本发明涉及dbc生产技术领域，具体为一种用于dbc生产中两面同时进行烧结的烧结支架技术。
背景技术：
以dbc(直接键合铜-陶瓷基板)和dpc(直接镀铜-陶瓷基板)为代表的金属化陶瓷基板在导热、绝缘、耐压与耐热等方面性能优越，已成为功率型器件封装的首选材料，并逐渐得到市场的认可。直接敷铜技术是利用铜的含氧共晶液直接将铜敷接在陶瓷上，其基本原理就是敷接过程前或过程中在铜与陶瓷之间引入适量的氧元素，在1065～1083℃范围内，铜与氧形成cu-o共晶液，dbc技术利用该共晶液浸润铜箔实现陶瓷基板与铜板的结合。
现有技术在dbc生产过程中，产品只能通过一面烧结，烧结一面之后，再进行另一面的烧结，这种烧结方法耗时耗力，品质不一，极易出现一面产品不良的偏向性缺陷。例如，先进行第一面的烧结，完成之后，在使用相同的工艺进行第二面的烧结。这样的烧结方式，等于是用双倍的时间，来处理同一片产品的烧结问题，为此，我们提出了一种用于dbc生产中两面同时进行烧结的烧结支架技术投入使用，以解决上述问题。
技术实现要素：
本发明的目的在于提供一种用于dbc生产中两面同时进行烧结的烧结支架技术，已解决上述背景技术中提出的产品只能通过一面烧结，烧结一面之后，再进行另一面的烧结，这种烧结方法耗时耗力，品质不一，极易出现一面产品不良的偏向性缺陷问题。
为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：一种用于dbc生产中两面同时进行烧结的烧结支架技术，该用于dbc生产中两面同时进行烧结的烧结支架技术的具体步骤如下：
s1：根据设计图纸的要求，预先制作出烧结支架的模具；
s2：待烧结支架模具制作完成后，对模具进行填充；
s3：模具填充完成后静置20～30min，然后进行脱模；
s4：在低温条件下，对模具进行排胶处理；
s5：对烧结支架进行高温烧结，形成较为致密，并且高强度耐高温的烧结支架。
优选的，所述步骤s2中，采用耐高温材料对模具进行填充并填满。
优选的，所述步骤s4中，排胶处理的温度为350～600℃。
优选的，所述步骤s5中，采用高温烧结炉对支架进行高温烧结，烧结温度为1070～1080℃，时间为5～15min。
优选的，所述步骤s5中，烧结完成后，对烧结支架表面进行精细打磨，保持烧结支架与dbc产品生产过程中，产品的接触面的圆润光滑。
与现有技术相比，本发明的有益效果是：本发明烧结生产过程中，两面的烧结品质更加统一，产品在烧结过程中更加均匀稳定，可以以快捷的方式将烧结的瓷片同时实现两面烧结，通过烧结支架实现瓷片的两面同时烧结，在烧结生产过程中，处于下表面的铜片，烧结支架要对其起到一个支撑作用，另一方面，烧结支架也要起到支撑瓷片的作用。
附图说明
图1为本发明结构示意图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
请参阅图1，本发明提供一种技术方案：一种用于dbc生产中两面同时进行烧结的烧结支架技术，该用于dbc生产中两面同时进行烧结的烧结支架技术的具体步骤如下：
s1：根据设计图纸的要求，预先制作出烧结支架的模具；
s2：待烧结支架模具制作完成后，对模具进行填充，采用耐高温材料对模具进行填充并填满；
s3：模具填充完成后静置20～30min，然后进行脱模；
s4：在低温条件下，对模具进行排胶处理，排胶处理的温度为350～600℃；
s5：对烧结支架进行高温烧结，形成较为致密，并且高强度耐高温的烧结支架，采用高温烧结炉对支架进行高温烧结，烧结温度为1070～1080℃，时间为5～15min，烧结完成后，对烧结支架表面进行精细打磨，保持烧结支架与dbc产品生产过程中，产品的接触面的圆润光滑。
首先将烧结支架d放置在水平的装料台上，将氧化铜片使用预压模具预压出一定的弧度。先将下表面铜片c放置在烧结支架d上，氧化面朝上，用以支撑下表面铜片c的支撑点，d1为支撑下表面铜片边缘的支撑点，在d1处，与铜片边缘接触的为具有一定弧度的凹槽。这样设计的作用是，第一，可以更加准确的固定好下表面铜片c的位置；第二，进入正常的烧结过程后，可以保证下表面铜片c在烧结中的弧度弯曲，同时，给铜片烧结后延展的量留有一定的余量。d3为支撑下表面铜片c中间的支撑点，在下表面铜片c的上面放置瓷片b，d2为支撑瓷片边缘的支撑点，然后在瓷片b上面放置上表面铜片a，上表面铜片a的氧化面朝下。等待产品与支架组装完成之后，放入烧结炉内，进行烧结。
尽管已经示出和描述了本发明的实施例，对于本领域的普通技术人员而言，可以理解在不脱离本发明的原理和精神的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型，本发明的范围由所附权利要求及其等同物限定。