技术总结
本发明公开了一种硅外延反应腔用梯形基座，涉及化学气相沉积用设备技术领域。所述基座包括梯形基座本体，所述梯形基座本体为筒状多面体结构，所述基座本体的每个侧面上从上到下设有硅片放置槽，所述基座本体相邻两个侧面的连接面上设有档条。通过在所述基座本体相邻两个侧面的连接面上设置档条，阻挡部分气流，使得能够改变反应腔室结构造成的硅片外延层左右位置厚度偏大趋势，改善片内厚度形貌、提高片内厚度一致性。
技术研发人员：侯志义;陈秉克;赵丽霞;袁肇耿;薛宏伟;任丽翠
受保护的技术使用者：河北普兴电子科技股份有限公司
文档号码：201710202521
技术研发日：2017.03.30
技术公布日：2017.06.30