一种晶片的倒边方法与流程

本发明属于材料加工技术领域，尤其涉及一种晶片的倒边方法。

背景技术：

石英晶片是目前使用较为广泛的一种半导体材料。在制备石英晶片的工艺中，需要进行倒边，通常使用三种方法：1、利用研磨砂和石英晶片放入到滚筒内进行倒边；2、在石英晶片表面覆膜，与水、研磨砂、钢珠一起加入到滚筒内倒边；3、利用刻蚀的方法倒边。

然而，上述方法1在倒边过程中需要多次更换研磨砂，时间长，研磨砂的耗材多。方法2可以节省研磨砂的使用量和倒边时间，但是，在倒边之前需要在石英晶片表面覆膜，完成倒边后再脱膜，工序复杂繁琐。方法3需要精密的设备来实施刻蚀，设备成本高，目前效率低。

技术实现要素：

本发明提供一种晶片的倒边方法，旨在解决现有的倒边方法耗材多、工序繁琐，效率低的问题。

本发明提供一种晶片的倒边方法，包括：将晶片、研磨砂、研磨球和缓冲液混合，置于滚筒中，在转速为50-560rpm的条件下转动10-3000min，得到倒边后的晶片；

其中，晶片的数量与研磨砂的质量、研磨球的质量以及缓冲液的体积的比值为500-50000件：5-500g：10～500g：10～500mL；

缓冲液为分散剂和防锈剂的水溶液，其中分散剂、防锈剂和水的质量比为0.2～0.7：0.05～0.2：1～1000，分散剂为三乙基己基磷酸和聚丙烯酰胺中的至少一种，防锈剂为烷基醇酰胺和柠檬酸钠中的至少一种。

本发明实施例提供一种石英晶片的倒边方法，通过将、研磨砂、研磨球和缓冲液混合并与晶片在转速为50-560rpm的条件下滚动，得到倒边的晶片。该方法不需要更换研磨砂，操作流程简单，不仅减少材料的消耗，还可以大幅度的提高倒边效率。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例。

图1是本发明实施例提供的一种晶片的倒边的工艺示意图；

图2是本发明实施例5提供的倒边石英晶片的阻抗分布图。

具体实施方式

为使得本发明的发明目的、特征、优点能够更加的明显和易懂，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而非全部实施例。基于本发明中的实施例，本领域技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

本发明实施例提供一种晶片的倒边方法，包括：

将晶片、研磨砂、研磨球和缓冲液混合，置于滚筒中，在转速为50-560rpm的条件下转动10-30000min，得到倒边后的晶片；

其中，晶片的数量与研磨砂的质量、研磨球的质量以及缓冲液的体积的比值为500-50000件：5-500g：10～500g：10～500mL；

缓冲液为分散剂和防锈剂的水溶液，其中分散剂、防锈剂和水的质量比为0.2～0.7：0.05～0.2：1～1000，分散剂为三乙基己基磷酸和聚丙烯酰胺中的至少一种，防锈剂为烷基醇酰胺和柠檬酸钠中的至少一种。

本发明实施例提供一种晶片的倒边方法，通过将研磨砂、研磨球和缓冲液混合并与晶片在转速为50-560rpm的条件下滚动，得到倒边的晶片。如图1所示，图1为本发明实施例提供的晶片倒边工艺的示意图，该方法不需要更换研磨砂，操作流程简单，不仅减少耗材的消耗，还可以大幅度的提高倒边效率。

具体地，晶片为石英晶片、硅晶片、碳化硅晶片或氮化镓晶片等其它晶片，其尺寸为：长<3mm、宽<2mm和厚<0.2mm。优选地，晶片为石英晶片。

具体地，研磨砂为氧化铝、碳化硅、金属和研磨物料中的一种。其粒径为1～100微米。优选地，研磨砂的粒径为30～100微米。

具体地，研磨球为铜珠、钢珠和瓷珠中的至少一种，其直径为0.3～5mm。优选地，研磨球为包含直径为0.3～2.5mm的多个大小不一的钢珠。

优选地，在进行晶片倒边时的转速为200rpm，转动时间为100～1500min，更优选地，转动时间为500～1000min。

优选地，晶片的数量与研磨砂的质量、研磨球的质量以及缓冲液的体积的比值为2000件：20～80g：100～300g：100～300mL。

优选地，缓冲液中，三乙基己基磷酸、烷基醇酰胺与水的质量比为0.5：0.1：500，聚丙烯酰胺、柠檬酸钠与水的质量比为0.4：0.15：800。

实施例1

将2000片尺寸为0.6mm*0.4mm*0.03mm的石英晶片、5g研磨砂、10g研磨球以及10mL缓冲液混合，在转速为140rpm的条件下转动30min，得到倒边后的晶片，其中，缓冲液中，三乙基己基磷酸、烷基醇酰胺与水的质量比为0.5：0.1：500。

实施例2

将30000片尺寸为2mm*1.5mm*0.2mm的石英晶片、100g研磨砂、500g研磨球以及500mL缓冲液混合，在转速为260rpm的条件下转动2000min，得到倒边后的晶片，其中，缓冲液中，聚丙烯酰胺、柠檬酸钠与水的质量比为0.2：0.05：1。

实施例3

将5000片尺寸为1mm*1mm*0.05mm的石英晶片、50g研磨砂、80g研磨球以及100mL缓冲液混合，在转速为200rpm的条件下转动500min，得到倒边后的晶片，其中，缓冲液中，聚丙烯酰胺、烷基醇酰胺与水的质量比为0.4：0.15：800。

实施例4

将10000片尺寸为1.2mm*1.5mm*0.08mm的石英晶片、80g研磨砂、100g研磨球以及150mL缓冲液混合，在转速为250rpm的条件下转动300min，得到倒边后的晶片，其中，缓冲液中，三乙基己基磷酸、柠檬酸钠与水的质量比为0.4：0.15：800。

实施例5

将8000片尺寸为1mm*1mm*0.05mm的石英晶片、50g研磨砂、80g研磨球以及100mL缓冲液混合，在转速为180rpm的条件下转动200min，得到倒边后的晶片，其中，缓冲液中，三乙基己基磷酸、柠檬酸钠与水的质量比为0.4：0.15：800。

统计实施例5倒边后的石英晶片边缘对称性好，组装成的成品电气参数好，其中阻抗分布图如图2所示，由图2可见，实施例1制备得到的石英晶片组装成品后，产品的阻抗一致性好。

以上所述仅为本发明的较佳实施例而已，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。