一种Ф400高压釜的制作方法

本发明涉及人工合成水晶设备技术领域，具体涉及一种Ф400高压釜。

背景技术：

近些年，我国生长水晶的厂家增加了许多，水晶产量成倍增长，市场上出现了供大于求的局面，基本以口径Ф240、Ф250为主。高压釜口径的大小直接影响水晶的包裹体、Q值曲线、腐蚀隧道、单块水晶尺寸的尺寸差；小口径高压釜的容积小、热容量小，生长过程中受外界影响温度波动大，Q值曲线呈“V”字型变化；高压釜的容积越大，生长的晶体质量越好，因为容积越大，生长系统中液流相对平衡，由于其等容大，使温度的波动减少，所以大型高压釜生长的水晶包裹体少、透明度好、Q值高，而且产量高、耗电少，经济效益好。

技术实现要素：

本发明的目的就是为了解决上述技术问题，而提供一种Ф400高压釜。

本发明包括底座、底炉、釜体、保温筒、电加热带、釜帽、釜口和用于装载石英的料框，所述底炉的外壳固定安装在底座上，所述釜体的底部安装在底座上，并罩在底炉的上方，所述保温筒套在釜体的外壁上，所述电加热带设置在釜体的内壁上，所述釜口设置在釜体的顶部上，所述釜帽通过卡箍安装在釜口上，所述料筐挂载在釜体的内壁上。

还有保温罩，所述保温罩罩在釜口上。

还有压力表，所述保温罩上设有压力表连接管通过孔，所述压力表通过压力表连接管连接在釜口上。

所述底炉采用材料为Cr25Al5的电阻丝。

还有温度控制模块，所述温度控制模块包括一组热电偶和温控芯片，所述一组热电偶分别设置在釜体内，并分别与温控芯片通信相连，所述温控芯片分别控制底炉和电加热带的开、关及加热功率。

所述保温筒的厚度为350mm。

本发明具有以下优点：本发明通过对生长区和溶解区加热系统功率的分配及底炉的设计，保温系统、籽晶架、料筐的设计，通过对功率设计及底炉创新使用，强化保温，为水晶生长提供足够动力，料筐的设计能够装入足够的石英，为水晶的生长提高足够的营养，可产出优质的石英晶体，具有很好的实用推广价值。

附图说明

图1是本发明结构示意图。

图中：1、底座；2、底炉；3、釜体、4、保温筒；5、电加热带；6、釜帽；7、釜口；8、卡箍；9、料筐；10、保温罩；11、压力表；12、一组热电偶；13、温控芯片。

具体实施方式

下面结合附图对本发明做进一步说明。

如图1所示，本发明包括底座1、底炉2、釜体3、保温筒4、电加热带5、釜帽6、釜口7和用于装载石英的料筐9，所述底炉2的外壳固定安装在底座1上，所述釜体3的底部安装在底座1上，并罩在底炉2的上方，所述保温筒4套在釜体3的外壁上，所述电加热带5设置在釜体3的内壁上，所述釜口7设置在釜体3的顶部上，所述釜帽6通过卡箍8安装在釜口7上，所述料框9挂载在釜体3的内壁上。

还有保温罩10，所述保温罩10罩在釜口7上。

还有压力表11，所述保温罩10上设有压力表连接管通过孔，所述压力表11通过压力表连接管连接在釜口7上。

所述底炉2采用材料为Cr25Al5的电阻丝。

还有温度控制模块，所述温度控制模块包括一组热电偶12和温控芯片13，所述一组热电偶12分别设置在釜体3内，并分别与温控芯片13通信相连，所述温控芯片13分别控制底炉2和电加热带5的开、关及加热功率。

所述保温筒4的厚度为350mm。

工作方式及原理：通过对生长区和溶解区加热系统功率的分配及底炉的设计，保温系统、籽晶架、料筐的设计，将Ф400高压釜的产能及优势发挥到极致，生长的晶体为Z＝100～110mm，X＝160～175mm，Y＝235mm，Q＝(200～240)×10⁶，F≤30条/cm²，单釜产量为570公斤，Ⅰ、Ⅱ类包裹体达到95％，合格率为98％。

本发明型通过对Ф400高压釜加热系统功率的分配及底炉的设计、料筐的设计，其特征在于:

加热带⑦设计：生长区加热带功率占总功率的42℅，溶解区占总功率的58℅；

底炉⑨的功率为5KW。

保温系统的设计：保温筒⑥的厚度为350m，釜口保温罩⑤使用专用保温进行保温。

料筐⑧的设计：石英装入量为650公斤。

生长温度：生长区温度为332～336℃，溶解区温度为337～381℃，温差为45℃，压力为138Mpa。

生长速度为：

高压釜的装满度为82％

选用的籽晶规格为F≤30条/cm²，X＝100mm，Y＝235mm。

1、加热带共75圈，生长区加热带功率占总功率的42％；共溶解区占总功率的58％，将加热带固定高压釜釜体上。

2、底炉使用44米厂的电阻丝，制作功率为5KW的加热丝，放在高压釜底部，使用岩棉堵好。

3、保温筒的厚度为350mm,将保温桶套在高压釜上。

4、将石英装装入料筐内，装入营养液。

5、将两个籽晶架连接起来，放入高压釜内。

6、盖上釜帽，装上3根螺栓，对釜帽进行预紧。

7、装上卡箍，紧卡箍，去掉3根预紧螺栓。

8、装好高压表。

9、安装釜口保温罩。

10、装好保温罩。

11、按照工艺的要求进行生长。工艺要求如下：

经过200天的生长、高压釜降温后，摘下水晶、交库房，质检人员全检后，出具检验报告单。

以上实施方式仅用于说明本发明，而并非对本发明的限制，有关技术领域的普通技术人员，在不脱离本发明的精神和范围的情况下，还可以做出各种变化和变型，因此所有等同的技术方案也属于本发明的范畴，本发明的专利保护范围应由权利要求限定。