技术总结
本实用新型提供了一种多晶硅铸锭炉，该铸锭炉内设置有坩埚、护板、盖板、底板，坩埚放置在底板上，护板设置在坩埚外侧，盖板设置在坩埚上方，在所述护板四周的上方位置还设置有保温材料。由于保温材料仅设置在护板上方的位置，靠近坩埚底部的区域温度相对较高，有利于增强硅液对流，减少杂质的富集。在长晶阶段，不仅能够有效抑制坩埚侧壁形核，向坩埚中心杂乱生长，同时还能避免与竖直方向生长的晶粒冲突，形成大量晶体缺陷，由此得到的长晶界面更加平整的高质量硅锭。
技术研发人员：陈红荣;胡动力;徐云飞;黄亮亮
受保护的技术使用者：江西赛维LDK太阳能高科技有限公司
文档号码：201620889097
技术研发日：2016.08.17
技术公布日：2017.05.24