1.一种硅外延反应腔用梯形基座，包括梯形基座本体（1），所述梯形基座本体（1）为筒状多面体结构，所述基座本体的每个侧面上从上到下设有硅片放置槽（2），其特征在于：所述基座本体相邻两个侧面的连接面上设有档条（3）。
2.如权利要求1所述的硅外延反应腔用梯形基座，其特征在于：所述档条（3）设有两根，沿所述连接面的上、下方向设置。
3.如权利要求2所述的硅外延反应腔用梯形基座，其特征在于：每个连接面上的两根档条（3）之间设有空隙。
4.如权利要求1所述的硅外延反应腔用梯形基座，其特征在于：所述档条（3）的横截面为正方形。
5.如权利要求1所述的硅外延反应腔用梯形基座，其特征在于：所述硅片放置槽（2）设有两个。
6.如权利要求5所述的硅外延反应腔用梯形基座，其特征在于：所述两个硅片放置槽（2）靠近所述基座本体的下侧设置。