成膜装置的制作方法

本发明涉及一种成膜装置：在真空容器内使旋转台旋转，使旋转台上的基板依次通过原料气体的供给区域、与原料发生反应的反应气体的供给区域，从而在基板上成膜。

背景技术：

作为在半导体晶圆等基板(以下，称为“晶圆”)上形成氧化硅膜(SiO₂)等薄膜的方法，已知有所谓的ALD(Atomic Layer Deposition，原子层沉积)法。作为实施该ALD法的装置，已知有这样的装置：使配置在真空容器内的旋转台上的多个晶圆利用旋转台进行公转，依次通过供给原料气体的区域、供给与原料气体发生反应的反应气体的区域。在旋转台上配置有用于使各晶圆落入而对各晶圆进行保持的凹部，该凹部为了在晶圆的外缘设有间隙(为了以晶圆装卸自如的方式保持晶圆)，而形成为俯视观察时比晶圆大一圈。

已知晶圆由外部的输送臂刚交接到旋转台的凹部内之后，由于加热时面内温度的不均匀，而其中央部比周缘部鼓起地弯曲，随着面内温度的均匀性的提高，所述弯曲逐渐消失。另一方面，由于使旋转台进行旋转，因此在伴随着该旋转的离心力的作用下，晶圆在凹部内向旋转台的外周侧移动所述间隙的量。这样，晶圆一边要从弯曲状态恢复为平坦状态，一边移动，其周缘部擦蹭着凹部底面地移动，有可能产生微粒。

因此，提出了在所述凹部的底面设置俯视形状比晶圆小的晶圆载置台的结构。采用该结构，能够抑制晶圆的周缘部与凹部底面的擦蹭，因此能够抑制微粒的产生。但是，本发明人得出如下见解：在进行旋转台的转速较高的工艺、处理气氛的压力较高的工艺的情况下，在晶圆的周缘部的一部分产生膜厚局部较厚的现象。本发明人推测该现象是因为在载置台的周围的槽部内局部滞留有较浓的气体，该较浓的气体蔓延到晶圆的表面所致。可是，追求膜形成为：晶圆的中心侧的膜厚比较厚，随着朝向晶圆的周缘侧去而膜厚变薄，并且晶圆的周向上的膜厚的均匀性高。但是，如所述那样，若发生较浓的气体向表面蔓延，则晶圆的周缘部的周向上产生膜厚不均匀，可能无法充分满足该要求。

技术实现要素：

发明要解决的问题

本发明提供一种成膜装置，在真空容器内使旋转台旋转，对旋转台上的基板进行成膜处理时，能够确保基板的周缘部的周向上的良好膜厚均匀性。

用于解决问题的方案

本发明的成膜装置在真空容器内使旋转台旋转，而使旋转台上的多个基板依次通过处理气体的供给区域，由此在基板上成膜，其中，

该成膜装置包括：

凹部，其在所述旋转台的一面侧沿着周向设有多个，形成为分别收纳所述基板；

载置部，其用于在所述凹部内支承基板的比周缘部靠中央的部位；

槽部，其为环状，形成为在所述凹部内包围所述载置部；

连通路，其包括连通槽或连通孔，该连通槽或连通孔形成为在从所述载置部的中心进行观察时从所述槽部的靠所述旋转台的旋转中心侧的区域连通到该凹部的外部的区域；以及

排气口，其用于对所述真空容器内进行真空排气，

所述外部的区域是与所述凹部相邻的其他凹部内的载置部的周围的环状的槽部或者所述旋转台的外周缘的外侧。

附图说明

添加的附图作为本说明书的一部分编入，表示本发明的实施方式，与所述一般说明及后述的实施方式的详细内容一起说明本发明的概念。

图1是表示本发明的实施方式的成膜装置的纵剖视图。

图2是表示本发明的实施方式的成膜装置的横剖视图。

图3是表示成膜装置的旋转台的俯视图。

图4是表示旋转台的一部分的立体图。

图5是以沿径向的剖面表示旋转台的纵剖视图。

图6是表示以沿I-I线的剖面表示旋转台的纵剖视图。

图7是将参考例中的旋转台的凹部和晶圆的膜厚分布相对应地表示的说明图。

图8是示意性地表示参考例中的旋转台的凹部内的气体流的情况的说明图。

图9是示意性地表示本发明的实施方式中的旋转台的凹部内的气体流的情况的说明图。

图10是表示本发明的另一实施方式的旋转台的一部分的俯视图。

图11是表示本发明的又一实施方式的旋转台的一部分的俯视图。

图12是表示本发明的实施方式和参考例的晶圆的面内膜厚分布的特性图。

具体实施方式

以下，参照附图对本发明的实施方式进行说明。在下述的详细的说明中，为了能够充分地理解本发明，提供了很多具体的详细内容。然而，没有这样的详细的说明，本领域技术人员能够实现本发明是显而易见的。在其他例子中，为了避免难以理解各种实施方式的情况，没有详细地示出公知的方法、顺序、系统、构成要素。

分别参照作为纵剖侧视图、横剖俯视图的图1、图2，对本发明的实施方式的成膜装置进行说明。该成膜装置包括俯视形状大致圆形的真空容器1、以及设于该真空容器1内的在该真空容器1的中心具有旋转中心并且例如由石英构成的水平圆形旋转台2，对载置于旋转台2的晶圆W供给处理气体，进行成膜处理。另外，图2中的附图标记N表示形成于晶圆W的周缘部的作为缺口的槽口。

图1中附图标记11、12分别是构成真空容器1的顶板、容器主体。在顶板11的上表面侧的中央部，为了抑制在真空容器1内的中心部区域C互不相同的处理气体彼此混合，而连接有用于供给氮(N₂)气体来作为分离气体的分离气体供给管13。

在容器主体12的底面部14，沿真空容器1的一周形成有圆环状的凹部15(参照图1)。在该凹部15内设有作为加热机构的加热单元16，隔着旋转台2将该旋转台2上的晶圆W加热至规定成膜温度例如620℃。图中附图标记17是用于封堵凹部15的覆盖件，图中附图标记18是供给对凹部15内进行吹扫用的吹扫气体的供给管。

在所述旋转台2的中心部的下方侧设有旋转机构21，旋转机构21借助铅垂的旋转轴22使旋转台2顺时针旋转。图中附图标记23是收纳旋转轴22及旋转机构21的罩体，图中附图标记24是用于向罩体23内供给N₂气体来作为吹扫气体的吹扫气体供给管。

图3表示旋转台2的一面侧(表面侧)。在该一面侧形成有凹部、槽部而形成了台阶，在图3中，为了容易识别各部分，利用灰度表示像那样形成凹部、槽部而高度比周围低的区域。在旋转台2的一面侧，为了使圆形的晶圆W落入而保持晶圆，沿该旋转台2的旋转方向(周向)设有6处圆形的凹部25。各凹部25形成为俯视观察时直径比晶圆W的直径大，以便在其与晶圆W的外缘之间设有间隙区域(间隙)。具体而言，晶圆W的直径尺寸及凹部25的直径尺寸例如分别为300mm及302mm。另外，旋转台2的直径尺寸例如为1000mm左右。

图4是所述凹部25的立体图，图5是凹部25的沿旋转台2的径向的纵剖侧视图，图6是图3的I-I向视剖视图。也参照这些图，对旋转台2进行进一步的说明。凹部25的底部的周缘部向下方进一步凹陷而形成圆环状的槽部27，凹部25的底部的被该环状槽部27包围的部分的上端面构成水平的圆形的载置部26。在俯视时，载置部26的中心与凹部25的中心相一致，载置部26的直径小于晶圆W的直径。

采用这样的结构，晶圆W载置于载置部26时，如图5、图6所示，晶圆W的比周缘部靠中央部的区域被该载置部26支承，晶圆W的周缘部自该凹部25的底面浮起。像这样形成载置部26及环状槽部27以载置晶圆W的目的在于，防止如在背景技术部分所说明的那样被加热而弯曲的晶圆W与凹部25的底面擦蹭。另外，图3中附图标记25a是设于载置部26的贯通孔，供从下方侧顶起晶圆W而使晶圆W升降用的3个升降销(未图示)突出或退回。

图5所示的载置部26的高度尺寸h例如为0.1mm～1.0mm，形成为旋转台2的表面比载置于载置部26的晶圆W的表面高一些。载置部26的直径尺寸d例如为297mm，前面所述的环状槽部27的宽度尺寸(凹部25的内壁面与载置部26的外壁面之间的尺寸)L1例如为3mm。另外，在图5等中，夸张地放大描绘了宽度尺寸L1、高度尺寸h。

针对每个凹部25例如设有5个作为将凹部25内的载置部26周围的空间和旋转台2的外侧的空间连通的连通路的宽度较小的直线状槽部28。该5个直线状槽部28(有时记作281～285)是从凹部25的内壁面到旋转台2的外周的长度的缺口，以在旋转台2的周向上隔开间隔地排列的方式形成在凹部25的从凹部25的中央观察到的与旋转台2的旋转中心(在图3中记作O1)相反的一侧的端部区域。该端部区域是：将通过旋转台2的旋转中心O1和凹部25的中心O2的直线A与旋转台2的外周相交的点记作P(参照图3)时，以凹部25的中心O2为起点相对于点P向左形成30度的张角的直线S1和以所述中心O2为起点相对于点P向右形成30度的张角的直线S2之间的区域。

并且，在旋转台2的表面形成有六个连结槽部29。这些连结槽部29以针对在旋转台2的旋转方向上彼此相邻的凹部25、将旋转方向下游侧的凹部25和旋转方向上游侧的凹部25连接起来的方式，沿旋转台2的周向彼此分开地设置。该连结槽部29的一端部形成为：从旋转方向下游侧的凹部25的中心O2来观察，该凹部25的环状槽部27的靠旋转台2的旋转中心O1侧的部位被拉向旋转台2的旋转方向上游侧。另外，连结槽部29的另一端部形成为：从旋转方向上游侧的凹部25的中心O2来观察，该凹部25的环状槽部27的与旋转台2的旋转中心O1相反的一侧的部位被拉向旋转台2的旋转方向下游侧。像这样形成连结槽部29，从而将在所述旋转方向上彼此相邻的凹部25相互连接起来。

参照图7、图8，对形成该连结槽部29的原因进行说明。图7、图8分别表示使用没有形成连结槽部29的旋转台20进行成膜处理的情况。发明人得出这样的见解：在成膜处理时，从凹部25的中心O2向旋转台20的旋转中心O1观察时，如图7所示，在环状槽部27的前方侧(旋转中心O1侧)的左右彼此分开的区域形成处理气体的聚集体Q1，该区域的处理气体的浓度较高。即，在成膜处理中，在环状槽部27的周向上的各部分处理气体的浓度产生比较大的差异。于是，可以认为：形成所述气体聚集体Q1的处理气体如图8所示那样蔓延到晶圆W的表面的周缘部，由此，相比其他区域的处理气体的浓度，在晶圆W表面发生了该蔓延的周缘部的处理气体的浓度上升，结果，晶圆W的表面的周缘部的周向上的膜厚度分布的均匀性降低。

所述旋转台2的连结槽部29将旋转方向下游侧的凹部25的环状槽部27的形成气体聚集体Q1的处理气体向旋转方向上游侧的凹部25的环状槽部27的没有形成气体聚集体Q1的部位(即，处理气体的浓度低的部位)引导。由此，能够防止气体聚集体Q1的处理气体向晶圆W表面蔓延。

返回图1、图2，对成膜装置的其他各部进行说明。图2中附图标记19是设于真空容器1的侧壁的晶圆W输送口，利用闸阀G来开闭。未图示的晶圆W的输送机构经由该输送口19进入真空容器1内、从真空容器1内退出。在面临该输送口19的位置的旋转台2下方侧设有经由前面所述的凹部25的贯通口25a从背面侧抬起晶圆W用的未图示的升降销，在晶圆W的输送机构和凹部25之间进行晶圆W的交接。

如图2所示，在与凹部25的通过区域分别相对的位置以在真空容器1的周向上彼此隔开间隔的方式呈放射状配置有5个喷嘴31、32、33、41、42，各喷嘴由例如石英构成。在该例中，从所述输送口19观察时，顺时针(旋转台2的旋转方向)依次排列为等离子体产生用气体喷嘴33、分离气体喷嘴41、第1处理气体喷嘴31、分离气体喷嘴42及第2处理气体喷嘴32。在等离子体产生用气体喷嘴33的上方侧设有后述等离子体产生部5。

各喷嘴31、32、33、41、42经由流量调整阀分别与向喷嘴供给气体的气体供给源(未图示)相连接。第1处理气体喷嘴31与作为含硅(Si)的第1处理气体的原料气体、例如3DMAS(Tris(dimethylamino)silane：SiH[N(CH₃)₂]₃)的供给源相连接。第2处理气体喷嘴32与作为同原料气体发生反应的第2处理气体的反应气体、例如臭氧(O₃)气体和氧(O₂)气的混合气体的供给源相连接。等离子体产生用气体喷嘴33与例如包括氩(Ar)气体和O₂气体的混合气体的等离子体产生用气体的供给源相连接。分离气体喷嘴41、42分别与作为分离气体的氮(N₂)气体的气体供给源相连接。在这些气体喷嘴31、32、33、41、42的例如下表面侧沿旋转台2的径向在多个部位形成有气体喷出孔(未图示)。

处理气体喷嘴31、32的下方区域分别成为用于使第1处理气体吸附于晶圆W的第1处理区域P1及用于使吸附于晶圆W的第1处理气体的成分与第2处理气体发生反应的第2处理区域P2。分离气体喷嘴41、42的下方区域分别形成将第1处理区域P1和第2处理区域P2分离开的分离区域D。在真空容器1的顶板11的位于该分离区域D的部分，如图2所示，设有大致扇形的凸状部43，分离气体喷嘴41、42以陷入该凸状部43的方式设置。

因而，在分离气体喷嘴41、42的旋转台2周向两侧配置了具有阻止各处理气体彼此混合的作用的较低的第1顶面(凸状部43的下表面)，在该第1顶面的所述周向两侧配置有比该第1顶面高的第2顶面。凸状部43的周缘部(靠真空容器1的外缘侧的部位)为了阻止各处理气体彼此混合而以与旋转台2的外端面相对并且与容器主体12稍微分开的方式弯曲成L字型。另外，在顶板11的下表面的中央部，为了防止处理气体彼此在该中央部混合而设有呈环状向下方突出的突出部44，突出部44的下表面形成为与凸状部43的下表面连续。

所述等离子体产生部5包括天线51，天线51包括金属线并且卷绕成线圈状。图2中附图标记52是高频电源，向天线51供给高频电力。高频电源52与天线51之间设有匹配器53。图中附图标记54是杯状的壳体，将在真空容器1的顶板11的位于等离子体产生用气体喷嘴33的上方侧的部分俯视呈扇形地开口的开口部封堵，收纳有所述天线51。图1中附图标记55是用于阻止N₂气体、第2处理气体进入壳体54的下方区域的限制气体用的突起部，沿壳体54的周缘部形成，所述等离子体产生用气体喷嘴33设为从该突起部55的外侧贯穿突起部55，进入突起部55所包围的区域。

在壳体54与天线51之间设有上表面侧开口的箱形的法拉第屏蔽件56。法拉第屏蔽件56包括导电性材料，并且接地。在法拉第屏蔽件56的底面形成有缝隙57，以便使在天线51产生的电场及磁场(电磁场)中的磁场到达晶圆W，并且阻止电场成分向下方去。图中附图标记58是绝缘板，使法拉第屏蔽件56与天线51之间绝缘。

图中附图标记61是沿容器主体12的底面部14的周缘设置的环板，位于比旋转台2的外周靠外侧的位置。在该环板61的上表面形成有彼此在周向上分开的第1排气口62及第2排气口63。第1排气口62形成在第1处理气体喷嘴31与比该第1处理气体喷嘴31靠旋转台2的旋转方向下游侧的分离区域D之间的靠该分离区域D侧的位置，用于排出第1处理气体及分离气体。第2排气口63形成在等离子体产生用气体喷嘴33与比该等离子体产生用气体喷嘴33靠旋转台2的旋转方向下游侧的分离区域D之间的靠该分离区域D侧的位置，用于排出第2处理气体、分离气体及等离子体产生用气体。

图中附图标记64是形成于环板61的表面的槽状的气体流路，用于将流向旋转台2的外侧的第2处理气体、分离气体及等离子体产生用气体向第2排气口63引导。第1排气口62及第2排气口63如图1所示那样分别通过排气管66连接于作为真空排气机构的例如真空泵67，在第1排气口62及第2排气口63与排气管66之间设有蝶阀等压力调整部65。

另外，在该成膜装置设有用于对装置整体的动作进行控制的包括计算机的控制部100，在该控制部100存储有用于进行后述成膜处理的程序。该程序编有步骤组以执行后述装置的动作，从硬盘、光盘、光磁盘、存储卡、软盘等存储介质的存储部101安装到控制部100内。

接着，对所述成膜装置的成膜处理进行说明。首先，利用加热单元16对旋转台2进行加热。然后，敞开闸阀G，通过旋转台2的间歇旋转和旋转台2旋转停止时升降销的升降动作，将由输送机构输送到真空容器1内的晶圆W依次载置于凹部25的载置部26。载置好的晶圆W被加热到规定温度、例如620℃。

向6个凹部25载置了晶圆W后，关闭闸阀G，旋转台2以20rpm～240rpm例如180rpm顺时针旋转。然后，从分离气体喷嘴41、42、分离气体供给管13及吹扫气体供给管18、24分别以规定流量喷出N₂气体。接着，从处理气体喷嘴31、32分别喷出第1处理气体及第2处理气体，并且从等离子体产生用气体喷嘴33喷出等离子体产生用气体。像这样喷出各气体时，以真空容器1内的压力成为预先设定的处理压力133Pa～1333Pa例如1260Pa(9.5Torr)的压力的方式从各排气口62、63进行排气。并且，在进行这样的各气体的喷出、排气及旋转台2的旋转的同时，还向等离子体产生部5的天线51供给高频电力。

通过旋转台2的旋转，在第1处理区域P1，在晶圆W的表面吸附第1处理气体(原料气体)，接着，在第2处理区域P2，吸附在晶圆W上的第1处理气体(原料气体)与第2处理气体(反应气体)发生反应，形成一层或者多层作为薄膜成分的氧化硅膜(SiO₂)的分子层，而形成反应生成物。另一方面，在供给到天线51的高频电力的作用下产生的电场及磁场中，仅磁场通过法拉第屏蔽件56到达真空容器1内，等离子体产生用气体被活性化，生成例如离子、自由基等等离子体(活性种)。利用该等离子体对反应生成物改性。具体而言，通过等离子体碰撞晶圆W的表面，引起例如由来自反应生成物的杂质的放出、反应生成物内的元素的再排列造成的致密化(高密度化)。

在该成膜处理中，如在图7、图8中所说明的那样，在各凹部25的环状槽部27的比凹部25的中心O2靠旋转台2的旋转中心O1的区域形成处理气体的聚集体Q1，该靠旋转中心O1的区域的处理气体的浓度升高。但是，如所述那样，在凹部25，形成该气体聚集体Q1的处理气体被连结槽部29引导而流向与该凹部25相邻的位于旋转方向上游侧的凹部25的环状槽部27的处理气体浓度比较低的、比中心O2靠旋转台2的周端的区域。图9示意性地示出了该连结槽部29中的处理气体的流动。

可以认为：连结槽部29的一端侧与另一端侧之间的处理气体的浓度梯度导致的扩散作用、在旋转台2的旋转下凹部25进入分离区域D时从该分离区域D供给来的N₂气体对气体聚集体Q1的推动影响了该连结槽部29中的处理气体的流动。像这样，处理气体流动，从而抑制了各环状槽部27的周向上的浓度的差异，结果，抑制了因从环状槽部27蔓延到晶圆W的表面的处理气体导致晶圆W的周缘部中的一部分区域的该处理气体的浓度与其他区域相比变高的情况。因而，抑制了该一部分的区域的膜厚比其他区域的膜厚厚的情况。

另外，像那样经由连结槽部29流到旋转方向上游侧的凹部25的环状槽部27的处理气体在旋转台2的离心力的作用下沿载置于该凹部25的晶圆W的背面侧流向直线状槽部28，从该直线状槽部28向旋转台2的外侧排出。另外，在旋转台2的离心力的作用下，沿晶圆W的表面流向该旋转台2的外周的处理气体也从该环状槽部27向旋转台2的外侧排出。

如所述那样持续进行旋转台2的旋转，从而，第1处理气体向晶圆W表面的吸附、吸附在晶圆W表面的第1处理气体的成分与第2处理气体的反应的反应生成物的生成、以及该反应生成物的等离子体改性按该顺序进行多次，形成在晶圆W表面的SiO₂膜的膜厚增加。然后，在形成规定膜厚的SiO₂膜时，各处理气体及等离子体产生用气体的供给停止，以与向真空容器1输入时相反的动作从真空容器1输出晶圆W。

采用所述成膜装置，分别向旋转台2上的6个凹部25内的载置部26载置晶圆W，使凹部25依次通过供给有处理气体的处理区域P1、P2，来进行成膜处理。另外，设有从一凹部25内的载置部26的周围的环状槽部27的从载置部26的中心O2来观察时靠旋转台2的旋转中心O1侧的部位连通到与一凹部25的旋转方向上游侧相邻的另一凹部25内设置的环状槽部27的连结槽部29。由此，聚集在一凹部25的环状槽部27的处理气体流入连结槽部29，能够向另一凹部25的环状槽部27的处理气体浓度比较低的区域移动。因而，能够抑制各凹部25的环状槽部27的靠旋转台2的旋转中心O1侧的部位的处理气体浓度局部升高的情况。因而，能够抑制高浓度的处理气体向晶圆W的表面的周缘部蔓延，因此能够抑制晶圆W的周缘部的膜厚均匀性降低。

另外，采用所述成膜装置，以能够将在离心力的作用下在凹部25内向旋转台2的周端侧去的处理气体从该凹部25排出的方式，在前面所述的凹部25的端部区域形成有直线状槽部28。因而，能够进一步可靠地抑制在晶圆W表面出现处理气体的浓度局部升高的区域。

图10示出了用于从环状槽部27排出处理气体的聚集体Q1的槽部的其他形成例。在该图10的旋转台2中，在从各凹部25的中心O2朝向旋转台2的旋转中心O1进行观察时，环状槽部27的侧壁的前方侧的左右彼此分开的区域分别被拉向旋转台2的周端，从而在各凹部25的左右分别形成槽部71。对于在旋转台2的旋转方向上相邻的凹部25，旋转方向下游侧的凹部25的右侧(旋转方向上游侧)的槽部71、旋转方向上游侧的凹部25的左侧(旋转方向下游侧)的槽部71在朝向旋转台2的周端去的中途相互汇合，汇合后的槽部71的端部向旋转台2的外侧开放。

利用这样形成的槽部71，如利用图7所说明的那样形成的处理气体的聚集体Q1被槽部71向旋转台2的外侧引导而从环状槽部27排出。因而，能够取得与前面所述的在旋转台2形成连结槽部29的情况同样的效果。其中，除设置槽部71代替连结槽部29之外，图10的旋转台2构成为与利用图3等所说明的旋转台2同样。

这样，为了排出处理气体而与一环状槽部27连通的外部的区域并不局限于其他环状槽部27，也可以是旋转台2的外周缘的外侧。另外，也可以如图11所示那样，槽部71在旋转台2上不汇合，而是彼此独立。即，既可以如图10所示那样在两个载置部26形成共有的槽部71，也可以如图11所示那样针对各载置部26形成单独的槽部71。

像这样，对于为了向环状槽部27的凹部25的外部的区域排出处理气体而形成于旋转台2的连通路，并不局限于形成为上方侧开放的槽部，也可以是将一环状槽部27与其他环状槽部27连接起来的连通孔或者将一环状槽部27与旋转台2的外周缘的外侧连接起来的连通孔。另外，也可以在旋转台2的半径上以在该旋转台2的径向上相邻的方式形成凹部25。在该情况下，也可以以将在该径向上相邻的凹部25之间连接起来的方式形成连结槽部29。另外，所述成膜装置也可以构成为：不利用分离区域D将供给种类不同的处理气体的区域彼此分离开，而是通过CVD(Chemical Vapor Deposition，化学气相沉积)进行成膜。

(评价试验)

接着，对与本发明相关地进行的评价试验1进行说明。在该评价试验1中，利用在所述的发明的实施方式中所说明的成膜装置对晶圆W进行了成膜处理。该成膜处理中的晶圆W的温度设定为620℃，旋转台2的转速设定为180rpm，向中心部区域C供给的N₂气体的供给量设定为6000sccm，真空容器1内的压力设定为9.5Torr(1.27×10³Pa)，3DMAS的供给量设定为500sccm。并且，对晶圆W的面内各部分的膜厚进行了测量。另外，作为比较试验1，使用除了在旋转台2没有形成连结槽部29的结构来替代旋转台2之外与评价试验1所使用的成膜装置同样结构的成膜装置，以与评价试验1同样的条件进行成膜处理，与评价试验1同样地测量了晶圆W的膜厚。

图12的图表示出了评价试验1和比较试验1的结果。图表的横轴利用1～49的数值表示测量膜厚的位置，图表的纵轴表示膜厚比及膜厚(单位：nm)。纵轴的膜厚比是指，将晶圆W的中心的膜厚设为1，以晶圆W的各部分的膜厚相对于该中心的膜厚的相对值表示晶圆W的各部分的膜厚。另外，对横轴进行补充说明，横轴的数值1表示晶圆W的中心。并且，数值2～9表示以晶圆W的中心为中心的半径大约为50mm的圆周上的位置，数值10～25表示以晶圆W的中心为中心的半径大约为100mm的圆周上的位置，数值26～49表示以晶圆W的中心为中心的半径大约为150mm的圆周上的位置。相同的圆周上的膜厚的各测量位置被设定为在圆周方向上相邻的测量位置之间的距离彼此相等。

实线的曲线是将从评价试验1取得的膜厚的对应描点用线连结起来而得到的，虚线的曲线是将从比较试验1取得的膜厚的对应描点用线连结起来而得到的。但是，对于各描点，省略了图示。从图表来看，对于数值1～25的各位置的膜厚，评价试验1与比较试验1之间没有较大的差异。但是，对于数值26～49的各位置，几乎在所有位置，评价试验1的膜厚都薄于比较试验1的膜厚。因而，在评价试验1中，可以认为如前面所述那样抑制了处理气体从环状槽部27向晶圆W表面的周缘部蔓延。尤其是在数值29及其附近的位置和数值48及其附近的位置，在比较试验1中，膜厚比为1以上或者接近1的值，而评价试验1的膜厚比为远低于1的值，可知在所述各位置能够尤其抑制处理气体向晶圆W表面的蔓延。

另外，相对于比较试验1，在评价试验1中，所述数值29及其附近的位置的膜厚和数值48及其附近的位置的膜厚薄，从而数值26～49的各位置的膜厚比数值1～25的各位置的膜厚薄。即，像在背景技术部分所述那样要求以晶圆的周缘部的膜厚比晶圆的中心部的膜厚薄的膜厚分布成膜，评价试验1以这样的膜厚分布成膜。从这样的评价试验1的结果确认了本发明的效果。

本发明以分别向旋转台上的多个凹部内的载置部载置基板、使旋转台依次通过处理气体的供给区域来进行成膜处理的装置为对象。另外，设有被形成为从凹部内的载置部的周围的环状槽部的从载置部的中心来观察时靠旋转台的旋转中心侧的区域连通到该凹部的外部区域的连通路。因此，凹部内的环状的槽部内的气体流入连通路，因此，结果能够抑制在凹部内成膜用气体浓度局部升高的情况，基板的周缘部的周向上的膜厚的均匀性变好。

应该理解为本次公开的实施方式的所有内容都是示例，不是限定内容。实际上，所述实施方式能够以多种形态来实现。另外，在不脱离另附的权利要求书及其主旨的前提下，所述实施方式也可以以各种形态进行省略、置换、变更。本发明的范围包括另附的权利要求书和与其等同的含义及范围内的所有变更。

本发明基于2015年10月28日提出申请的日本专利申请第2015-211946号的优先权利益，这里作为参照文献编入该日本申请的全部内容。