1.一种掩膜板，其特征在于，包括至少两层：第一掩膜层和第二掩膜层；
所述第一掩膜层含有残余拉应力的第一材料；所述第二掩膜层含有残余压应力的第二材料；
所述第一掩膜层和第二掩膜层都保留了其在刚性基板上形成时残余应力的特征；当所述掩膜板释放其内部残余应力，所述第二掩膜层横向膨胀，所述第一掩膜层横向收缩，所述掩膜板被残余应力共同作用达到最低的应变能状态。
2.根据权利要求1所述的一种掩膜板，其特征在于，所述第一材料为氮化硅，所述第二材料为二氧化硅。
3.根据权利要求1或2所述的一种掩膜板，其特征在于，所述第一掩膜层的厚度为50nm，残余拉应力1gpa。
4.根据权利要求1或2所述的一种掩膜板，其特征在于，所述第二掩膜层的厚度为1微米，残余压应力400mpa。
5.一种掩膜板的制备方法，其特征在于，包括：
基板，该基板可提供刚性特征；
在所述基板上形成掩膜板；
所述掩膜板，包括至少两层：第一掩膜层和第二掩膜层；
所述第一掩膜层含有残余拉应力的第一材料；所述第二掩膜层含有残余压应力的第二材料；
所述第一掩膜层和第二掩膜层都保留了其在刚性基板上形成时残余应力的特征；当所述掩膜板释放其内部残余应力，所述第二掩膜层横向膨胀，所述第一掩膜层横向收缩，所述掩膜板被残余应力共同作用达到最低的应变能状态；
所述掩膜板上形成至少一个开口；所述开口贯穿所述掩膜板，所述开口形成所需的图案；
所述基板在所述掩膜板形成后去除。
6.根据权利要求5所述的一种掩膜板的制备方法，其特征在于，所述形成掩膜板的方法为：低压化学气相沉积、原子层外延、等离子体增强化学气相沉积、或溅射。
7.根据权利要求5所述的一种掩膜板的制备方法，其特征在于，去除基板的方法为：光刻和反应离子刻蚀。
8.一种掩膜板的应用，其特征在于，权利要求1-4任一权利要求所述的掩膜板用于蒸镀。