技术总结
本发明公开了一种提高直拉单晶硅轴向电阻率均匀性的方法及装置。其装置包括掺杂剂容器、质量流量计、电磁阀和输送管；其方法包括如下步骤：(1)单晶硅拉制开始前准备；(2)熔化多晶硅原料；(3)引晶步骤；(4)放肩步骤；(5)转肩步骤；(6)等径步骤；(7)收尾步骤。本发明的优点：(1)改变了直拉工艺中常规的掺杂方式，提高单晶硅中轴向掺杂元素的均匀性，进而提高轴向电阻率的均匀性；(2)本发明装置结构简单、便于操作。
技术研发人员：王军磊;尚伟泽;刘伟;武志军;刘学
受保护的技术使用者：内蒙古中环光伏材料有限公司
文档号码：201610788395
技术研发日：2016.08.31
技术公布日：2017.02.15