一种新型腔内陶瓷环的制作方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及一种半导体镀膜设备用的晶圆承载机构，该承载机构为一种新型腔内陶瓷环，主要应用于半导体镀膜设备反应腔内常温或高温工艺过程中，属于半导体薄膜沉积的应用技术领域。
【背景技术】
[0002]现有的半导体镀膜设备的晶圆承载陶瓷环的边缘为尖角，在高温工艺过程中，尖角边缘易造成电荷堆积，易造成尖端放电，形成电弧放电现象，对工艺结果造成负面影响，并可能损伤腔内硬件。
【发明内容】
[0003]本发明以解决上述问题为目的，设计了一种新型腔内陶瓷环，较好地解决了工艺过程中的尖端放电的问题。
[0004]为实现上述目的，本发明采用下述技术方案:一种新型腔内陶瓷环，是将陶瓷环边缘尖角加工成圆角，利用圆弧过渡防止电荷堆积。其具体结构:它包括:晶圆(1)、热盘(2)及陶瓷环(3)。所述陶瓷环(3)的边缘加工有圆角，圆角包括陶瓷环外缘上角(4)、陶瓷环外缘下角(5)、陶瓷环内缘上角(10)及陶瓷环内缘下角(7)。
[0005]所述陶瓷环外缘上角(4)、陶瓷环外缘下角(5)、陶瓷环内缘上角(10)及陶瓷环内缘下角(7)其圆角的半径在0.5mm-2mm0
[0006]本发明的有益效果及特点在于:
[0007]1、结构简单，易加工；
[0008]2、安全可靠，可有效防止尖端放电现象；
[0009]3、易于在半导体薄膜沉积的技术领域中推广和应用。
【附图说明】
[0010]图1是本发明的结构示意图。
[0011]图2是陶瓷环的局部放大示意图。
[0012]图中零件标号分别代表:
[0013]1、晶圆；2、热盘；3、陶瓷环；4、陶瓷环外缘上角；5、陶瓷环外缘下角；6、热盘外缘上角；7、陶瓷环内缘下角；8、热盘凸台下角；9、热盘凸台上角；10、陶瓷环内缘上角；11、晶圆外缘；12、陶瓷环晶圆限位槽边角。
【具体实施方式】
[0014]实施例
[0015]参照图1，一种新型腔内陶瓷环，是将陶瓷环边缘尖角加工成圆角，利用圆弧过渡防止电荷堆积。其具体结构:它包括:晶圆1、热盘2及陶瓷环3。所述陶瓷环3的边缘加工有圆角，圆角包括陶瓷环外缘上角4、陶瓷环外缘下角5、陶瓷环内缘上角10及陶瓷环内缘下角7。
[0016]所述陶瓷环外缘上角4、陶瓷环外缘下角5、陶瓷环内缘上角10及陶瓷环内缘下角7其圆角的半径在0.5mm-2mm0
[0017]所述陶瓷环3放在热盘2上，晶圆I放在陶瓷环2的圆形限位槽内。工艺时，工艺气体从晶圆I上方喷下，并形成等离子体，反应物沉积在晶圆I的表面，其他副产物和带电粒子逐渐向四周移动，最终被排除腔体。这个过程中带电粒子会吸附在陶瓷环3的表面，并产生堆积，由于陶瓷环3的陶瓷环外缘上角4、陶瓷环外缘下角5、陶瓷环内缘上角10、陶瓷环内缘下角7、陶瓷环晶圆限位槽边角12是圆角结构，面与面通过圆弧过渡。工艺过程中，带电粒子不会在边缘形成过度堆积，避免了陶瓷环外缘上角4与热盘外缘上角6之间、陶瓷环外缘下角5与热盘外缘上角6之间、陶瓷环内缘下角7与热盘凸台下角8之间、热盘凸台上角9与陶瓷环内缘上角10之间、晶圆外缘11与陶瓷环晶圆限位槽边角12之间产生放电现象，从而保证了工艺的稳定性。
【主权项】
1.一种新型腔内陶瓷环，其特征在于:该陶瓷环是将陶瓷环边缘尖角加工成圆角，利用圆弧过渡防止电荷堆积。2.如权利要求1所述的新型腔内陶瓷环，其特征在于:它包括晶圆(I)、热盘(2)及陶瓷环(3)，所述陶瓷环(3)的边缘加工有圆角，圆角包括陶瓷环外缘上角(4)、陶瓷环外缘下角(5)、陶瓷环内缘上角(10)及陶瓷环内缘下角(7)。3.如权利要求2所述的新型腔内陶瓷环，其特征在于:所述陶瓷环外缘上角(4)、陶瓷环外缘下角(5)、陶瓷环内缘上角(10)及陶瓷环内缘下角(7)其圆角的半径在0.5mm-2mm。
【专利摘要】一种新型腔内陶瓷环，是将陶瓷环边缘尖角加工成圆角，利用圆弧过渡解决电荷堆积的技术问题。其具体结构：它包括晶圆、热盘及陶瓷环。所述陶瓷环的边缘加工有圆角，圆角包括陶瓷环外缘上角、陶瓷环外缘下角、陶瓷环内缘上角及陶瓷环内缘下角。所述陶瓷环外缘上角、陶瓷环外缘下角、陶瓷环内缘上角及陶瓷环内缘下角其圆角的半径在0.5mm-2mm。本发明结构简单、易加工、安全可靠及可有效防止尖端放电现象。主要应用于半导体镀膜设备反应腔内常温或高温工艺过程中，属于半导薄膜沉积的应用技术领域。
【IPC分类】H01L21/687, C23C14/50, C23C16/458
【公开号】CN105132890
【申请号】CN201510523955
【发明人】柴智
【申请人】沈阳拓荆科技有限公司
【公开日】2015年12月9日
【申请日】2015年8月24日