碳化硅平面的芬顿反应和洛伦兹力协同抛光方法与流程

文档序号:18946092发布日期:2019-10-23 01:36阅读:来源:国知局

技术特征:

技术总结
一种碳化硅平面的芬顿反应和洛伦兹力协同抛光方法,碳化硅平面抛光通过低压磨粒流实现;低压磨粒流的流道顶面倾斜角度可调,通过更换置于加工装置内的角度块零件实现;芬顿反应是对碳化硅工件的表面预处理,在抛光前通过芬顿反应使碳化硅工件表面生成二氧化硅薄层,降低工件表面硬度;洛伦兹力为磁场对带电磨粒的作用力;磁场为置于加工装置后方的电磁铁所产生的平行于工件表面且垂直于磨粒流流动方向的强度可调均匀磁场,在所述磁场的作用下,流场中运动的带正电磨粒受到垂直指向工件表面的洛伦兹力作用,向工件表面运动;带正电磨粒为表面带正电荷的氧化铝磨粒。本发明抛光后工件表面粗糙度均匀、表面质量高、加工效率高。

技术研发人员:赵军;彭浩然;方海东
受保护的技术使用者:浙江工业大学
技术研发日:2019.05.27
技术公布日:2019.10.22
当前第2页1 2 
网友询问留言 已有0条留言
  • 还没有人留言评论。精彩留言会获得点赞!
1