本发明涉及金刚石涂层制备技术领域，特别是涉及一种具有多种涂层的拉丝模具及其制备方法。
背景技术
拉丝模具由于其易粘料、工作部位易磨损、尺寸公差无法长期保持稳定、使用寿命短、生产效率低而逐渐无法满足市场需求。解决以上问题最好的方法是在拉丝模表面沉积一层高硬度、高耐磨性的保护涂层。金刚石涂层由于其高硬度、良好的耐磨性、抗冲击性、化学稳定性等性能，是拉丝模具表面保护涂层的最佳选择。目前，通常采用热丝气相沉积法(hfcvd)在拉丝模表面沉积一定厚度的微米/纳米金刚石涂层作为表面保护层，从而延长模具的使用寿命。
由于金刚石涂层与拉丝模基体的热膨胀系数不同，导致hfcvd所沉积的金刚石涂层与基体间的结合强度较差，在较高的冲击力下容易发生剥落现象。此外，得到的金刚石涂层表面较为粗糙，使得拉丝模具在对线材或者管材进行拉拔时，得到表面粗糙度较高的产品，因此，一般需要对金刚石涂层进行抛光处理，例如磁性研磨抛光、激光抛光、热化学抛光、离子束抛光等。以上抛光技术不仅工艺繁琐，操作难度大，而且抛光过程中所施加的力会造成极大的残余应力，对涂层的使用寿命造成一定的损伤。
技术实现要素：
鉴于此，本发明第一方面提供了一种具有多种涂层的拉丝模具，其通过在拉丝模具基体上依次沉积碳化硅层、碳化硅-金刚石梯度复合涂层、金刚石涂层和类金刚石涂层，用以解决现有金刚石涂层与拉丝模具基体粘附性不足，及金刚石涂层粗糙度较大的问题，从而提高拉丝模具的使用寿命及加工质量，减少抛光工艺。
具体地，第一方面，本发明提供了一种具有多种涂层的拉丝模具，包括拉丝模具基体，以及依次设置于所述拉丝模具基体上的碳化硅层、碳化硅-金刚石梯度复合涂层、金刚石涂层和类金刚石涂层，所述碳化硅-金刚石梯度复合涂层中，沿厚度方向由所述碳化硅层向所述金刚石涂层，碳化硅含量逐渐减少而金刚石含量逐渐增加。
碳化硅层的存在能够阻碍基体中的钴向金刚石涂层扩散，并与钴形成少量的钴化硅化合物，消除钴催化生成石墨的作用。
碳化硅-金刚石梯度复合涂层中，成分、硬度和热膨胀系数均呈梯度分布，无新界面的产生和成分突变的界面，因此可将薄膜热应力降至趋于零，提高金刚石涂层的膜基结合强度；且其中的碳化硅可以增强涂层的韧性。而碳化硅-金刚石梯度复合涂层也能进一步阻挡金属钴扩散。
在金刚石涂层上沉积的一层类金刚石涂层，类金刚石涂层由于其极低的摩擦系数与优异的耐磨性可以作为润滑层，极大地降低金刚石涂层表面的粗糙度以及降低了金刚石涂层中的晶粒棱角在工作时的应力集中，减少了后续对金刚石涂层的抛光工艺，避免了抛光过程中施加的力会造成极大的残余应力，延长了涂层的有效使用期限，提高拉丝模具的使用寿命以及加工质量。
本发明中，所述类金刚石涂层的厚度为2-6微米。进一步优选为4-6微米。
本发明中，所述碳化硅层的厚度为0.5-2微米，优选为0.8-2微米。所述碳化硅层中的碳化硅晶粒大小为纳米级别(即100纳米以内)，具体可以是30-80纳米。适合的厚度能保证碳化硅层能很好地附着在基体表面，以及为后续沉积碳化硅-金刚石梯度复合涂层和金刚石涂层提供良好基础，且能有效阻碍基体中的钴向金刚石涂层扩散。
本发明中，所述碳化硅-金刚石梯度复合涂层的厚度为2-5微米。适合的梯度复合涂层厚度，有利于形成良好的中间过渡层，使该涂层的弹性模量和热膨胀系数在基体与金刚石涂层的弹性模量和热膨胀系数之间均匀地梯度变化，从而降低金刚石涂层的切应力峰值，提高金刚石涂层与基体的粘附性。
所述碳化硅-金刚石梯度复合涂层中，碳化硅晶粒大小为纳米级别，具体可以是30-80纳米；金刚石晶粒的大小为纳米级别或微米级别(例如1-2微米)，具体可以是20-50纳米、1.5-2微米。
本发明中，所述金刚石涂层的厚度为2-8微米。所述金刚石涂层的金刚石晶粒为纳米或微米级别，具体可以是20-50纳米、1.5-2微米。其中，当涂层中金刚石晶粒为微米级别时，涂层硬度、强度会更高，但金刚石涂层的粗糙度会相应增大。优选地，所述金刚石涂层的金刚石晶粒为纳米级别。
本发明中，沿所述碳化硅-金刚石梯度复合涂层的厚度方向，碳化硅和金刚石的含量在大于0小于100％之间变化，使从碳化硅层到金刚石涂层，碳化硅含量由100％至0逐渐减少，而金刚石含量由0至100％逐渐增加，即基体表面整个涂层从基体到顶层，碳化硅含量由100％至0逐渐减少，而金刚石含量由0至100％逐渐增加，无新界面的增加。
本发明中，整个碳化硅-金刚石梯度复合涂层中，碳化硅所占体积分数可为30-70％，例如40％、50％、60％。碳化硅相对含量大，能增强薄膜的粘贴性和断裂韧性；相对含量小则涂层硬度、强度会更高。
本发明中，为了使金刚石涂层获得更好的粘附性，金刚石涂层的设置厚度最好不超过4倍所述碳化硅-金刚石梯度复合涂层的厚度，例如可以是1-3倍或1-2倍所述碳化硅-金刚石梯度复合涂层厚度。
本发明中，所述拉丝模具基体的材料为硬质合金、合金钢或陶瓷等。其中，所述硬质合金可以为钨钴类硬质合金(wc-co)或钨钛钴类硬质合金(成份为碳化钨、碳化钛及钴)。
本发明具有多种涂层的拉丝模具，通过在硬质合金基体上在沉积金刚石涂层之前先依次设置碳化硅层和碳化硅-金刚石梯度复合涂层作为热膨胀系数过渡层以及金属钴(co)阻挡层，能够有效降低金刚石薄膜中的热应力，有效提高金刚石涂层的结合强度，并在金刚石涂层设置类金刚石涂层作为润滑层，极大地降低金刚石涂层表面粗糙度，降低了金刚石晶粒棱角在工作时的应力集中。
相应地，本发明第二方面提供了一种具有多种涂层的拉丝模具的制备方法，包括以下步骤：
取拉丝模具基体，将其进行预处理；所述预处理包括对所述工件基体进行喷砂处理，然后分别采用丙酮和乙醇超声清洗；
采用热丝气相沉积的方式在所述预处理后的拉丝模具基体上依次碳化硅层、碳化硅-金刚石梯度复合涂层和金刚石涂层，其中，使所述碳化硅-金刚石梯度复合涂层中，碳化硅含量沿厚度增长方向逐渐减少而金刚石含量逐渐增加；
在所述沉积有金刚石涂层的拉丝模具上沉积类金刚石涂层，最终得到具有多种涂层的拉丝模具。
其中，在所述沉积生长类金刚石涂层之前，还包括：对所述沉积有金刚石涂层的拉丝模具先采用丙酮和乙醇超声清洗，再进行离子源清洗，其中：所述离子源清洗的条件为：
将拉丝模具置于反应腔室内，将反应腔室的真空度抽在3×10-3pa以下，并加热至140-160℃；然后向反应腔室内通入氩气，调节氩气流量使所述反应腔室的真空度维持在01.-0.5pa，开启离子源，调节基底偏压至-800～-1200v，离子源清洗的时间为10～30min。
本发明一实施方式中，所述沉积类金刚石涂层的方式为磁控溅射，包括：
控制磁控溅射设备的反应腔室的真空度为(1-5)×10-2pa，温度为320-360℃，离子源的电流为6.5～12a，以石墨作为靶材，控制所述靶材的靶功率为1.9～7.2kw，基底负偏压为-300～-600v，沉积时间为2～6h。
本发明中，在所述预处理后的拉丝模具基体上依次沉积碳化硅层、碳化硅-金刚石梯度复合涂层和金刚石涂层，具体包括：
采用热丝化学气相沉积设备，以氢气和有机硅烷为反应气体，在预处理后的拉丝模具基体表面沉积碳化硅层，控制所述有机硅烷占总气体体积的0.01％～1％；
然后向所述热丝化学气相沉积设备通入甲烷，即以氢气、甲烷和有机硅烷为反应气体，控制甲烷占总气体体积的0.4％～6％，有机硅烷占总气体体积的0.01％～1％，在所述碳化硅层表面沉积形成碳化硅-金刚石梯度复合涂层，反应过程中逐渐增加所述甲烷流量，同时逐渐降低所述有机硅烷流量，使所述碳化硅-金刚石梯度复合涂层中，碳化硅含量沿厚度增长方向逐渐减少而金刚石含量逐渐增加；
将所述有机硅烷流量降至零时，控制甲烷占总气体体积的0.4％～6％，以氢气和甲烷为反应气体，在所述碳化硅-金刚石梯度复合涂层上沉积金刚石涂层；最终得到具有多种涂层的拉丝模具；
上述沉积过程中，真空室气压为0.5～10kpa，灯丝温度为1500～2800℃，基体温度为600～900℃。
本发明中，所述有机硅烷包括四甲基硅烷、甲硅烷、乙硅烷、单甲基硅烷、二甲基硅烷中的一种或多种。
本发明中，沉积碳化硅-金刚石梯度复合涂层或金刚石涂层时，可通过控制反应气体的含量，以及真空室气压、灯丝及基体温度等，以得到含不同粒径大小金刚石晶粒的碳化硅-金刚石梯度复合涂层。
例如，在沉积金刚石涂层时，控制甲烷占总气体体积的0.6％～2％，真空室气压范围为2.5～6kpa，灯丝温度范围为1800～2800℃，基体温度为700～1000℃，沉积时间为1～6小时，使金刚石涂层中形成微米级别金刚石晶粒。如果控制甲烷占总气体体积范围为3％～6％，真空室气压范围为0.5～2.5kpa，灯丝温度范围为1400～2200℃，基体温度范围为500～700℃，沉积时间为3～11小时，使金刚石涂层中形成纳米级别的金刚石晶粒。
本发明中，各层的沉积时间可根据具体需要沉积的厚度而具体设定，可选地，沉积碳化硅层的沉积时间为0.5～2h，沉积碳化硅-金刚石梯度复合涂层的沉积时间为2～6h，沉积金刚石涂层的沉积时间为1～11h，沉积类金刚石涂层的沉积时间为2～6h。可选地，所述碳化硅层的厚度为0.5-2微米；所述碳化硅-金刚石梯度复合涂层的厚度为2-5微米；所述金刚石涂层的厚度为2-8微米；所述类金刚石涂层的厚度为2-6微米。
本发明提供的具有多种涂层的拉丝模具的制备方法，在拉丝模具基体上依次沉积碳化硅层、碳化硅-金刚石梯度复合涂层、金刚石涂层和类金刚石涂层，可以借助碳化硅层、碳化硅-金刚石梯度复合涂层有效弱化拉丝模具基体与金刚石涂层之间的热膨胀差异，降低热应力，提高金刚石涂层的结合强度；同时在金刚石涂层上沉积的类金刚石层可以降低金刚石涂层的粗糙度，避免金刚石晶粒尖锐的棱角造成加工过程产生应力集中而最终导致薄膜脱落而导致拉丝模失效。拉丝模具上这样的多层结构，可以有效提高拉丝模具的使用寿命，还免去了后续对金刚石涂层的抛光处理，降低了生产成本。
本发明的优点将会在下面的说明书中部分阐明，一部分根据说明书是显而易见的，或者可以通过本发明实施例的实施而获知。
附图说明
图1为本发明实施例中具有多种涂层的拉丝模具的截面结构示意图；图中，101为拉丝模具基体，102为碳化硅层，103为碳化硅-金刚石梯度复合涂层，104为金刚石涂层，105为类金刚石涂层。
具体实施方式
以下所述是本发明实施例的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明实施例原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也视为本发明实施例的保护范围。
实施例1
一种具有多种涂层的拉丝模具的制备方法，包括以下步骤：
(1)在国内市场上出售的yg8(wc-8％co)硬质合金拉丝模具作为基体，先对基体进行白刚玉湿喷砂处理，喷砂处理时的压强为350kpa，砂粒度为600目。然后分别在丙酮和酒精中将硬质合金超声清洗20分钟，烘干。
(2)采用热丝化学气相沉积法制备碳化硅中间层，以氢气和四甲基硅烷为反应气体，在预处理后的硬质合金基体表面沉积碳化硅层，其沉积条件如下：有机硅烷气体流量为4sccm，氢气气体流量为800sccm，保持真空室的气压为3kpa，灯丝与样品间距为9.5毫米，灯丝与灯丝间距为8毫米，灯丝温度为2200℃，基体温度为850℃，沉积时间为1小时，在预处理表面上形成厚度为1微米的碳化硅(sic)层，碳化硅晶粒尺寸为50～60纳米。
(3)随后通入甲烷气体并逐渐减少四甲基硅烷的流量，保持氢气流量不变，此时以甲烷、四甲基硅烷以及氢气为反应气体制备碳化硅-金刚石梯度复合涂层，其具体条件如下：开始通入的甲烷气体流量为32sccm，四甲基硅烷气体流量为4sccm，降低真空室气压至2kpa，灯丝与样品间距为8.5毫米，灯丝与灯丝间距为8毫米，灯丝温度为2000℃，基体温度为680℃。制备过程中逐步减少四甲基硅烷气体流量并直至趋近于零，总共沉积时间为2小时，得到厚度为2微米的碳化硅-金刚石梯度复合涂层；所述碳化硅-金刚石梯度复合涂层中，碳化硅晶粒为30nm，金刚石晶粒为40纳米，碳化硅含量沿厚度增长方向逐渐减少而金刚石含量逐渐增加；
(4)将四甲基硅烷流量降低至零，以氢气和甲烷为反应气体，继续在梯度复合涂层上沉积纳米金刚石涂层，其沉积条件如下：灯丝与样品间距为10毫米，灯丝与灯丝间距为8毫米；甲烷气体流量为16sccm，氢气气体流量为800sccm，甲烷与氢气体积比保持在2％左右；真空室气压范围为4kpa；灯丝温度范围为2400℃，基体温度范围为850℃；处理时间为3.5小时。所得金刚石薄膜厚度为4.5微米左右，晶粒尺寸为1.5微米；
(5)采用物理气相沉积法，以石墨靶材为碳源，在金刚石涂层上制备一层类金刚石涂层，其具体沉积条件如下：首先进行离子源清洗，保持反应室本底真空3×10-3pa，温度加热至150℃，开启离子源，反应室充入氩气(ar)，调节输入气体流量，将反应室真空度保持在5×10-1pa，偏压-800v，持续30分钟。然后进行类金刚石涂层沉积，保持真空度为5×10-2pa，温度为350℃，调节沉积偏压为-500v，离子电流为8a，靶材功率为4kw，沉积时间为4小时，得到厚度为4微米的类金刚石涂层；
随炉冷却后，取出拉丝模，即得到具有碳化硅(sic)—碳化硅-金刚石梯度复合涂层—金刚石—类金刚石(dlc)涂层的拉丝模具，其结构示意图如1所示。其中，101为拉丝模具基体，102为碳化硅层，103为碳化硅-金刚石梯度复合涂层，104为金刚石涂层，105为类金刚石涂层。
实施例2
一种具有多种涂层的拉丝模具的制备方法，包括以下步骤：
(1)在国内市场上出售的yg6x(wc-6wt.％co)硬硬质合金拉丝模具作为基体，先对基体进行白刚玉湿喷砂处理，喷砂处理时的压强为200kpa，砂粒度为300目；然后分别在丙酮和酒精中将硬质合金超声清洗15分钟，烘干。
(2)采用热丝化学气相沉积法在预处理后的硬质合金基体表面沉积碳化硅层，其沉积条件如下：以氢气和二甲基硅烷为反应气体，二甲基硅烷的流量为4sccm，氢气的流量为1000sccm，保持真空室的气压为6kpa，灯丝与样品间距为9.5毫米，灯丝与灯丝间距为8毫米，灯丝温度为2000℃，基体温度为680℃，沉积时间为0.5小时，在预处理表面上形成厚度为0.5微米的碳化硅(sic)层，碳化硅晶粒尺寸为30纳米；
(3)随后通入甲烷气体并逐渐减少二甲基硅烷的流量，保持氢气流量不变，此时以甲烷、四甲基硅烷以及氢气为反应气体制备碳化硅-金刚石梯度复合涂层，其具体条件如下：开始通入的甲烷气体流量为40sccm，四甲基硅烷气体流量为4sccm，降低真空室气压至2kpa，灯丝与样品间距为8.5毫米，灯丝与灯丝间距为8毫米，灯丝温度为2000℃，基体温度为680℃。制备过程中逐步减少四甲基硅烷气体流量并直至趋近于零，总共沉积时间为6小时，得到厚度为4微米的碳化硅-金刚石梯度复合涂层；所述碳化硅-金刚石梯度复合涂层中，碳化硅晶粒为80nm，金刚石晶粒为50纳米，碳化硅含量沿厚度增长方向逐渐减少而金刚石含量逐渐增加；
(4)将二甲基硅烷的流量降低至零，以氢气和甲烷为反应气体，继续在梯度复合涂层上沉积纳米金刚石涂层，其沉积条件如下：灯丝与样品间距为8.5毫米，灯丝与灯丝间距为8毫米；甲烷气体流量为32sccm，氢气气体流量为800sccm，甲烷与氢气体积比保持在4％左右；真空室气压范围为2kpa；灯丝温度范围为2000℃，基体温度范围为680℃；处理时间为6小时，所得金刚石薄膜厚度为5微米左右，晶粒尺寸为30纳米左右；
(5)采用物理气相沉积法，以石墨靶材为碳源在金刚石涂层上制备一层类金刚石涂层，其具体沉积条件如下：首先进行离子源清洗，保持反应室本底真空2×10-3pa，温度加热至150℃，开启离子源，反应室充入氩气(ar)，调节输入气体流量，将反应室真空度保持在2×10-1pa，偏压-1200v，持续15分钟。然后进行类金刚石涂层沉积，保持真空度为3×10-2pa，温度为320℃，调节沉积偏压为-600v，离子电流为10a，靶材功率为6kw，沉积时间为6小时，得到厚度为5.5微米的类金刚石涂层；
随炉冷却后，取出拉丝模，即得到具有碳化硅(sic)—碳化硅-金刚石梯度复合涂层—金刚石—类金刚石(dlc)涂层的拉丝模具。
实施例3
一种具有多种涂层的拉丝模具的制备方法，包括以下步骤：
(1)在国内市场上出售的yt15(wc-15％tic)硬硬质合金材质的拉丝模具作为基体，先对基体进行白刚玉湿喷砂处理，喷砂处理时的压强为300kpa，砂粒度为400目，然后分别在丙酮和酒精中将硬质合金超声清洗10分钟，烘干；
(2)采用热丝化学气相沉积法在预处理后的硬质合金基体表面沉积碳化硅层，其沉积条件如下：以氢气和甲硅烷为反应气体，控制甲基硅烷占总气体体积的0.01％，保持真空室的气压为2kpa，灯丝与样品间距为9毫米，灯丝与灯丝间距为8毫米，灯丝温度为2400℃，基体温度为850℃，沉积时间为1小时，在预处理表面上形成厚度为0.7微米的碳化硅(sic)层，碳化硅晶粒尺寸为40纳米；
(3)随后通入甲烷气体并逐渐减少甲硅烷的流量，保持氢气流量不变，此时以甲烷、四甲基硅烷以及氢气为反应气体制备碳化硅-金刚石梯度复合涂层，其具体条件如下：开始通入的甲烷气体流量为16sccm，四甲基硅烷气体流量为4sccm，降低真空室气压至4kpa，灯丝与样品间距为10毫米，灯丝与灯丝间距为8毫米，灯丝温度为2400℃，基体温度为850℃。制备过程中逐步减少四甲基硅烷气体流量并直至趋近于零，总共沉积时间为1.5小时，得到厚度为2.5微米的碳化硅-金刚石梯度复合涂层；所述碳化硅-金刚石梯度复合涂层中，碳化硅晶粒为70nm，金刚石晶粒为1.5～2微米，碳化硅含量沿厚度增长方向逐渐减少而金刚石含量逐渐增加；
(4)将甲硅烷的流量降低至零，以氢气和甲烷为反应气体，继续在梯度复合涂层上沉积纳米金刚石涂层，其沉积条件如下：灯丝与样品间距为10毫米，灯丝与灯丝间距为8毫米；甲烷气体流量为24sccm，氢气气体流量为800sccm，甲烷与氢气体积比保持在3％左右；真空室气压范围为2kpa；灯丝温度范围为2200℃，基体温度范围为800℃，处理时间为6小时，所得金刚石薄膜厚度为5微米左右，晶粒尺寸为30纳米左右；
(5)采用物理气相沉积法，以石墨靶材为碳源，在金刚石涂层上制备一层类金刚石涂层，其具体沉积条件如下：首先进行离子源清洗，保持反应室本底真空1×10-3pa，温度加热至140℃，开启离子源，反应室充入氩气(ar)，调节输入气体流量，将反应室真空度保持在3×10-1pa，偏压-1000v，持续30分钟。然后进行类金刚石涂层沉积，保持真空度为1×10-2pa，温度为340℃，调节沉积偏压为-300v，离子电流为12a，靶材功率为3.6kw，沉积时间为4小时，得到厚度为4.5微米的类金刚石涂层；随炉冷却后，取出拉丝模，即得到具有碳化硅(sic)—碳化硅-金刚石梯度复合涂层—金刚石—类金刚石(dlc)涂层的拉丝模具。
实施例4
一种具有多种涂层的拉丝模具的制备方法，包括以下步骤：
(1)在国内市场上出售的陶瓷拉丝模具作为基体，先对基体进行白刚玉湿喷砂处理，喷砂处理时的压强为350kpa，砂粒度为600目，然后分别在丙酮和酒精中将硬质合金超声清洗20分钟，烘干；
(2)采用热丝化学气相沉积法在预处理后的硬质合金基体表面沉积碳化硅层，其沉积条件如下：有机硅烷气体流量为4sccm，氢气气体流量为800sccm，保持真空室的气压为5kpa，灯丝与样品间距为9.5毫米，灯丝与灯丝间距为8毫米，灯丝温度为2800℃，基体温度为1000℃，沉积时间为2小时，在预处理表面上形成厚度为2微米的碳化硅(sic)层，碳化硅晶粒尺寸为80纳米；
(3)随后通入甲烷气体并逐渐减少四甲基硅烷的流量，保持氢气流量不变，此时以甲烷、四甲基硅烷以及氢气为反应气体制备碳化硅-金刚石梯度复合涂层，其具体条件如下：开始通入的甲烷气体流量为16sccm，四甲基硅烷气体流量为4sccm，降低真空室气压至4kpa，灯丝与样品间距为10毫米，灯丝与灯丝间距为8毫米，灯丝温度为1900℃，基体温度为700℃，制备过程中逐步减少四甲基硅烷气体流量并直至趋近于零，总共沉积时间为2小时，得到厚度为3微米的碳化硅-金刚石梯度复合涂层；所述碳化硅-金刚石梯度复合涂层中，碳化硅晶粒为30nm，金刚石晶粒为0.5微米，碳化硅含量沿厚度增长方向逐渐减少而金刚石含量逐渐增加；
(4)将四甲基硅烷流量降低至零，以氢气和甲烷为反应气体，继续在梯度复合涂层上沉积纳米金刚石涂层，其沉积条件如下：灯丝与样品间距为8.5毫米，灯丝与灯丝间距为10毫米；甲烷气体流量为16sccm，氢气气体流量为800sccm，甲烷与氢气体积比保持在2％左右；真空室气压范围为4kpa；灯丝温度范围为2200℃，基体温度范围为800℃；处理时间为4小时，所得金刚石涂层的厚度为5微米左右，晶粒尺寸为2微米；
(5)采用物理气相沉积法，以石墨靶材为碳源在金刚石涂层上制备一层类金刚石涂层，其具体沉积条件如下：首先进行离子源清洗，保持反应室本底真空3×10-3pa，温度加热至160℃，开启离子源，反应室充入氩气(ar)，调节输入气体流量，将反应室真空度保持在1×10-1pa，偏压-1200v，持续30分钟。然后进行类金刚石涂层沉积，保持真空度为5×10-2pa，温度为350℃，调节沉积偏压为-400v，离子电流为11a，靶材功率为7.2kw，沉积时间为6小时，得到厚度为5.8微米的类金刚石涂层；
随炉冷却后，取出拉丝模，即得到具有碳化硅(sic)—碳化硅-金刚石梯度复合涂层—金刚石—类金刚石(dlc)涂层的拉丝模具。
需要说明的是，根据上述说明书的揭示和和阐述，本发明所属领域的技术人员还可以对上述实施方式进行变更和修改。因此，本发明并不局限于上面揭示和描述的具体实施方式，对本发明的一些等同修改和变更也应当在本发明的权利要求的保护范围之内。此外，尽管本说明书中使用了一些特定的术语，但这些术语只是为了方便说明，并不对本发明构成任何限制。