本发明属于电路板处理剂技术领域，涉及一种化学铜活化剂及制备方法。
背景技术：
pcb(printedcircuitboard)，中文名称为印制电路板，又称印刷线路板，是重要的电子部件，是电子元器件的支撑体，是电子元器件电气连接的载体。由于它是采用电子印刷术制作的，故被称为“印刷”电路板。
近年来，随着整个电子行业的飞速发展，电子产品越来越轻、薄，高端线路板也快速向多高层、薄、高阶盲埋孔、填孔方向发展，因此对通孔化学镀提出更高的要求，对通孔化学镀的加工工艺包括水平线和垂直线，传统通孔化学铜垂直线的加工工艺满足不了高端线路板的品质要求，而水平线设备因为对薄板传输以及对通孔溶液交换良好的优势渐渐成为行业的新选择。与此同时，传统化学铜的活化工艺应用在水平线设备上，也会产生一些新的问题和困难，其一是溶液的稳定性的问题，其二是活化反应速度的问题，普通的活化溶液需要较长的时间处理，才能在非金属材料的通孔孔壁吸附足够量的金属钯，保证孔壁在化学铜沉积时的完整镀覆催化。较长的处理时间意味着更长的水平线生产设备，而整个设备投资和场地的限制对行业水平线设备化学镀的活化溶液技术进行升级提出了新的要求。
技术实现要素：
针对现有技术的不足，本发明的目的之一在于提供一种化学铜活化剂，其稳定剂好，活化处理时间短，15～60s的条件下即可满足品质要求。
为达此目的，本发明采用以下技术方案：
一种化学铜活化剂，包括如下物质：浓度为100～1000ppm的硫酸钯、质量浓度为0.1～10g/l的稳定剂以及质量浓度为0.5～5g/l的加速剂。
本发明中，硫酸钯的浓度为100～1000ppm，例如硫酸钯的浓度为100ppm、110ppm、120ppm、130ppm、140ppm、150ppm、160ppm、170ppm、180ppm、190ppm、200ppm、210ppm、220ppm、230ppm、240ppm、250ppm、260ppm、270ppm、280ppm、290ppm、300ppm、350ppm、400ppm、450ppm、500ppm、550ppm、600ppm、650ppm、700ppm、750ppm、800ppm、850ppm、900ppm、950ppm、1000ppm，优选为150～750ppm。
本发明中，所述稳定剂的质量浓度为0.1～10g/l，例如稳定剂的质量浓度为0.1g/l、0.2g/l、0.3g/l、0.4g/l、0.5g/l、0.6g/l、0.7g/l、0.8g/l、0.9g/l、1g/l、2g/l、3g/l、4g/l、5g/l、6g/l、7g/l、8g/l、9g/l、10g/l，优选为1～5g/l。
本发明中，所述加速剂的质量浓度为0.5～5g/l，例如加速剂的质量浓度为0.5g/l、0.6g/l、0.7g/l、0.8g/l、0.9g/l、1g/l、2g/l、3g/l、4g/l、5g/l，优选为2～3g/l。
所述稳定剂为吡啶及吡啶衍生物。
所述吡啶及吡啶衍生物选自甲醇吡啶、甲基苯基吡啶和氨基吡啶中的一种或至少两种的混合物。典型但非限制性的混合物为两种稳定剂的混合物，例如甲醇吡啶、甲基苯基吡啶的混合物，甲醇吡啶、氨基吡啶的混合物，甲基苯基吡啶和氨基吡啶的混合物；所述混合物也可以为三种的混合物，例如甲醇吡啶、甲基苯基吡啶和氨基吡啶的混合物。
所述加速剂为三乙醇胺。
优选地，所述化学铜活化剂包括如下物质：浓度为150～750ppm的硫酸钯、质量浓度为1～5g/l的稳定剂以及质量浓度为2～3g/l的三乙醇胺，所述吡啶及吡啶衍生物选自甲醇吡啶、甲基苯基吡啶和氨基吡啶中的一种或至少两种的混合物。
优选地，所述化学铜活化剂包括如下物质：浓度为100～1000ppm的硫酸钯、质量浓度为0.1～10g/l的稳定剂以及质量浓度为0.5～5g/l的三乙醇胺，所述吡啶及吡啶衍生物选自甲醇吡啶、甲基苯基吡啶和氨基吡啶中的一种或至少两种的混合物。
优选地，所述化学铜活化剂包括如下物质：浓度为150～750ppm的硫酸钯、质量浓度为1～5g/l的稳定剂以及质量浓度为2～3g/l的三乙醇胺，所述吡啶及吡啶衍生物选自甲醇吡啶、甲基苯基吡啶和氨基吡啶中的一种或至少两种的混合物。
本发明的化学铜活化剂的组成除了上述原料以外，余量为去离子水。
本发明的目的之二在于提供一种化学铜活化剂的制备方法，所述制备方法为：在浓度为100～1000ppm的硫酸钯中加入质量浓度为0.1～10g/l的稳定剂以及质量浓度为0.5～5g/l的加速剂，混合均匀后得到所述化学铜活化剂。
优选地，所述制备方法为：在浓度为100～1000ppm的硫酸钯中加入质量浓度为0.1～10g/l的稳定剂以及质量浓度为0.5～5g/l的三乙醇胺，混合均匀后得到所述化学铜活化剂。
与现有技术相比，本发明的有益效果为：
(1)本发明的化学铜活化剂的稳定剂好，可在水平线剧烈搅拌条件下连续生产30天。
(2)本发明的化学铜活化剂的活化处理时间大幅降低，在处理时间为15～60s的条件下即可满足品质要求。
具体实施方式
下面通过具体实施方式来进一步说明本发明的技术方案。
实施例1
本实施例的化学铜活化剂，包括如下物质：浓度为100ppm的硫酸钯、质量浓度为0.1g/l的甲醇吡啶以及质量浓度为0.5g/l的三乙醇胺，余量为去离子水。
本实施例的化学铜活化剂的稳定剂好，可在水平线剧烈搅拌条件下连续生产30天；本实施例的化学铜活化剂的活化处理时间大幅降低，在处理时间为60s的条件下即可满足品质要求，即在通孔孔壁吸附足够量的金属钯，保证孔壁在化学铜沉积时的完整镀覆催化。
实施例2
本实施例的化学铜活化剂，包括如下物质：浓度为200ppm的硫酸钯、质量浓度为0.1g/l的甲基苯基吡啶以及质量浓度为0.5g/l的三乙醇胺，余量为去离子水。
本实施例的化学铜活化剂的稳定剂好，可在水平线剧烈搅拌条件下连续生产30天；本实施例的化学铜活化剂的活化处理时间大幅降低，在处理时间为55s的条件下即可满足品质要求，即在通孔孔壁吸附足够量的金属钯，保证孔壁在化学铜沉积时的完整镀覆催化。
实施例3
本实施例的化学铜活化剂，包括如下物质：浓度为500ppm的硫酸钯、质量浓度为0.1g/l的甲醇吡啶、氨基吡啶的混合物以及质量浓度为0.5g/l的三乙醇胺，余量为去离子水。
本实施例的化学铜活化剂的稳定剂好，可在水平线剧烈搅拌条件下连续生产30天；本实施例的化学铜活化剂的活化处理时间大幅降低，在处理时间为60s的条件下即可满足品质要求，即在通孔孔壁吸附足够量的金属钯，保证孔壁在化学铜沉积时的完整镀覆催化。
实施例4
本实施例的化学铜活化剂，包括如下物质：浓度为1000ppm的硫酸钯、质量浓度为10g/l的甲醇吡啶以及质量浓度为5g/l的三乙醇胺，余量为去离子水。
本实施例的化学铜活化剂的稳定剂好，可在水平线剧烈搅拌条件下连续生产30天；本实施例的化学铜活化剂的活化处理时间大幅降低，在处理时间为20s的条件下即可满足品质要求，即在通孔孔壁吸附足够量的金属钯，保证孔壁在化学铜沉积时的完整镀覆催化。
实施例5
本实施例的化学铜活化剂，包括如下物质：浓度为800ppm的硫酸钯、质量浓度为10g/l的甲基苯基吡啶和氨基吡啶的混合物以及质量浓度为5g/l的三乙醇胺，余量为去离子水。
本实施例的化学铜活化剂的稳定剂好，可在水平线剧烈搅拌条件下连续生产30天；本实施例的化学铜活化剂的活化处理时间大幅降低，在处理时间为22s的条件下即可满足品质要求，即在通孔孔壁吸附足够量的金属钯，保证孔壁在化学铜沉积时的完整镀覆催化。
实施例6
本实施例的化学铜活化剂，包括如下物质：浓度为1000ppm的硫酸钯、质量浓度为10g/l的甲醇吡啶、甲基苯基吡啶和氨基吡啶的混合物以及质量浓度为5g/l的三乙醇胺，余量为去离子水。
本实施例的化学铜活化剂的稳定剂好，可在水平线剧烈搅拌条件下连续生产30天；本实施例的化学铜活化剂的活化处理时间大幅降低，在处理时间为15s的条件下即可满足品质要求，即在通孔孔壁吸附足够量的金属钯，保证孔壁在化学铜沉积时的完整镀覆催化。
实施例7
本实施例的化学铜活化剂，包括如下物质：浓度为500ppm的硫酸钯、质量浓度为5g/l的甲基苯基吡啶以及质量浓度为3g/l的三乙醇胺，余量为去离子水。
本实施例的化学铜活化剂的稳定剂好，可在水平线剧烈搅拌条件下连续生产30天；本实施例的化学铜活化剂的活化处理时间大幅降低，在处理时间为40s的条件下即可满足品质要求，即在通孔孔壁吸附足够量的金属钯，保证孔壁在化学铜沉积时的完整镀覆催化。
实施例8
本实施例的化学铜活化剂，包括如下物质：浓度为500ppm的硫酸钯、质量浓度为5g/l的甲醇吡啶、氨基吡啶的混合物以及质量浓度为3g/l的三乙醇胺，余量为去离子水。
本实施例的化学铜活化剂的稳定剂好，可在水平线剧烈搅拌条件下连续生产30天；本实施例的化学铜活化剂的活化处理时间大幅降低，在处理时间为45s的条件下即可满足品质要求，即在通孔孔壁吸附足够量的金属钯，保证孔壁在化学铜沉积时的完整镀覆催化。
实施例9
本实施例的化学铜活化剂，包括如下物质：浓度为200ppm的硫酸钯以及质量浓度为3g/l的三乙醇胺，余量为去离子水。
本实施例的化学铜活化剂的稳定剂好，可在水平线剧烈搅拌条件下连续生产20天；本实施例的化学铜活化剂的活化处理时间大幅降低，在处理时间为45s的条件下即可满足品质要求，即在通孔孔壁吸附足够量的金属钯，保证孔壁在化学铜沉积时的完整镀覆催化。
实施例10
本实施例的化学铜活化剂，包括如下物质：浓度为200ppm的硫酸钯以及质量浓度为5g/l的甲醇吡啶、氨基吡啶的混合物，余量为去离子水。
本实施例的化学铜活化剂的稳定剂好，可在水平线剧烈搅拌条件下连续生产15天；本实施例的化学铜活化剂的活化处理时间大幅降低，在处理时间为50s的条件下即可满足品质要求，即在通孔孔壁吸附足够量的金属钯，保证孔壁在化学铜沉积时的完整镀覆催化。
申请人声明，本发明通过上述实施例来说明本发明的详细工艺设备和工艺流程，但本发明并不局限于上述详细工艺设备和工艺流程，即不意味着本发明必须依赖上述详细工艺设备和工艺流程才能实施。所属技术领域的技术人员应该明了，对本发明的任何改进，对本发明产品各原料的等效替换及辅助成分的添加、具体方式的选择等，均落在本发明的保护范围和公开范围之内。