端设有瓷砖监测头2，且瓷砖监测头2上端连接阀门控制器3，进料口1和出料口11关于真空室5对称安置，阀门控制器3右端安装有阀门4，且阀门4右端设有真空室5，阀门4为活动结构，真空室5下表面设有物料承接板6，且物料承接板6下端设有磁场线圈7，磁场线圈7下部安装有水冷容器8，水冷容器8与物料承接板6衔接处填充有硅胶，能够在设备在涂层期间，更好吸附真空室5内的温度，物料承接板6左右两侧连接输送装置9，其输送装置9下部设有电机10，且输送装置9右侧末端设有出料口11，阳极接地导线12上端连接真空室5，且其下端连接地面，阴极导线13上端连接物料承接板6，且其下端连接控制开关14，控制开关14为螺旋调节形式，且其电压调节范围0-1KV,其电流调节范围0-75A，可以根据不同的物料，来选择涂层颗粒物的大小和数量。

工作原理：在使用该地砖多弧离子磁控镀膜机时，先给设备接通电源，然后从进料口1放入所需要涂层的物料，输送装置9在电机10的作用下，对物料进行运输，在物料运输至瓷砖监测头2下部时，瓷砖监测头2检测到物料，然后把信息传送给阀门控制器3，阀门4在阀门控制器3的作用下开启，随后物料被输送装置9运输至真空室5内，然后通过控制开关14给物料承接板6接通电流，物料在负偏压的作用下，表面的空气和污染物被去除，真空室5内的阴极离子向着物料吸附，从而实现对物料表面涂层镀膜的目的，物料镀膜结束后，从出料口11运输至设备外。

尽管参照前述实施例对本实用新型进行了详细的说明，对于本领域的技术人员来说，其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换,凡在本实用新型的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本实用新型的保护范围之内。