技术总结
本实用新型提供了一种用于铸造晶体硅的大尺寸籽晶块，铺设于坩埚底部，其特征在于，所述籽晶块的面积的整数倍等于坩埚底部的面积，所述籽晶块的长度为200‑1400mm，宽度或高度为200‑1400mm，厚度为10‑100mm。本实用新型提供的大尺寸籽晶块铺设在坩埚底部没有缝隙或缝隙较少，使得籽晶的形核更加容易控制，得到更高质量的硅锭。且该制备方法简单易操作，成本低。
技术研发人员：陈红荣;徐云飞;胡动力;何亮
受保护的技术使用者：江西赛维LDK太阳能高科技有限公司
文档号码：201621076839
技术研发日：2016.09.23
技术公布日：2017.05.24