技术特征：
1.一种蒸发源装置，配备有：收容部，所述收容部收容成膜材料；以及筒状的喷嘴部，所述喷嘴部具有用于排出被收容于所述收容部的成膜材料之中的因加热而气化了的成膜材料的开口，所述喷嘴部从所述收容部的外壁突出，其特征在于，在所述喷嘴部的外侧侧面，施加用于降低成膜材料的附着量的涂层。2.如权利要求1所述的蒸发源装置，其特征在于，还配备有壳体，所述壳体以使所述喷嘴部的至少前端露出于外部的方式包围所述喷嘴部的外侧侧面以及所述收容部，在所述壳体中的所述喷嘴部的外侧侧面的周围的区域，施加所述涂层。3.如权利要求1所述的蒸发源装置，其特征在于，还配备有反射器，所述反射器与所述喷嘴部的外侧侧面相对地设置，在所述反射器上施加所述涂层。4.如权利要求1所述的蒸发源装置，其特征在于，还配备有：壳体，所述壳体以使所述喷嘴部的至少前端露出于外部的方式包围所述喷嘴部的外侧侧面以及所述收容部；以及反射器，所述反射器与所述喷嘴部的外侧侧面相对地设置于所述喷嘴部与所述壳体中的所述喷嘴部的外侧侧面的周围的区域之间，在所述壳体中的所述喷嘴部的外侧侧面的周围的区域、以及所述反射器上，施加所述涂层。5.一种蒸发源装置，配备有：收容部，所述收容部收容成膜材料；筒状的喷嘴部，所述喷嘴部具有用于排出被收容于所述收容部的成膜材料之中的因加热而气化了的成膜材料的开口，所述喷嘴部从所述收容部的外壁突出；以及壳体，所述壳体以使所述喷嘴部的至少前端露出于外部的方式包围所述喷嘴部的外侧侧面以及所述收容部，其特征在于，至少在所述壳体中的所述喷嘴部的外侧侧面的周围的区域，施加用于降低成膜材料的附着量的涂层。6.如权利要求5所述的蒸发源装置，其特征在于，所述喷嘴部被配置成从所述收容部的上壁突出，在所述壳体之中的与所述收容部的所述上壁相对的部分的上表面，施加所述涂层。7.如权利要求5或6所述的蒸发源装置，其特征在于，所述壳体具有壳体开口部，所述喷嘴部插入贯通于所述壳体开口部，在所述壳体开口部处包围所述喷嘴部的外侧侧面的内周面，施加所述涂层。8.如权利要求5或6所述的蒸发源装置，其特征在于，所述壳体具有以包围所述喷嘴部的外侧侧面的方式设置的壳体筒状部，在所述壳体筒状部，施加所述涂层。9.如权利要求8所述的蒸发源装置，其特征在于，
所述壳体具有与所述收容部的上表面相对的上壁部、以及设置于所述上壁部的壳体开口部，所述喷嘴部插入贯通于所述壳体开口部，所述壳体筒状部以使在所述壳体开口部处包围所述喷嘴部的外侧侧面的内周面在所述喷嘴部的突出方向上延伸的方式从所述上壁部突出，在所述内周面中的因所述壳体筒状部而延伸出的区域、所述壳体筒状部的前端面、所述壳体筒状部的外侧侧面之中的至少任一处，施加所述涂层。10.如权利要5或6所述的蒸发源装置，其特征在于，在所述喷嘴部的外侧侧面之中的比所述壳体向外侧露出的部分，施加所述涂层。11.一种蒸发源装置，配备有：收容部，所述收容部收容成膜材料；筒状的喷嘴部，所述喷嘴部具有用于排出被收容于所述收容部的成膜材料之中的因加热而气化了的成膜材料的开口，所述喷嘴部从所述收容部的外壁突出；以及反射器，所述反射器与所述喷嘴部的外侧侧面相对地设置，其特征在于，至少在所述反射器上，施加用于降低成膜材料的附着量的涂层。12.如权利要求11所述的蒸发源装置，其特征在于，在所述反射器之中的与所述喷嘴部的外侧侧面相对的面，施加所述涂层。13.如权利要求11或12所述的蒸发源装置，其特征在于，所述反射器具有以包围所述喷嘴部的外侧侧面的方式设置的筒状部，在所述筒状部的前端面以及外侧侧面，施加所述涂层。14.如权利要求11或12所述的蒸发源装置，其特征在于，还配备有加热机构，所述加热机构配置在所述喷嘴部的外侧侧面与所述反射器之间。15.如权利要求1～6、11、12之中的任一项所述的蒸发源装置，其特征在于，还具有对所述收容部以及所述喷嘴部之中的至少一方进行加热的加热机构。16.如权利要求1～6、11、12中的任一项所述的蒸发源装置，其特征在于，在所述喷嘴部的前端面，也施加所述涂层。17.如权利要求1～6、11、12中的任一项所述的蒸发源装置，其特征在于，所述涂层由己烷接触角在40度以上的材料形成。18.如权利要求17所述的蒸发源装置，其特征在于，所述材料是dlc(diamond like carbon：类金刚石碳)或含氟的碳(碳氟化合物)。19.如权利要求1～6、11、12中的任一项所述的蒸发源装置，其特征在于，所述涂层具有100℃以上的耐热性。20.如权利要求1～6、11、12中的任一项所述的蒸发源装置，其特征在于，配备有多个所述喷嘴部。21.如权利要求20所述的蒸发源装置，其特征在于，多个所述喷嘴部在与相对于基板的扫描方向正交的方向上排列。22.如权利要求1～6、11、12中的任一项所述的蒸发源装置，其特征在于，所述喷嘴部的所述开口为在与相对于基板的扫描方向正交的方向上长的形状。23.一种成膜装置，其特征在于，配备有：
腔室；以及权利要求1～22中任一项所述的蒸发源装置，所述蒸发源装置配备在所述腔室内，对设置于所述腔室内的基板进行成膜。24.一种成膜方法，其特征在于，利用权利要求23所述的成膜装置对基板进行成膜。25.一种电子器件的装置方法，其特征在于，具有利用权利要求24所述的成膜方法在基板上形成有机膜的工序。
技术总结
本发明提供一种能够利用蒸发源周边的涂层抑制成膜品质的降低的技术。本发明的蒸发源装置(4)配备有：收容成膜材料(40)的收容部(46)；以及筒状的喷嘴部(47)，所述喷嘴部(47)具有用于排出被收容于收容部(46)的成膜材料(40)之中的因加热而气化了的成膜材料(40)的开口，所述喷嘴部(47)从收容部(46)的外壁突出，其特征在于，在喷嘴部(47)的外侧侧面(472)，施加用于降低成膜材料(40)的附着量的涂层(71)。涂层(71)。涂层(71)。
技术研发人员：寺田匡宏 市原正浩 菅原洋纪
受保护的技术使用者：佳能特机株式会社
技术研发日：2022.01.11
技术公布日：2022/7/19