技术特征：
技术总结
本发明提出了一种含硅组件的制造方法，包括：步骤S1，选取含硅组件薄膜；步骤S2，在所述的含硅组件薄膜上沉积蚀刻掩膜；步骤S3，光刻；步骤S4，通入含氟混合气体，电离形成离子层，进行离子蚀刻，其中，所述的含氟混合气体中混有O2及N2，所述的O2及N2的物质的量占含氟混合气体总物质的量20％以上。本技术方案中的含硅组件最低可以达到0.4dB/m的损耗，含硅组件的损耗大大降低，极大的提升了含硅组件的性能并开辟了新的应用领域。
技术研发人员：纪幸辰
受保护的技术使用者：深圳市硅光半导体科技有限公司
技术研发日：2018.07.25
技术公布日：2018.12.07