V法铸造用吸膜架的制作方法
【专利摘要】本实用新型涉及一种V法铸造用吸膜架，其包括第一真空室，所述第一真空室包括上壁、下壁和相对地设置在所述上壁和所述下壁之间的第一侧壁和第二侧壁，所述上壁、所述下壁、所述第一侧壁和所述第二侧壁共同界定出具有真空环境的腔室，其中，所述第一侧壁上设置有通孔或贯通槽。本实用新型能够有效避免薄膜脱落的V法铸造用吸膜架，并降低成本。
【专利说明】
V法铸造用吸膜架
技术领域
[0001]本实用新型涉及铸造领域。更具体地，本实用新型涉及一种V法铸造用吸膜架。
【背景技术】
[0002]V法铸造为负压铸造或真空密封造型的一种方法，其工艺特点在于对模具进行覆膜并对覆膜后的砂型进行抽真空而使砂型成型。其中，对模具进行覆膜处理的具体工艺包括:吸膜架将膜吸起并上升到加热位置开始加热，加热到工艺要求时将膜均匀覆在模具上。
[0003]为了使薄膜被紧密地吸附在吸膜架上，现有技术中常用的吸膜架包括真空室和设置在真空室底壁并与真空室连通的多个通孔或槽。当真空室被通以负压后，每一孔或槽也相应地呈负压状态。这样，当吸膜架与薄膜接触后，薄膜会在大气压的作用下压在通孔与槽处，即底吸式吸膜架。
[0004]然而，因为传统的底吸式吸膜架只有一个真空室，没有第二真空室或副真空室，而且孔或槽是布置在真空室的下壁，当吸膜架在上升到加热位置过程中，吸膜架要首先进行向上移动，这样，被吸附的薄膜就会受到重力和空气阻力的双重的向下作用力。当这两个向下的力的合力超过吸膜架作用于薄膜上的向上的吸附力时，吸膜架就无法吸住薄膜，从而导致薄膜脱落，即脱膜。如图1所示，现有传统的吸膜架81的具体结构为:其包括真空室82和设置在真空室82下壁处的多个孔或槽83。当吸好薄膜84的吸膜架81作向上运动时，向下的空气阻力与重力是会将薄膜84从孔或槽83的内侧处85剥离，从而造成真空室漏气而脱落。
[0005]为了解决脱膜问题，现有技术往往利用增加吸膜架的向上的抽膜速度或提供尽可能高的负压。然而，抽膜速度和负压数值都不可能无限增大，而且较高的抽膜速度和较大的负压环境的维持需要花费很高的成本。
[0006]因此，现有技术中需要一种能够有效避免薄膜脱落的V法铸造用吸膜架，并降低成本。
【实用新型内容】
[0007]基于上述原因，本实用新型的提供了一种V法铸造用吸膜架，其包括第一真空室，所述第一真空室包括上壁、下壁和相对地设置在所述上壁和所述下壁之间的第一侧壁和第二侧壁，所述上壁、所述下壁、所述第一侧壁和所述第二侧壁共同界定出具有真空环境的腔室，其中，所述第一侧壁上设置有通孔或贯通槽。
[0008]进一步的，还包括第二真空室，所述第二真空室紧挨所述第一真空室，所述第二真空室包括上壁以及从所述上壁的两端分别垂直向下延伸的第一侧壁和第二侧壁。
[0009]进一步的，所述第二真空室的所述上壁是由所述第一真空室的所述上壁的一端向前延伸而形成的。
[0010]进一步的，所述第二真空室的所述第二侧壁与所述第一真空室的所述第一侧壁位于同一壁板的不同两侧。
[0011]进一步的，所述第二真空室的所述第一侧壁和所述第二侧壁与所述第一真空室的所述第一侧壁和所述第二侧壁均位于所述第一真空室的所述上壁的同一侧，且所述第二真空室的所述第一侧壁的长度比所述第一真空室的所述第一侧壁的长度短。
[0012]进一步的，所述通孔的为直径3-5mm。
[0013]进一步的，所述贯通槽的宽度l-2mm。
[0014]相较于现有技术，本实用新型通过将孔或槽设置在真空室的侧壁，并增设第二真空室(即副真空室)结构，有效地解决了薄膜脱落问题。而且其具有较高的通用性，既提高了使用的便利性，也提高了铸造效率，降低了生产成本。
【附图说明】
[0015]图1是现有技术中的吸膜架的内部结构示意图。
[0016]图2是本实用新型一实施例的V法铸造用吸膜架的俯视示意图。
[0017]图3是图2的A-A剖视示意图。
【具体实施方式】
[0018]如下，结合附图及优选实施例对根据本实用新型实施例的V法铸造用吸膜架做更详细地描述。
[0019]如图2、3所示，该吸膜架10包括第一真空室100和紧挨所述第一真空室100设置的的第二真空室200。
[0020]其中，第一真空室100包括上壁101、下壁102和相对地设置在上壁101和下壁102之间的第一侧壁103和第二侧壁104。上壁101、下壁102、第一侧壁103和第二侧壁104—起构成、围成或界定出具有真空环境的腔室。
[0021]第二真空室200包括上壁201，以及从上壁201的两端分别垂直向下延伸的第一侧壁202和第二侧壁203。第一侧壁202和第二侧壁203与第一侧壁103和第二侧壁104位于上壁101的同一侧。
[0022]优选地，第二真空室200的上壁201是第一真空室100的上壁101的一端向前延伸而形成的。同样优选的是，第二真空室200的第二侧壁203与第一真空室100的第一侧壁103位于同一壁板的不同两侧，即第一真空室100的第一侧壁103和第二真空室200的第二侧壁203共用同一个侧壁。该共用的侧壁的长度被构造为比第二真空室200的第一侧壁202的长度稍长，二者之间的长度差引起薄膜受力方向和大小的改变。
[0023]共用的侧壁上，或者说是第一真空室100的第一侧壁103和第二真空室200的第二侧壁203上设置有通孔或贯通槽105。该通孔或贯通槽105将第一真空室100和第二真空室200相连通，从而使得在第一真空室100处于负压环境的同时第二真空室200也同样处于负压环境。
[0024]优选地，避免因吸力太小吸不住或吸不稳膜，或因吸力太大把膜吸得太深以至于覆完膜不能自动脱落，要保证能够对膜提供合适的吸力，通孔的直径通常选取为3_5mm，同样的原理，在另一优选的实施例中，贯通槽宽度的取值范围为l_2mm，长度50-100mm。进一步的，通孔的中心位置距第一真空室100的下壁102的距离为设置为6-8mm，贯通槽的中心位置距第一真空室100的下壁102的距离为设置为4-6mm。
[0025]具有上述结构的吸膜架在吸附薄膜300时，第二真空室200提供的负压作用能够使得被吸附薄膜300的外边缘向第二真空室200运动，进而运动到第一真空室100的外侧(即共用侧壁处)时则为通孔或贯通槽所吸附。本发明的这种采用侧吸方式的吸膜架为薄膜提供了一种不同于现有技术中的底吸式吸膜架的受力状态。本新型的吸膜架依靠的是通孔或贯通槽的空气压力而使薄膜与吸膜架之间产生摩擦力来对抗薄膜在上行时受到的重力和空气阻力。而相对于提供大的抽膜速度和高负压环境而言，很低的吸力产生的摩擦力就足以使薄膜被稳定地吸附住。
[0026] 尽管已经阐明和描述了本揭示的不同实施例，本揭示并不限于这些实施例。仅在某些权利要求或实施例中出现的技术特征并不意味着不能与其他权利要求或实施例中的其他特征相结合以实现有益的新的技术方案。在不背离如权利要求书所描述的本揭示的精神和范围的情况下，许多修改、改变、变形、替代以及等同对于本领域技术人员而言是明显的。
【主权项】
1.一种V法铸造用吸膜架，其特征在于，包括第一真空室，所述第一真空室包括上壁、下壁和相对地设置在所述上壁和所述下壁之间的第一侧壁和第二侧壁，所述上壁、所述下壁、所述第一侧壁和所述第二侧壁共同界定出具有真空环境的腔室，其中，所述第一侧壁上设置有通孔或贯通槽。2.根据权利要求1所述的V法铸造用吸膜架，其特征在于，进一步包括第二真空室，所述第二真空室紧挨所述第一真空室，所述第二真空室包括上壁以及从所述上壁的两端分别垂直向下延伸的第一侧壁和第二侧壁。3.根据权利要求2所述的V法铸造用吸膜架，其特征在于，所述第二真空室的所述上壁是由所述第一真空室的所述上壁的一端向前延伸而形成的。4.根据权利要求2所述的V法铸造用吸膜架，其特征在于，所述第二真空室的所述第二侧壁与所述第一真空室的所述第一侧壁位于同一壁板的不同两侧。5.根据权利要求2所述的V法铸造用吸膜架，其特征在于，所述第二真空室的所述第一侧壁和所述第二侧壁与所述第一真空室的所述第一侧壁和所述第二侧壁均位于所述第一真空室的所述上壁的同一侧，且所述第二真空室的所述第一侧壁的长度比所述第一真空室的所述第一侧壁的长度短。6.根据权利要求1所述的V法铸造用吸膜架，其特征在于，所述通孔的直径为3-5mm。7.根据权利要求1所述的V法铸造用吸膜架，其特征在于，所述贯通槽的宽度为l-2mm。
【文档编号】B22C23/00GK205519537SQ201620064302
【公开日】2016年8月31日
【申请日】2016年1月22日
【发明人】王治国
【申请人】文水县易鑫铸造有限公司