技术特征：
技术总结
一种在N型化合物半导体材料表面形成欧姆接触的合金靶材及其制备方法。具体涉及一种在N型化合物半导体材料表面形成欧姆接触的铟金合金靶材及其制备方法。提供了一种附着性好、塑性好、制备方法简单的铟金合金靶材及其制备方法。本发明相比于金锗合金，使用铟金合金靶材可在砷化镓表面直接形成良好的欧姆接触。同时，利用本发明制备方法制得的铟金合金的断后伸长率可达23.5‑30%，塑性好，可根据不同场合的需求加工成所需形状。
技术研发人员：不公告发明人
受保护的技术使用者：江苏环奥金属材料科技有限公司
技术研发日：2018.08.03
技术公布日：2018.12.07