本发明涉及一种硅基oled微显示器的对位装置及应用该对位装置的制作系统。
背景技术：
硅基oled微显示器的功耗低、对比度高、响应速度快，可实现高ppi(pixelsperinch)和高刷新频率，广泛应用于头盔显示、立体显示和便携式显示等高端消费vr/ar领域。硅基oled微显示器的背板为单晶硅，具有电子迁移率高，集成电路cmos制程良率高等诸多优点。
传统玻璃基oled器件在蒸镀过程中，蒸发源位于蒸镀腔室的底部，位于蒸镀腔室顶部的对位镜头通过抓取玻璃基底和掩膜板的对位点图案进行对位。因硅基背板为不透明基底，所以在蒸镀过程中，位于蒸镀腔室顶部的对位镜头无法透过硅基底抓取到掩膜板表面的对位点图案，从而无法进行对位。
有鉴于此，确有必要对现有的硅基oled微显示器对位装置进行改进，以解决上述问题。
技术实现要素：
本发明的目的在于提供一种硅基oled微显示器的对位装置，该对位装置不仅能够实现硅基底与掩膜板的高精度对位，而且对位精度高、设备和人员成本低、工艺简单，可简化产业化过程。
为实现上述目的，本发明提供了一种硅基oled微显示器的对位装置，包括硅基底、对位组件以及位于所述硅基底下方的掩膜板，所述对位组件包括位于所述硅基底上方的对位激光和位于所述掩膜板下方的激光定位件，所述对位激光与所述激光定位件相对设置，所述硅基底上开设有贯穿所述硅基底的第一孔，所述掩膜板上对应开设有第二孔，以便所述对位激光透过所述第一孔和第二孔，与所述激光定位件进行激光对位。
作为本发明的进一步改进，所述第一孔的尺寸与所述第二孔的尺寸相同。
作为本发明的进一步改进，所述第二孔贯穿所述掩膜板设置。
作为本发明的进一步改进，所述第一孔与所述第二孔均通过刻蚀形成。
作为本发明的进一步改进，所述第一孔和所述第二孔均呈规则形状设置。
作为本发明的进一步改进，所述第一孔和所述第二孔均呈圆形设置。
作为本发明的进一步改进，所述第一孔开设于所述硅基底的两端边缘处，所述第二孔对应开设于所述掩膜板的两端边缘处。
作为本发明的进一步改进，所述对位激光为he-ne(氦氖)气体激光器。
作为本发明的进一步改进，所述激光定位件的底部设有磁性底座。
本发明的目的还在于提供一种硅基oled微显示器的制作系统，该制作系统不仅能够实现硅基底与掩膜板的高精度对位，而且对位精度高、设备和人员成本低、工艺简单，可简化产业化过程。
为实现上述目的，本发明提供了一种硅基oled微显示器的制作系统，包括蒸镀腔室、位于所述蒸镀腔室内的蒸发源以及前述硅基oled微显示器的对位装置，所述硅基oled微显示器的对位装置收容于所述蒸镀腔室内，且所述硅基底、所述掩膜板及所述对位激光均位于所述蒸发源的上方，所述激光定位件位于所述蒸发源的下方。
本发明的有益效果是：本发明的硅基oled微显示器的对位装置及制作系统，通过在硅基底的上方设置对位激光、在掩膜板的下方设置激光定位件，同时在所述硅基底上开设第一孔、在所述掩膜板上对应开设第二孔，从而所述对位激光可透过所述第一孔和第二孔与所述激光定位件进行激光对位，进而实现所述硅基底与所述掩膜板的高精度对位，而且对位精度高、设备和人员成本低、工艺简单，可简化产业化过程。
附图说明
图1是本发明硅基oled微显示器的对位装置的结构示意图。
图2是图1中硅基底的结构示意图。
图3是图1中掩膜板的结构示意图。
图4是图1中硅基板与掩膜板完成对位时，对位激光抓取到的对位图像。
图5是图1中硅基板与掩膜板对位时，对位激光抓取到的对位图像。
图6是图1中硅基板与掩膜板对位时，对位激光抓取到的对位图像。
图7是图1中硅基板与掩膜板对位时，对位激光抓取到的对位图像。
图8是图1中硅基板与掩膜板对位时，对位激光抓取到的对位图像。
具体实施方式
为了使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，下面结合附图和具体实施例对本发明进行详细描述。
请参阅图1至图3所示，本发明揭示了一种硅基oled微显示器的对位装置及应用该对位装置的制作系统。所述对位装置包括硅基底10、对位组件以及位于所述硅基底10下方的掩膜板20，所述对位组件包括位于所述硅基底10上方的对位激光31和位于所述掩膜板20下方的激光定位件32，所述对位激光31与所述激光定位件32相对设置，以便所述激光定位件32能够接收到所述对位激光31发出的激光束。
所述硅基oled微显示器的制作系统包括蒸镀腔室(未图示)以及位于所述蒸镀腔室内的蒸发源(未图示)和所述对位装置，所述蒸发源设于所述蒸镀腔室的底部。所述对位装置收容在所述蒸镀腔室内，且所述硅基底10、所述掩膜板20以及所述对位激光31均位于所述蒸发源的上方，所述激光定位件32位于所述蒸发源的下方。当然，所述激光定位件32也可设置成与所述蒸发源处于同一平面，只要能够实现与所述对位激光31的激光对位即可，于此不再对所述激光定位件32的具体位置进行限定。
具体来讲，所述对位激光31位于所述蒸镀腔室的顶部，所述掩膜板20靠近所述蒸发源设置，以在蒸发源开启的状态下，对所述硅基底10进行蒸镀；所述激光定位件32位于所述蒸发源的下方并与所述对位激光31相对应设置。
所述硅基底10上开设有贯穿所述硅基底10的第一孔11，所述掩膜板20上对应开设有贯穿所述掩膜板20的第二孔21，且所述第一孔11的尺寸与所述第二孔21的尺寸相同，从而所述对位激光31可透过所述第一孔11和第二孔21，与所述激光定位件32进行激光对位，进而实现所述硅基底10与所述掩膜板20的高精度对位。
本发明中，所述第一孔11开设于所述硅基底10的两端边缘处，所述第二孔21对应开设于所述掩膜板20的两端边缘处，且所述第一孔11与所述第二孔21均通过刻蚀形成。相应地，所述对位激光31与所述激光定位件32也分别设置有两个，以与所述第一孔11和第二孔21相对应。当然，所述第一孔11、第二孔21、对位激光31及激光定位件32的数量可以根据实际需要设置为3个或以上(至少两个)，以进一步提高所述硅基底10与所述掩膜板20的对位准确性。
所述第一孔11与所述第二孔21均呈规则形状设置，且具体呈圆形设置；当然，所述第一孔11与所述第二孔21也可呈其它规则形状设置，如方形。
本实施例中，所述第二孔21贯穿所述掩膜板20设置；当然，在其他实施例中，所述第二孔21也可呈半蚀孔状设置，此时，所述掩膜板20需要设置成很薄，以便所述对位激光31发出的激光束能够穿过所述第一孔11和所述掩膜板20，继而实现所述硅基底10与所述掩膜板20的高精度对位。
本发明中，所述对位激光31为he-ne(氦氖)气体激光器，该he-ne(氦氖)气体激光器发出的光是632.8nm的红光，是一条高清晰度、易于分辨的激光束。所述激光定位件32为激光定位准直仪光靶，且位于所述第二孔21的正下方，所述激光定位件32的底部设有磁性底座，从而该激光定位件32可以稳定的放置在所述蒸发源的下方。在对位完成后，所述激光定位件32还可通过其他结构进行遮盖，以防蒸镀过程中蒸镀材料对其产生影响。
请参阅图4所示，为所述硅基底10与所述掩膜板20进行对位时，所述对位激光31抓取到的对位图像。图中的黑色圆点即为所述激光定位件32，当所述对位激光31抓取到的对位图像如图4所示时，表示所述硅基底10与所述掩膜板20完成对位，且对位精度高。当然，在所述对位激光31抓取到的对位图像中，若只能看到部分黑色圆点，则说明所述硅基板10与所述掩膜板20没有完全对位，此时需要对所述硅基板10(或所述掩膜板20)的位置进行调整，直至黑色圆点全部出现在对位图像中。
所述硅基oled微显示器的制作系统还包括设置在所述蒸镀腔室内的移动控制台和用于控制所述移动控制台移动的控制装置。所述掩膜板20固定不动，所述硅基底10放置在所述移动控制台上，所述控制装置位于所述蒸镀腔室的外部，从而可根据所述对位激光31抓取到的对位图像来选择性控制所述移动控制台，继而控制所述移动控制台带动所述硅基底10移动，直至所述对位激光31抓取到的对位图像与图4所示的对位图像相符合，此时即完成所述硅基底10与所述掩膜板20的自动对位。当然，也可根据实际需要将所述硅基底10设置为固定不动、将所述掩膜板20放置在所述移动控制台上，以实现所述移动控制台带动所述掩膜板20移动。
具体来讲，当所述硅基底10与所述掩膜板20进行对位时，首先所述对位激光31发出激光束，同时对所述第一孔11和第二孔21呈现出的对位图像进行抓取；然后，所述对位激光31将抓取到的对位图像传送给所述控制装置，所述控制装置根据接收到的对位图像对所述第一孔11和第二孔21的圆周进行抓取，同时进行圆心的计算；最后，若所述第一孔11的圆心与所述第二孔21的圆心重合，则说明所述硅基底10与所述掩膜板20已完成对位；若所述第一孔11的圆心与所述第二孔21的圆心不重合，此时，所述控制装置需要控制所述移动控制台带动所述硅基底10(或所述掩膜板20)进行上、下、左、右的对应移动，直至所述第一孔11的圆心与所述第二孔21的圆心重合。
当所述对位激光31抓取到的对位图像如图5所示时，说明所述硅基底10位置偏右，此时控制装置需要控制所述移动控制台带动所述硅基底10向左移动，以进行位置的调整。
当所述对位激光31抓取到的对位图像如图6所示时，说明所述硅基底10位置偏左，此时控制装置需要控制所述移动控制台带动所述硅基底10向右移动，以进行位置的调整。
当所述对位激光31抓取到的对位图像如图7所示时，说明所述硅基底10位置偏下，此时控制装置需要控制所述移动控制台带动所述硅基底10向上移动，以进行位置的调整。
当所述对位激光31抓取到的对位图像如图8所示时，说明所述硅基底10位置偏上，此时控制装置需要控制所述移动控制台带动所述硅基底10向下移动，以进行位置的调整。
本发明通过激光进行对位，配合高位置精度的移动控制台和高分辨率的对位激光，可100％实现所述硅基底10与所述掩膜板20的自动对位，且对位精度可达0.1um。
值得一提的是：本发明中，所述蒸镀腔室内还设置有遮挡装置，在所述硅基底10与所述掩膜板20完成对位后，所述遮挡装置会对所述对位激光31进行遮挡，之后再进行所述硅基底10的蒸镀。所述遮挡装置可以是设置在所述对位激光31上的盖；也可以是设置在所述蒸镀腔室内的挡板，且在所述对位激光31完成对位后，所述挡板可移动至所述对位激光31的位置处，对所述对位激光31进行遮挡。相较于现有技术，可避免蒸镀腔室环境对光路、对位精度和镜头分辨率的影响，对位精度高。
综上所述，本发明的硅基oled微显示器的对位装置及制作系统，通过在所述硅基底10的上方设置对位激光31、在所述掩膜板20的下方设置激光定位件32，同时在所述硅基底10上开设第一孔11、在所述掩膜板20上对应开设第二孔21，从而所述对位激光31可透过所述第一孔11和第二孔21与所述激光定位件32进行激光对位，进而实现所述硅基底10与所述掩膜板20的高精度对位，而且对位精度高、设备和人员成本低、工艺简单，可简化产业化过程。
以上实施例仅用以说明本发明的技术方案而非限制，尽管参照较佳实施例对本发明进行了详细说明，本领域的普通技术人员应当理解，可以对本发明的技术方案进行修改或者等同替换，而不脱离本发明技术方案的精神和范围。