本发明属于材料制备技术领域，公开了一种低成本二硅化钼及其制备方法，尤其涉及了一种用MoS2粉和Si粉作为原料制备二硅化钼的方法。
背景技术：
二硅化钼具有高熔点、低密度、良好的导热性和良好的导电性以及优良的高温抗氧化性、高弹性模量、低热膨胀系数、较高的强度、耐化学腐蚀和良好的抗热震性。被广泛应用于高温发热体元件材料和高温抗氧化涂层材料，也是极具发展潜力的高温结构材料和耐磨材料。随着粉末冶金技术以及材料技术的迅速发展。MoSi2制备工艺也取得了重大的进展，在传统电弧熔炼、铸造和粉末压制催结等工艺的基础上，20世纪80年代末自蔓延高温合成(SHS)，机械合金化(MA)，热压(HP)等技术取得了快速的发展，它们克服了传统工艺MoSi2熔点高、难合成，以及材料在合成过程中易氧化的缺点。前些年又出现了火花等离子烧结新工艺，并且SHS和MA也出现了新的拓展。然而，这些方法都采用钼粉和硅粉作为原料，由于钼粉的价格较高，所以导致原料成本较高。中国是钼矿资源丰富的国家，截至2008年底，据《全国矿产资源储量通报》中国已探明钼矿区411处，钼矿查明资源储量已达1232.23万t，位居世界第一。而且中国钼矿以原生硫化钼矿为主。如果能用价格较低的硫化钼替代钼粉作为原料制备二硅化钼，这将极大的降低制备二硅化钼的原料成本，从而降低二硅化钼的生产成本。并且，直接利用我国的硫化钼资源，省去了硫化钼到钼的长流程制备工序，可以减少资源消耗和环境污染。
技术实现要素：
本发明的目的是提供一种采用MoS2粉和Si粉作为原料的低成本制备二硅化钼的方法，所要解决的是钼粉作为原料制备二硅化钼成本太高的问题。为达到上述目的，本发明提供的技术方案为：一种低成本制备二硅化钼的方法，此制备方法以MoS2粉和Si粉作为原料，混合均匀在炉中焙烧，冷却后得到二硅化钼产物。此方法的优选方案为，所述MoS2粉和Si粉摩尔比为1:3.5～4.5。此方法的优选方案为，所述原料混合均匀后压制成块体后，进行焙烧。此方法的优选方案为，所述MoS2粉的纯度大于96％，粒度小于0.1mm；所述Si粉的纯度大于98％，粒度小于0.1mm。此方法的优选方案为，所述焙烧工艺为，1000～1600℃下保温1～5小时。此方法的优选方案为，包括以下的制备步骤：(1)将MoS2粉和Si粉按摩尔比1:3.5～4.5配料混合，得混合均匀的粉体原料；(2)将(1)中获得的粉体原料，在室温下用大于1MPa的压力进行压块，获得块状原料；(3)在惰性气体的保护下，将(2)中获得的块状原料在高温炉中焙烧，在1000～1600℃下保温1～5小时；(4)保温结束，冷却，得到二硅化钼产物。此方法的优选方案为，步骤(3)中所述的焙烧工艺为，在1000～1200℃下保温4～6小时。此方法的优选方案为，所述MoS2粉和Si粉摩尔比为1:3.8～4.2。此方法的优选方案为，所述MoS2粉和Si粉摩尔比为1:4。此方法中，所述原料的混合方式为研磨，搅拌，球磨中的一种；步骤(3)中块状原料的入炉时间为，随炉升温或到温入炉；步骤(4)所述冷却为随炉冷却或高温下直接取出室温中吹惰性气体冷却。本发明还涉及上述方法制备的二硅化钼，其纯度大于96％。采用本发明提供的技术方案，与已有的公知技术相比，具有如下有益效果：(1)本发明本采用MoS2粉作为原料，可以有效利用我国丰富的MoS2资源，降低了制备二硅化钼的生产成本；(2)本发明的制备工艺，省去了MoS2到Mo的生产工序，缩短了工序，节约了资源，降低了生产成本；(3)本发明通过对原材料比例份数的控制、焙烧工艺的选择、以及其他工艺参数的合理选择，制备的二硅化钼纯度高，杂质少。附图说明图1是实施例一产物成分的XRD结果分析图。具体实施方式为进一步了解本发明的内容，结合附图对本发明作详细描述。下面结合实施例对本发明作进一步的描述。实施例一：(1)将纯度为98％、粒度小于0.05mm的MoS2粉和纯度为99.99％、粒度小于0.05mm的Si粉按摩尔比1:4配料，配取粉样总质量为5g，加入酒精研磨，混合均匀，干燥，制得混合均匀的粉体原料。(2)将(1)中获得的粉体原料，用5MPa的压力压块，室温下压成直径为18mm的圆柱形块料。(3)在氩气保护气氛下，将(2)中获得的块状原料到温入炉，焙烧温度1600℃保温1小时。(4)保温结束，取出室温中吹氩冷却，得到二硅化钼(分子式为MoSi2)，其纯度为98.7％，XRD衍射图如图1。实施例二：(1)将纯度为96％、粒度小于0.1mm的MoS2粉和纯度为98％、粒度小于0.1mm的Si粉按摩尔比1:4配料，配取粉样总质量为5g，加入酒精研磨，混合均匀，干燥，制得混合均匀的粉体原料。(2)在氩气保护气氛下，将(1)中获得的粉体原料随炉升温，焙烧温度1200℃保温4小时。(3)保温结束，随炉冷却，得到二硅化钼(分子式为MoSi2)，其纯度为96.3％。实施例三：(1)将纯度为98％、粒度小于0.01mm的MoS2粉和纯度为99％、粒度小于0.01mm的Si粉按摩尔比1:4配料，配取粉样总质量为5g，加入酒精研磨，混合均匀，干燥，制得混合均匀的粉体原料。(2)将(1)中获得的粉体原料，室温下用10MPa的压力压块，压成直径为18mm的圆柱形块料。(3)在氩气保护气氛下，将(2)中获得的块状原料到温入炉，焙烧温度1000℃保温5小时。(4)保温结束，取出室温中吹氩冷却，得到二硅化钼(分子式为MoSi2)，其纯度为98.2％。