一种室外配电电缆低压派接箱保护壳体及其制备方法与流程

文档序号：11510955阅读：381来源：国知局

本发明属于薄膜材料沉积制备领域，特别涉及一种室外配电电缆低压派接箱保护壳体及其制备方法。

背景技术：

如何解决室外配电电缆低压派接箱保护壳体易生锈难题，传统室外配电电缆低压派接箱保护壳体采用金属材料制造的配电电缆低压派接箱保护壳体。但金属材料制造的配电电缆低压派接箱保护壳体在使用过程中存在有以下几个问题：(1)、自身导电，存在安全隐患；(2)、耐腐蚀性差，使用寿命短；(3)、锈蚀严重，涂层易剥落，严重影响环境美观。

室外配电电缆低压派接箱保护壳体长期暴露在自然环境中，长期经受暴晒、风沙、雨雪及酸雨等气象灾害的破坏，传统的室外配电电缆低压派接箱保护壳体在太阳暴晒后会放出苯乙烯及玻璃纤维飞散扩散到空气中，污染环境，经历雨雪和酸雨过后易生锈，受到腐蚀后表面易脱落。

技术实现要素：

本发明所要解决的技术问题在于提供一种室外配电电缆低压派接箱保护壳体及其制备方法。在室外配电电缆低压派接箱保护壳体表面喷涂纳米级别的tisin/mgo双层保护薄膜，该tisin/mgo双层保护薄膜绿色环保，耐热性能好，热导率低、膨胀系数小优异的抗老化性能。而且该材料全绝缘，使用安全，进一步的解决了室外配电电缆低压派接箱保护壳体易生锈难题。

本发明是通过以下技术方案实现的：

一种室外配电电缆低压派接箱保护壳体，所述室外配电电缆低压派接箱保护壳体表面由内向外依次沉积mgo保护薄膜和tisin保护薄膜，得到具有tisin/mgo双层保护薄膜的室外配电电缆低压派接箱保护壳体，mgo保护薄膜的厚度300nm～500nm，tisin保护薄膜的厚度400nm～800nm。

一种室外配电电缆低压派接箱保护壳体的制备方法，该方法包括如下的步骤：

(1)室外配电电缆低压派接箱保护壳体擦拭干净后，氮气吹干；

(2)在室外配电电缆低压派接箱保护壳体表面沉积制备tisin/mgo双层保护薄膜：取步骤1)室外配电电缆低压派接箱保护壳体在其表面沉积制备mgo保护薄膜，在mgo保护薄膜的基础上沉积制备tisin保护薄膜；最终得到具有tisin/mgo双层保护薄膜的室外配电电缆低压派接箱保护壳体。

进一步，所述制备mgo保护薄膜，采用磁控溅射设备沉积制备mgo保护薄膜，其反应条件和实验参数为：以高纯度mgo作为溅射靶材，通入高纯度氧气，抽真空到10^-3pa～10^-4pa之间，氧气流量为60～120sccm，氩气流量为30～60sccm，氧气与氩气流量为2：1，溅射时间20min～80min,温度50～80℃，得到mgo保护薄膜。

进一步，所述制备tisin保护薄膜，在mgo保护薄膜的基础上制备tisin保护薄膜；其反应条件和实验参数为：以高纯ti和高纯si为溅射靶材，抽真空到10^-3pa～10^-4pa之间，氮气流量60sccm～200sccm，氩气流量为30～40sccm，氮气与氩气流量比例为n2:ar＝2：1～5：1，喷涂时间10min～60min,温度30～60℃，得到tisin保护薄膜。

进一步，mgo保护薄膜的厚度为300nm～500nm，tisin保护薄膜的厚度为为400nm～800nm。

本发明与现有技术相比，有益效果在于：

1、本发明在一种室外配电电缆低压派接箱保护壳体表面喷涂纳米级别的tisin/mgo双层保护薄膜，解决室外配电电缆低压派接箱保护壳体易生锈难题，该tisin/mgo双层保护薄膜具有耐酸碱，抗腐蚀，材料防火阻燃优异，经国家权威机构检测该材料为b级不燃性材料。

2、本发明采用tisin保护薄膜配合mgo保护薄膜涂层具有比重轻、抗腐蚀、耐老化、密封性能好，安全美观，具有全天候防护功能，能够满足室外工程项目中各种恶劣环境和场所的需要，克服了户外金属配电电缆低压派接箱保护壳体的易锈蚀、寿命短和隔热保温性能差等缺陷。

3、本发明tisin/mgo双层保护薄膜绿色环保，耐热性能好，热导率低、膨胀系数小优异的抗老化性能，而且该材全绝缘，使用安全料。

附图说明

图1为实施例1的tisin/mgo双层保护薄膜原子力分析的表面形貌。

图2为实施例2的tisin/mgo双层保护薄膜原子力分析的表面形貌。

图3为本发明方法得到的实施例2的tisin薄膜xrd测试图谱。

具体实施方式

一种室外配电电缆低压派接箱保护壳体，所述室外配电电缆低压派接箱保护壳体表面由内向外依次沉积mgo保护薄膜和tisin保护薄膜，得到具有tisin/mgo双层保护薄膜的室外配电电缆低压派接箱保护壳体，mgo保护薄膜的厚度为300nm～500nm，tisin保护薄膜的厚度为为400nm～800nm。

下面结合具体实施例，对本发明进行进一步详细说明。

实施例1

(1)室外配电电缆低压派接箱保护壳体擦拭干净后，氮气吹干；

(2)室外配电电缆低压派接箱保护壳体表面沉积制备tisin/mgo双层保护薄膜：首先采用磁控溅射设备在室外配电电缆低压派接箱保护壳体表面沉积制备mgo保护薄膜，其反应条件和实验参数为：以高纯度mgo作为溅射靶材，高纯mgo靶材纯度为99.99％，通入高纯度氧气，抽真空到10^-3pa之间，氧气流量为60sccm，氩气流量为30sccm，氧气流量和氩气流量均由质量流量计控制，氩气的纯度为99.99％，氧气的纯度为99.99％，氧气与氩气流量为2：1，溅射时间20min,温度50℃，得到mgo保护薄膜，mgo保护薄膜的厚度为300nm；

在mgo保护薄膜的基础上制备tisin保护薄膜；其反应条件和实验参数为：以高纯ti和高纯si为溅射靶材，高纯ti靶材的纯度为99.99％，高纯si靶材纯度为99.99％，抽真空到10^-3pa之间，氮气流量60sccm，氩气流量为30，氮气流量和氩气流量均由质量流量计控制，氮气与氩气流量比例为n2:ar＝2：1，喷涂时间10min,温度30℃，得到tisin保护薄膜，tisin保护薄膜的厚度为400nm；